亚微米技术芯片用先进测试技术

进入新千年，微处理器最重要的两家供应商——Intel和IBM公司分别宣布采用0.13mmCMOS工艺生产时钟频率2GHz以上的芯片。Intel公司的CMOS器件栅极长度只有70nm和栅极氧化层厚度1.5nm，并且准备再缩小尺寸，将栅极长度减小到30nm，而栅极氧化层厚度变成0.6nm(此时相当于3个原子层)。预期2005～2010年，Intel在300mm硅圆片上制造出含有4亿晶体管的微处理器芯片，在工作电压1V下时钟频率达到10GHz。IBM公司的0.13mm SOI(硅绝缘体)工艺配合9层铜布线，2001年从实验开发中心转入制造阶段，生产时钟频率2GHz的高级微处理器，并且进一步…     

让您放心的选择--选择盒装 P4 CPU

Intel公司正式推出了“Pentium 4”微处理器。Pentium 4处理器是目前Intel公司技术最先进、功能最强大的CPU。它可以给予用户最强大的应用支持,这些应用包括网络广播、网络视频流,图片处理、视频剪辑、语音、3D、CSD、游戏、多媒体、多任务环境等。 Pentium 4基于“Net Burst微处理器体系结构”,采用0.18μm工艺的半导体技术制造,集成了4200万个晶体管;它的“超级流水线技术”(Hyper-pipelined technology)将流水线的深度     

世界第一个1μm~2的SRAM单元

<正> 据报道,Intel 公司研究人员研制成世界上最小的 SRAM 存储单元,仅有1μm~2。做成存储器芯片方阵的这些单元是全功能 SRAM 器件的部件,采用Intel 公司新一代90nm 工艺技术制作。这一成就成为实现2003年新生产工艺技术目标的里程碑。Intel 公司1μm~2 SRAM 单元为硅工艺技术建立了一个新的密度标准。这一结果使人们提前进入了生产微处理器和其它产品的90nm 工艺技术水平。Intel 公司研究人员制作了52Mb 的芯片,在面     

与Pentium一决高下 Cyrix推出M1——访Cyrix公司亚太区总裁Ron Jankov

在日前举行的国际电子信息技术展览会上,Cyrix公司亚太区总裁RonJankov先生宣布即将推出一种与x86系列微处理器兼容的新一代微处理器M_1这将使Intel公司在此一领域的霸主地位受到极大的威胁,尤其是为Pentium微处理器树立了一个强有力的竞争对手.Jankov先生指出,Intel开发Pentium用了4年时间,共制做了13代样片才获得成功,而Cyrix开发M_1只用了两年时间,制做了两个样片即大功告成.预计,M_1会早于Intel的P_6更早投放市场.     

纳米工艺技术进程

<正> 90nm工艺2003年世界进程 2002年Intel公司宣布,他们已经采用90nm工艺制造了测试芯片,获得了最小的晶体管,宽度只有50nm。Intel预计,它将在2003年下半年采用90nm制造工艺进行大规模量产。 与此同时,AMD也宣布,AMD将于明年下半年转换到90nm工艺上,采用此工艺的晶体管尺寸将小于50nm。     

千呼万唤Tualatin粉墨登场

虽然表面上Intel公司似乎处于到处挨打的局面,但是私底下Intel正在默默地研发一项新的微处理器生产技术,它就是0.13微米制作工艺的Pentium Ⅲ(以前的Pentium Ⅲ为0.18微米制作工艺),工作频率也以1.13GHz起跳。而这个新一代的Pentium Ⅲ核心版本代号,Intel公司将其命名为——Tualatin。     

Intel公司PC器件技术发展动态

美国Intel公司在Intel Developer Forum Spring2000会议上,宣称将要向接入Internet的所有电子产品提供关键性器件。这是Intel公司董事长Andrew S.Grove致开幕词的主旋律,标示着该公司的21世纪战略目标。Intel公司宣布1.5GHz时钟频率的x86微处理器(开发代号为Willamette),表演了(?)在进行标准化的USB2.0版本,并且还发表了硬磁盘驱动器HDD的I/O接口“serial ATA”。     

Intel投资强劲

由于微处理器市场的迅速扩大和它良好的经济效益。Intel公司1995年的销售额为138亿美元，比1994年增长37％。这是它在世界半导体厂商中第三次夺冠。为了保持它在行业中的竞争力，在新的一年中Intel公司投资强劲。Intel已宣布将在爱尔兰和以色列各建一条新的IC生产线Fab－14和Fab—18，以满足全球计算机工业增长对IC的需求。Fab—14总面积为69000m’，其中1级净化面积6900m’，总投资为15亿美元，产品为P。。t山mPro（奔腾）及以后的高级微处理器，预定在1998年建成。Fab—18是全球第一条Flash存贮器的专门生产线，总面积为9200Om’，…     

Mobile PentiumIII微处理器芯片

美国Ｉｎｔｅｌ公司在微处理器论坛(ＭｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｏｒＦｏｒｕｍ)上展示了电源为+０．９５Ｖ以下,３００ＭＨｚ工作的ＭｏｂｉｌｅＰｅｎｔｉｕｍＩＩＩ微处理器芯片。该产品包括芯片组在内的平均耗电量可以控制在１Ｗ以下。最大工作频率为５００ＭＨｚ,电源电压可低达+１．１Ｖ。Ｉｎｔｅｌ公司计划在２００１年采用此种技术制造出可以把工作电源电压降在+１Ｖ以下的ＭｏｂｉｌｅＰｅｎｔｉｕｍＩＩＩ微处理器芯片。Mobile PentiumIII微处理器芯片     

近阈值低功耗8位微处理器的设计与实现

随着RFID、可穿戴设备和物联网等应用的兴起,低吞吐率、功耗和能耗敏感的芯片设计开始受到广泛的关注,基于阈值电压的低功耗电路设计成为新的发展方向。文中基于SMIC0.13μm1P6M混合信号工艺,通过设计面向近阈值电压的标准逻辑库,在采用标准Top-Down设计流程的基础上,完成了一款近阈值低功耗8位微处理器的设计。封装后芯片的测试结果表明,该微处理器的最低工作电压可达0.2V,工作频率1k Hz~25MHz。与基于传统逻辑库的微处理器比,在20MHz的工作频率下,功耗降低了36%。     

永不停息的工作频率大战Pentium 41.7GHz破壳而出

微处理器的市场争夺战 自从去年微处理器高工作频率GHz争夺战开始,市场上的两大竞争对手AMD与Intel,无不积极于开发出更快、更稳定的微处理器产品.但是自从AMD研发出最新微处理器核心Thunderbird后,Intel微处理器"性能之王"的光辉似已不在.而AMD同样针对低档市场所推出的Duron系列微处理器,却也给Intel的低档微处理器Celeron带来了莫大的威胁.     

英特尔开发出瞄准“单片手机”的半导体制造技术

<正> 美国英特尔公司宣布,该公司开发出了将构成手机的LSI集成到单芯片中的半导体制造技术。“无须牺牲逻辑电路的工作频率及快闪EEPROM的集成度,便可以将两者集成在单芯片中”(英特尔公司Principal Engineer、CaliforniaTechnology＆Manufacturing Albert Fazio)。     

4Gbit动态存储器用的晶体管

为了实现21世纪高度信息化正在开发千兆比特存储器,预计到2005年4Gbit动态存储器(DRAM)产品化。实现4Gbit动态存储器的.关键技术是0.1μm的微细加工技术和0.1μm的微细器件技术。使用X射线蚀刻,试制尺寸0.12μm4Gbit DRAM用的阵列MOSFET.井确认了其工作。本文作为器件技术实现了门电路和间距为0.12μm。的元件区,及0.12μm的门电路之间的匹配接点.并实现0.12μm的晶体管。也证实了4Gbit动态存储的器单元晶体管的正常工作。     

事半功倍的MIPS架构

Intel近期宣布的两条消息应当引起微处理器用户的高度重视. 首先,Intel宣布将不再把时钟频率或者G赫兹作为微处理器的宣传重点.由于Intel的这整套营销战略已经基本上维持了十余年,因此这种转变需要我们详细审视.就Intel自身而言,人们可能认为这仅仅是该公司对已经陈旧的市场战略进行的一次转移而已.     

瑞萨科技开发IGHz可集成DSP

瑞萨科技公司（Renesas）宣布已开发出一种高速、低功耗、可集成DSP器件。该DSP采用了一种包括饱和预测器电路的新型饱和处理方法，以及可提高运行速度的分层结构布局技术。用于VLIW可合成DSP核的测试芯片已采用90nm CMOS工艺制造。该内核可在1．2V电源电压条件下实现1．047GHz的最高工作频率。     

Altera将采用Intel的14nm三栅极技术开发FPGA

不久前,Altera公司和Intel公司宣布,双方已经达成协议,未来将采用Intel的14nm三栅极晶体管技术制造AlteraFPGA。这些下一代产品主要面向军事、固网通信、云网络以及计算和存储应用等超高性能系统,将突破目前其他技术无法解决的性能和功效瓶颈问题。Altera的下一代产品除了已经     

4Gbit DRAM用的ArF准分子激光曝光技术

据日本《电子技术》1996年第8期报道，日本富士通公司为了1GbitDRAM的规模生产需要，开发了ArF准分子激光曝光技术，成功地形成了用于4GbitDRAM的0．13μm尺寸的图形。ArF准分子激光（波长193nm）因比原i线光学光刻（波长365nm）的波长短，所以必须同时开发新的光刻材料。该公司开发了环氧树脂类的单层胶（2MAdMA—MLMA）和超高分辨率技术。并结合移相掩模技术实现了最小线宽为0．12μm的图形。采用该技术适用于4GbitDRAM0．13μm尺寸的存储单元，单元尺寸为0．59μ×0．34μm，单元面积为0．20μm2。4Gbit DRAM用的ArF准分子…     

超紫外线光刻技术发展缓慢Intel目光转向反向光刻技术

由于超紫外线光刻技术（extreme ultraviolet，EUV）的发展迟缓，Intel透露正在开发一种可能将光学扫描仪扩展到22nm制造节点的可制造性设计。 Intel正在开发的这种计算光刻（computational lithography）是一种反向光刻技术。反向光刻、EUV和二次图形曝光技术是Intel正在为22nm制造节点进行评估的光刻技术。     

市场需要竞争竞争带来活力

1997年的个人计算机微处理器市场真是好戏连台,年初Intel宣布推出其MMX标准新“奔腾”系列,给个人计算机市场带来极大振动,掀起一场Intel风暴。时隔一月,AMD公司力推其兼备MMX技术的第六代AMD-K6~(TM)处理器型号有AMDK6/PR166,AMDK6/PR200,AMDK6/PR233。AMD公司试与Intel公司争夺高附加值的微处理器芯片市场。K6的推出是不是标志着又     

联想的首台Intel MMX笔记本电脑

1997年1月8日,在Intel公司刚刚向全球发布了基于MMX(多媒体扩展)技术的奔腾处理器——“多能奔腾处理器”芯片的当日,东芝公司即宣布推出两款基于该处理器的笔记本电脑:Tecra740CDT和Tecra730XCDT。 MMX技术是INTEL公司针对X86微处理器体系结构的