铝固体电解电容器电解质研究进展

综述了TCNQ及其复合盐的合成方法，TCNQ复合盐型铝固体电解电容器的制造工艺，以及铝固体电解电容器用电解质－－7，7，8，8－四氰基对苯二醌二甲烷（TCNQ）复合盐的研究进展。目前，高耐热TCNQ复合盐电解质已经研究成功。TCNQ复合盐型铝固体电解电容器已有引线式和片式两种类型。     

有机固体电解质铝电解电容器

本文介绍了采用有机导电化合物作为工作电解质的铝电解电容器。主要论述了有机半导体TCNQ复盐、导电聚合物聚吡咯（PPY）以及聚乙撑二氧噻吩（PEDT）在固体电解质铝电解电容器上的应用方法及其性能优点,以及有机固体电解质铝电解电容器的应用领域。     

离子／电子混合导体Cu_xMo_6S_（8－y）的性能研究

本文通过对工艺条件的控制，获得了铜系混合导体材料Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ７、７、Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ８．０及Ｃｕ４Ｍｏ６Ｓ８．０．ｘ射线衍射物相分析表明为Ｍｏ６Ｓ８结构的单相，并采用分析化学方法对其化学计量进行了分析，通过测试得到了三种混合导体的总电导率σ和离子电导率σｉ·当混合导体Ｃｕ２Ｍ０６Ｓ７、７与固体电解质Ｒｂ４Ｃｕ１６Ｉ７Ｃｌ１３复合后可改善其电化学性能，复合比为２：１时，总电导率σ和离子电导率σｉ可达７５（Ω·ｃｍ）－１和７×ｌ０－２（Ω·ｃｍ）－１。     

有机半导体铝固体电解电容器的最新进展——静电容量增大 等效串联电阻降低

铝电解电容器有电解液式和固体式两种，和前者相比，后者的温度特性特别优异，因此，目前应用非常广泛。固体式铝电解电容器又可以分为两种：一种采用二氧化锰作电解质；另一种采用有机半导体作电解质。尤其是采用有机半导体作电解质的铝电解电容器，凭借其优异的频率特性、温度特性及长寿命特性，在ＡＶ（音频／视频）设备、家用电器、信息及通信设备、办公设备等广泛的领域里，需求量正在飞跃地增长。其主要用途为，用作平滑电容器（在各种开关电源中）和去耦电容器（抑制电子电路中产生的种种噪声）。而在最近，随着工业设备及民用设备计…     

日本固体钽电解电容器

日本固体钽电解电容器王世可（天津市无线电元件二厂天津３００２０３）ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＳｏｌｉｄＴａｎｔａｌＥｌｅｃｌｒｏｌｙｔｉｃＣａｐａｃｉｔｏｒｏｆＪａｐａｎＷａｎｇＳｈｉｋｅ（ＴｉａｎｊｉｎＲａｄｉｏＣｏｍｐｏｎｅｎｔＦａｃｔｏｒｙＮｏ...     

激光二极管泵浦的固体激光新材料LaBGeO_5－Nd~（3＋）

激光二极管泵浦的固体激光新材料ＬａＢＧｅＯ＿５－Ｎｄ￣（３＋）１．ＬｎＢＧｅ２Ｏ４（Ｌｎ＝Ｌａ－Ｅｒ和Ｙ）在结构上分为两类。有较大Ｌｎ（Ｌａ－Ｐｒ）者具有ＣｅＢＳｉＯ５的非对称结构（Ｃ２３—Ｐ３１空间群），有较小Ｌｎ（Ｇｄ－Ｅｒ和Ｙ）者具有ＣａＢＳｉ...     

CA35型高温液体钽电解电容器电性能的研究

本文研究了几种去极化剂对ＣＡ３５型耐高温（１５５℃）液体钽电容器电性能的影响。１０００小时高温负荷实验结果表明，分别选用ＣｕＳｏ４．５Ｈ２Ｏ的ＶＯＳＯ４作为电容器的低压产品和高压产品的去极化剂可以显著提高其电性能，各项电参数均优于军用标准ＳＪ２０２０７－９２的水平。     

Cr：LiSAF可调谐激光器

Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ可调谐激光器可调谐固体激光器中Ｃｒ：ＬｉＳｒＡＩＦ６（Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ）具有很好的特性，具有较宽的可调谐范围，并可产生飞秒（１０－１５ｓ）级超短脉冲。由于这种晶体的产量已大大增加，所以用此晶体的固体可调谐激光器系列也可以生产了。这种晶...     

CSD－1－I－1型单通道彩色电视发射机薄膜电容器应急代换一例

ＣＳＤ－１－Ｉ－１型单通道彩色电视发射机薄膜电容器应急代换一例北京广播器材厂生产的ＣＳＤ－１－Ｉ－１型１ｋＷ单通道彩色电视发射机末级ＦＣ－７３２Ｆ板级隔直电容Ｃ＿６是一种特殊结构的薄膜电容器。使用过程中我们发现，当机器长时间满负荷工作时，此电容器容易...     

低损耗高温型R特性高压电容器瓷料的研制

采用Ｂｉ（３＋）、Ｐｂ（２＋）、Ｍｇ（２＋）与主晶相ＳｒＴｉＯ３固溶，并添加适量的Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３对ＳｒＴｉＯ３进行改性，研制出εｒ≥２２００，１ｋＨｚ时ｔｇδ≤０．１０×１０（－２），１０ｋＨｚ时ｔｇδ≤０．３０×１０（－２），－２５～＋８５℃｜△Ｃ／Ｃ｜≤１５％，Ｅｂ（ＤＣ）＞９Ｖ／μｍ，Ｒｉ＞１０（１２）Ω，耐高温（可达＋１２５℃），高频性能好的新型介质材料。该瓷料适合制作工作频率高、表面温升低的低损耗、耐高温的高压瓷介电容器。     

高频低阻抗片式固体电解电容器的进展

为降低片式固体电解电容器的等效串联电阻从而改善电容器阻抗－频率特性，国外采用了导电功能高分子材料聚吡咯作电解质，代替原用的ＭｎＯ２、有机半导体ＴＣＮＱ取得显著效果，国内已开展了导电聚吡咯的应用研究。     

OS电容器的技术背景与前景

采用有机半导体的ＯＳ铝固体电解电容器最近成为音响界的宠物。目前在日本生产的这种电容器公司有三洋、ＭＡＲＣＯＮ、东和三家。ＯＳ电容器的投产与应用虽然已有十年历史，但世界上介绍这种零件的文章却寥若晨星。因此，笔者在这里搜集了一些有关资料，向读者介绍一下ＯＳ电容器诞生的来龙去脉及其发展的前景。     

电解质对高温液体钽电容器电性能影响的研究

研究了２种去极化剂对高温液体钽电解电容器电性能的影响。１０００ ｈ高温负荷表明,分别选用 ＣｕＳＯ４·５Ｈ２Ｏ和ＶＯＳＯ４作为低压和高压电容器电解质中的去极化剂,可以显著提高其电性能。     

非固体电解质钽电容器阴极表面处理

采用银壳作为非固体电解质钽电容器负极,银壳的表面处理方式往往决定这个钽电容器的电性能参数,通过硫酸或氯铂酸表面处理,银壳的表面比电容可以达到(100～800)×10–6F/cm2,对提高非固体电解质钽电容器的可靠性至关重要。     

一种新型的PIP电容器的设想及其理论分析

提出了一种新型的电容器－－ＰＩＰ电容器，它是一种压控电容器，通过控制外加电压（Ｖ）可以控制其电容（Ｃ）的值。电容在Ｖ＝０附近出现峰值Ｃｍａｘ，且随着│Ｖ│的增加Ｃ总是减少的，这是一种新型的电子器件，可广泛地应用于各种电子系统。     

ATSC数字音频压缩标准(AC-3)(三)

ＡＴＳＣ数字音频压缩标准（ＡＣ－３）（三）＠严静兰ＡＴＳＣ数字音频压缩标准（ＡＣ－３）（三）严静兰乐译６对ＡＣ－３数码流解码６．１引言本标准的第５节说明ＡＣ－３数码流语法的细节。本节给出解码过程的概述，其图解如图６．１所示，其中自该页的中间向下采用一个方...     

三元硅化物(Co_xNi_(l-x))Si_2薄膜的制备及特性

在Ｓｉ（１００）衬底上用离子束溅射方法淀积Ｎｉ,Ｃｏ,Ｔｉ薄膜,形成Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ,Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ等结构,通过氮气中快速热退火反应生成三元硅化物（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２。用ＡＥＳ,ＸＲＤ,ＲＢＳ沟道谱,ＳＥＭ及四探针等方法对（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２薄膜的物理特性和电学特性进行了测试,在Ｓｉ衬底上Ｃｏ,Ｎｉ多层膜经快速热退火可形成高电导的（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２薄膜,其电阻率在１５～２０μΩ·ｃｍ之间。Ｃｏ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｓｉ（１００）多层结构固相反应可以得到外延（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２薄膜。（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２的晶格为ＣａＦ２立方结构,晶格常数介于ＣｏＳｉ２和ＮｉＳｉ２之间。通过热处理和选择腐蚀等工艺,可在有ＣＭＯＳ图形的衬底上形成自对准的三元硅化物源漏接触和栅极互连图形。     

CS2,SO2对亚稳态CO（a）的猝灭及化学发光

本文利用流动余辉技术测定了ＣＳ２、ＳＯ２对亚稳态分子ＣＯ（ａ）的电子态猝灭速率常数，实验中观察到ＣＳ２、ＳＯ２对ＣＯ（ａ）的猝灭产物ＣＳ（Ａ，ａ－Ｘ）、ＣＳ＾＋２（Ａ－Ｘ），ＳＯ（Ａ－Ｘ）的化学发光，讨论了猝灭和产物的形成机理测量得了产物的形成速率常数，获得了产物初生振动布居的信息，并用统计模型对态布居进行了分析。     

TMS320C80 DSP在HDTV信源解码器中的应用

本文讨论了采用ＴＭＳ３２０Ｃ８０民高清晰度电视信源解码器的解复用器和视频显示缓存器的原理、性能及实现与信源解码器的调试和部分测试功能的原理与实现。该单元电路符合ＭＰＥＧ－２系统标准（ＩＳＯ／ＩＥＣ １３８１８－１）和视频标准（ＩＳＯ／ＩＥＣ １３８１８－２）。     

应用聚吡咯电解质的固体钽电解电容器

叙述了聚吡咯电解质的制备过程,并比较了该电解质较传统电解质的特点,分析了聚吡咯电解质固体钽电解电容器的性能特征。应用PPy-DEHS(2-(2-乙基己基)硫代丁二酸钠盐掺杂聚吡咯,溶剂为三氟乙酸)电解质装配的固体钽电解电容器具有较高的电容量和较低的损耗。在掺杂聚吡咯中加入表面活性剂和偶联剂可以增加电容器容量,降低其损耗。