第九届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展(广州)论坛

为紧跟国际功率半导体器件技术发展步伐,推动我国新型半导体功率器件技术水平进一步提高,加快其成果转化和应用推广,增强自主创新能力。由中国半导体行业协会半导体分立器件分会主办的“第九届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会”于2023年11月23—25日在广州召开。本会议是继厦门、昆明、长沙、苏州、深圳、成都、重庆、无锡成功举办后,我国半导体功率器件及应用领域又一次重要的学术、技术交流活动,将为广大从事新型半导体功率材料、器件及其应用技术工作者提供一个高起点、大范围、多领域的沟通平台,增进产学研及应用端之间的技术交流,相互学习,共同提高。为此,会议组委会热忱欢迎广大企业、科研院所、高等院校从事新型半导体功率材料、器件及应用技术的相关领域人员,以及相关配套应用的电子专用设备供应商共赴盛会,交流分享自己的应用经验与开发成果.     

第五届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会

<正>为紧跟国际功率半导体器件技术发展步伐,推动我国新型半导体功率器件技术水平进一步提高,加快其成果转化和应用推广,增强自主创新能力,由中国半导体行业协会半导体分立器件分会主办的"第五届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会"于2019年11月22—24日在广东深圳召开。本会议是继厦门、昆明、长沙、苏州成功举办后,全国新型半导体功率器件及应用领域又一次重要的学术与技术交流活动,将为广大从事新型半导体功率材料、器件及其应用技术的工作者提供一个高起点、大范围、多领域的沟通平台,增进产、学、研之间的技术交流,相互学习,共同提高。为此,会议组     

第四届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会通知北大核心

一、征文范围1.宽禁带(GaN和SiC等)外延材料的结构设计、制备与检测技术;2.功率器件用GaAs和InP外延材料的结构设计、制备与检测技术;3.基于金刚石、石墨烯的功率器件的结构设计、加工与测试技术;4.微波功率器件的结构设计、加工与测试技术;5.电力电子器件的结构设计、加工与测试技术;6.特种高功率半导体器件的结构设计、加工与测试技术;7.功率器件的封装和可靠性技术;8.功率器件的系统集成技术;     

第四届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会在苏州成功召开

<正>由中国半导体行业协会半导体分立器件分会主办的"第四届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会"于2018年11月23-25日在苏州工业园区成功召开,共有来自全国各地360余位代表与会共享最新行业与技术信息。新当选的半导体分立器件分会理事长中国电子科技集团公司第十三研究所卜爱民所长致欢迎辞,苏州工业园区管委会林小明副主任和苏州纳米科技发展有限公司张淑梅总裁分别代表苏州工业园     

第三届新型半导体功率器件及应用技术研讨会在长沙成功召开北大核心

继在厦门、昆明成功举办两届研讨会之后,＂第三届新型半导体功率器件及应用技术研讨会＂于2017年11月24—27日在长沙成功召开。此次研讨会由中国半导体行业协会指导,中国半导体行业半导体分立器件分会和株洲中车时代电气股份有限公司主办。     

第六届中国半导体行业协会半导体分立器件分会年会暨2012’全国半导体器件技术、产业发展研讨会

正半导体分立器件分会受中国半导体行业协会委托,自二零零七年至今已成功过举办过五届全国性半导体会议,特别是杭州与昆明的会议,参会人数都近三百人,形成了以我国半导体器件研究、开发和产、学、研单位为主的产业交流平台。今年,中国半导体行业协会半导体分立器件分会继往年会议安排,将于今年7月     

第六届中国半导体行业协会半导体分立器件分会年会暨2012’全国半导体器件技术、产业发展研讨会

半导体分立器件分会受中国半导体行业协会委托,自二零零七年至今已成功过举办过五届全国性半导体会议,特别是杭州与昆明的会议,参会人数都近三百人,形成了以我国半导体器件研究、开发和产、     

第九届中国半导体行业协会半导体分立器件分会年会暨2015’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会第一轮会议通知

在中国半导体行业协会(以下简称“中半协”)统一安排下,半导体分立器件分会,将于今年7月27—30日召开《2015’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会》。届时,工信部电子信息司领导、中半协领导将亲临指导。会议还组织国内著名专家的特邀报告、专题报告以及企业形象和产品展览活动,热烈欢迎广大从事半导体器件研究、开发和生产的科研人员、工程技术人员和管理人员积极参与和撰写论文,到会交流,展示最新研究成果和在开发、生     

三代半导体功率器件的特点与应用分析

以S i双极型功率晶体管为代表的第一代半导体功率器件和以GaAs场效应晶体管为代表的第二代半导体功率器件为雷达发射机的大规模固态化和可靠性提高做出了贡献。近年来以S iC场效应功率晶体管和GaN高电子迁移率功率晶体管为代表的第三代半导体--宽禁带半导体功率器件具有击穿电压高、功率密度高、输出功率高、工作效率高、工作频率高、瞬时带宽宽、适合在高温环境下工作和抗辐射能力强等优点。人们寄希望于宽禁带半导体功率器件来解决第一代、第二代功率器件的输出功率低、效率低和工作频率有局限性以至于无法满足现代雷达、电子对抗和通信等电子装备需求等方面的问题。文中简要介绍了半导体功率器件的发展背景、发展过程、分类、特点、应用、主要性能参数和几种常用的半导体功率器件;重点叙述了宽禁带半导体功率器件的特点、优势、研究进展和工程应用;对宽禁带半导体功率器件在新一代雷达中的应用前景和要求进行了探讨。     

第十三届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2019年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛会议通知

<正>随着传统产业的转型和技术升级,中国半导体分立器件产业在新兴产业发展中发挥着越来越大的作用。新材料和新技术的不断发展应用,对半导体分立器件未来发展产生深远的影响。在轨道交通、新能源汽车、固态照明、5G通信、物联网等新兴市场快速增长的牵引下,半导体分立器件产业将继续保持平稳发展的态势。国产化半导体功率器件已部分替代进口     

第十三届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2019年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛会议通知

<正>随着传统产业的转型和技术升级,中国半导体分立器件产业在新兴产业发展中发挥着越来越大的作用。新材料和新技术的不断发展应用,对半导体分立器件未来发展产生深远的影响。在轨道交通、新能源汽车、固态照明、5G通信、物联网等新兴市场快速增长的牵引下,半导体分立器件产业将继续保持平稳发展的态势。国产化半导体功率器件已部分替代进口     

第三代半导体SiC功率器件栅氧制备设备及工艺研究

第三代半导体碳化硅（SiC）材料具备耐高压、高频、高温等优越的特性,非常适合制作大功率电力电子器件。由于Si C材料不易氧化以及碳原子结构的影响,需更高温度进行SiO2/SiC生长,且氧化后SiO2/SiC界面存在大量的碳悬挂键,给器件的迁移率及可靠性等性能等带来影响,所以一般需要更高温度能力以及具备特殊后退火处理技术的工艺设备,以满足制备SiC高性能栅氧层的需求。本文重点介绍SiC MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）器件栅氧制备的工艺特点,设备原理、以及工艺制备的效果。     

第八届中国半导体行业协会半导体分立器件分会年会暨2014’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会第二轮会议通知

正2014年是完成《"十二五"国家战略性新兴产业发展规划》(以下简称"发展规划")"关键电子元器件自主保障能力明显提升"路线图决定性的一年。随着"发展规划"的实施,国家出台的鼓励政策陆续落实,半导体分立器件产业取得了很大成绩,它已在传统产业转型和技术升级、新型产业发展中发挥了巨大作用。今年,中国半导体行业协会半导体分立器件分会继往年会议安排,将于8月5日至8月7日在     

第八届中国半导体行业协会半导体分立器件分会年会暨2014’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会第二轮会议通知

正2014年是完成《"十二五"国家战略性新兴产业发展规划》(以下简称"发展规划")"关键电子元器件自主保障能力明显提升"路线图决定性的一年。随着"发展规划"的实施,国家出台的鼓励政策陆续落实,半导体分立器件产业取得了很大成绩,它已在传统产业转型和技术升级、新型产业发展中发挥了巨大作用。今年,中国半导体行业协会半导体分立器件分会继往年会议安排,将于8月5日至8月7日在山西省太原市召开"2014’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会",现将会议通知如下:     

第三代半导体材料的发展及应用

以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射、耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围都不能满足现代电子技术发展对高温、高频、高压以及抗辐射、能发射蓝光等提出的新要求。而以SiC、GaN、金刚石为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电     

第三代半导体材料的发展及应用

以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射、耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围都不能满足现代电子技术发展对高温、高频、高压以及抗辐射、能发射蓝光等提出的新要求。而以SiC、GaN、金刚石为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、良好的化学稳定性等独特的性能,使其在光电器件、高频大功率、高温电子器件等方面倍受青睐,被誉为发展前景十分广阔的第三代半导体材料。     

2006中国集成电路产业发展研讨会暨第九届中国半导体行业协会集成电路分会年会综合报道

由中国半导体行业协会主办，中国半导体行业协会集成电路分会、上海浦东新区张江高科技园区领导小组、江苏省半导体行业协会、上海市集成电路行业协会承办，上海张江（集团）有限公司、浙江省半导体行业协会、苏州市集成电路行业协会协办，深圳市亚科希信息顾问有限公司组办的“2006中国集成电路产业发展研讨会暨第九届中国半导体行业协会集成电路分会年会”于2006年11月23—24日在上海浦东张江龙东商务大酒店隆重召开。这是我国集成电路产业界群英荟萃的盛会。为国内外半导体产业界同仁褡建交流、联谊、互动、共赢的大舞台，是各会员单位，产业链朋友展现自我、广交朋友、切磋技艺、寻找市场、共谋发展的大平台。会议的目的为：加强交流合作、增进互信互利、推动产业创新发展。     

全国第九届红外加热暨红外医学发展研讨会征文通知

由中国光学学会红外光电器件专业委员会、中国光学光电子行业协会红外专业分会、中国电子学会量子电子学与光电子学分会、中国光学学会锦州分会、云南省光学学会、中国机械工程学会工业炉分会、中国电工