低膨胀钨酸锆（ZrW2O8）复合材料的研究现状

在宽温度范围内ZrW2O8都能保持较大各向同性的负膨胀系数,因而得到了广泛关注。本文介绍了ZrW2O8的基本性质、负膨胀机理和制备方法,重点介绍了近期复合材料的研究现状,ZrW2O8与Cu、Al、ZrO2及水泥复合得到低膨胀或近零膨胀材料。热错配应力及微结构对ZrW2O8复合材料性能的影响尚不明确,仍需实验及理论上的深入研究。     

近零膨胀ZrW2 O8/Al6013复合材料的制备与性能

介绍了模压浸渗复合法制备ZrW2Os/Al6013复合材料的工艺过程,并对该复合材料的组织和热膨胀性能进行了初步探讨.结果表明,复合材料中ZrW2O8与Al未发生界面反应,铝液均匀致密地分布在ZrW2O8颗粒间隙中,没有大面积聚结和偏析发生,最终得到致密度高、ZrW2Os体分比高、基体金属与ZrW2O8结合强度高、近零膨胀(热膨胀系数为3×10-6K-1)的ZrW2O8/Al6013复合材料.     

电子封装用高导热低膨胀Cu／ZrW2O8复合材料的制备工艺研究

本文采用反应烧结法研究负热低膨胀材料ZrW2O8的制备工艺，采用粉末冶金法复合制备电子封装用高导热低膨胀Cu／ZrW2O8复合材料。结果表明：通过上述工艺方法可以制备出性能良好、稳定的Cu／ZrW2O8复合材料，满足需求。     

Fe-Ni/ZrW2O8复合材料热膨胀性能研究

采用放电等离子脉冲烧结(SPS)方法制备了接近致密的Fe-Ni/ZrW2O8复合材料.当复合材料温度高于117℃,复合材料的γ-ZrW2o8转变为α-ZrW2O8,并发生显著的体积膨胀,降温过程中基体与ZrW2O8之间不断增加的热应力又使α-ZrW2O8变为γ-ZrW2O8.添加10%(体积)和25%%(体积)ZrW2...     

近零膨胀ZrW2O8/ZrO2(Al2O3)复合材料的制备与性能

采用分步固相法合成ZrW2O8粉体,并制备出ZrW2OB/ZrO2(Al2O3)复合材料.所制备的复合材料呈近零膨胀特性,其热膨胀系数为0.48×10-6K-1.Al2O3的添加,生成新相Al2(WO4)3,提高了复合材料的致密度,而对其近零膨胀影响不大.ZrW2O8,ZrO2复合材料的导热系数为1.42 W·(m·K)-1.体积电阻率测试结果表明,在200℃以下,复合材料呈良好的绝缘性能;在200℃以上,复合材料的体积电阻率随着温度的升高而降低.     

射频磁控溅射ZrW2O8薄膜的高温退火研究

采用ZrW2O8陶瓷靶材,以射频磁控溅射法在不同基片上沉积制备ZrW2O8薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪和扫描电子显微镜(SEM)研究靶材性能和退火温度、气氛以及基片对薄膜的相组成、表面形貌的影响.结果表明:ZrW2O8靶材具有较高的纯度和致密度,磁控溅射制备的薄膜为非晶态,在730℃左右通氧条件下退火后得到择优生长的ZrW2O8薄膜:在750℃左右退火得到三方相ZrW2O8薄膜;在1200℃密闭的条件下淬火得到立方相ZrW2O8薄膜;在15到700℃温度区间内,制备的立方相ZrW2O8薄膜负热膨胀系数为-14.47×10-6 K-1,随着退火温度的提高,薄膜出现一些孔洞和裂纹.     

烧结温度对固相法制备ZrW_2O_8的影响

以ZrO2和WO3为原料,采用固相法制备了负热膨胀材料ZrW2O8,研究了不同烧结温度时烧结样品中ZrW2O8的含量,从而发现ZrW2O8纯度随烧结温度变化的规律。     

负热膨胀材料ZrW2O8研究现状

ZrW2O8是由0.3 K至分解温度1050 K都具有各向同性的负热膨胀化合物,但由于其窄的热稳定范围反应合成相当困难.本文综述了该材料的负热膨胀特性及各种合成制备方法,简单介绍了其潜在的应用.     

水热法合成负热膨胀材料ZrW2O8

采用水热法在5OO℃的低温条件下成功地合成了具有负热膨胀系数的材料ZrW2O8．X射线衍射结果表明,当加入的盐酸溶液浓度CHCl≥6mol／L时,可用水热法合成出多晶前驱体ZrW2OT(OH)2(H2O)2．运用热重-差热分析法研究了前驱体ZrW2O7(OH)2(H2O)2和产物ZrW2O8的热稳定性,结果表明,前驱体在较低温度(500℃)下灼烧即可获得产物ZrW2O8．经X射线衍射和红外光谱分析证明,所获得的产物为单一立方相ZrW2O8．     

ZrO_2/ZrW_2O_8陶瓷复合材料制备工艺研究

ZrO_2是一种重要的结构和功能材料,其热膨胀系数与Zr W2O8的负膨胀系数绝对值相近,两者合理调配可以得到任意正、零、负膨胀的陶瓷基复合材料。以ZrO_2陶瓷为基体、Al2O3为烧结助剂,采用两条工艺路线制备ZrO_2/Zr W2O8陶瓷基复合材料:(1)以ZrO_2和Zr W2O8为原料,直接混合然后分别在1200℃和1215℃热压烧结制备复合材料;(2)以ZrO_2(过量)和WO3为原料,采用原位反应法分别在1200℃和1215℃合成负膨胀Zr W2O8陶瓷,然后在相同温度下热压烧结制备复合材料。重点研究不同制备工艺路线(直接混料法或原位反应法+热压烧结),以及在同一种制备方法下、不同热压烧结温度对低膨胀ZrO_2/Zr W2O8陶瓷基复合材料组织形貌、密度和Zr W2O8分解程度的影响。结果表明,无论采用哪种工艺路线,都能制备密度较高的ZrO_2/Zr W2O8陶瓷基复合材料。采用"原位反应+热压烧结法"制备复合材料的密度要高于"直接混料+热压烧结法"制备的复合材料;且Zr W2O8分解程度也较低。直接混料粉在1200℃热压3 h,或者在1215℃热压6 h,所得复合材料的密度约为5.20 g/cm3。