海力士研发出40纳米级存储器芯片

南韩海力士半导体公司（Hynix Semiconductor）日前宣布,已使用最细微技术研发出全球密度最高存储器芯片。海力士这种崭新的“DDR3DRAM”（DDR3动态随机存取存储器）芯片采用的技术能让互联线相距仅40纳米,细微度是目前产品的1／5。     

海力士发表40纳米制程绘图芯片DRAM

韩国存储器厂海力士于近日发表40纳米制程2GbGDDR5绘图芯片DRAM,工作频宽为7Gbps,32位I／O信道,数据处理速率每秒28GB／s,电压为1．35V。新推出的GDDR5绘图DRAM采用海力士40纳米制程制造,体积小,功耗比50纳米制程产品下降20％。海力士预计在2010年下半开始量产新款GDDR5DRAM。     

迈向纳米级芯片技术的IMEC研发——先进封装技术部分

近期、芯片制造工艺发展到了纳米时代(栅极宽度<100nm),IM E C发起并联合了全球七家主要半导体芯片制造商和几乎所有主要设备制造商,在刚建立起来的φ300m m硅片尺寸工艺中试线上,共同展开了45nm和32nm的芯片制造工艺的研究工作。虽然芯片封装技术也在快速发展,但其速度赶不上芯片制造工艺的迅猛发展。在先进的芯片制造技术和最新的PCB技术之间所谓的“互连技术壕沟”在不断扩大。而且,不断增加的工作频率,以及由于集成电路复杂程度提高而导致I O管脚的增加,都要求封装技术产生重大的技术变革,以保证在将纳米级的芯片与毫米级的系统相连…     

45纳米芯片谁还能玩得起？

半导体工艺技术演进的列车行至45纳米这一站时，突然停顿了下来。当然不是说技术不再进步，而是列车上的很多半导体厂商看到了前面的困难和风险，他们需要下车调整一下，重新出发，有的厂商则干脆跳了下来。[第一段]     

韩国开发出新技术芯片工艺有望达到5纳米

9月4日消息，韩国一个科学家小组最近表示，他们开发出了一种新技术，为替代目前以硅为基础的半导体产品开辟了道路。     

中国首款自主研发的传感器芯片诞生

据报道．上海一家由海归人员创立的、研发微机电系统（MEMS）陀螺仪的芯片企业——深迪半导体公司最近宣布．中国第一款具有自主知识产权的商用MEMS陀螺仪——“动芯”诞生,这是国内第一个手机传感器芯片．将改变我国手机MEMS陀螺仪完全从国外进口的历史。而且．该公司有望于2010年进行融资、量产．并于2012年登陆国内创业板市场。     

如何实现纳米级芯片设计的时序收敛

在当今的深亚微米设计中，随着几何尺寸的缩小和密度的增加，时序收敛成为设计人员最为头痛的问题之一。针对0．13微米及以下的工艺，来自互连负载的延时所占的比例显著增加。另外，串扰信号(crosstaIk)通过耦合电容对时序也会产生影响。同时，压降(IR drop)对时序的影响也不容忽视。     

Intel研发革命性激光芯片技术

Intel公司和加州大学圣巴巴拉分校的研究人员联合宣布一项震撼性的科研成果，他们研发出了可以产生激光束的硅芯片。这项成果可能将改变芯片间原有的导线连接模式为激光连接，跨越计算机设计中的最大瓶颈。     

Cadence宣布业内首个DDR4 Design IP解决方案在28纳米级芯片上得到验证

Cadence公司日前宣布,Cadence DDR4S DRAM PHY和存储控制器Design IP的首批产品在TSMC的28HPM和28HP技术工艺上通过硅验证。为了扩大在动态随机存取存储器(DRAM)接口IP技术上的领先地位,Cadence在DDR4标准高级草案的基础上,承担并定制了多款28纳米级晶片DDR PHY和控制器的IP。     

力晶与瑞萨合作90纳米驱动芯片量产

内存厂商力晶受到标准型DRAM占营收比重不断降低影响，11月营收20．26亿元，创下2009年7月以来新低。尽管营收表现不佳，不过力晶正式宣布，宣布与日本瑞萨合作之90纳米LCD驱动芯片高压制程进入量产，持续朝转型之路迈进。     

全球首颗40纳米3D电视机顶盒芯片诞生

中国台湾国立台湾大学与TSMC 16日共同发表产学合作成果,成功研发出全球第一颗以40纳米制程制作的自由视角3D电视机顶盒芯片,可望较现行技术提供更精致、多元的视讯影像体验。此项成果为视讯处理及半导体制程技术在3D领域的重大突破,该芯片也将在二月下旬于国际固态电路研讨会上(ISS-     

二季度台积电将推出40纳米芯片产品

全球第一大代工芯片制造商台积电宣布,预期将在今年第二季度首次采用最先进的40纳米工艺制造芯片。台积电表示,新的40纳米制造技术的芯片闸密度是65纳米的2．35倍,40纳米低能耗制造技术比45纳米制造技术的能量消耗可以减少15％。     

AMD公布2011年前芯片研发路线

AMD公司在日本召开的一次会议中，透露了公司2011年前的研发路线。一家日本网站放出了详细的产品开发线路图，这其中不仅包括CPU，还有GPU、集成显示芯片、芯片组和AMD的整个平台。公司在2009年的产品，ATI 7xx系列（即HD4000）被列入40纳米制程，但实际上HD4000大部分都是55纳米工艺，只有RV740是个例外。     

华芯：DRAM芯片与USB3．0主控芯片两大产品推动内存芯片国产化进程

华芯半导体公司是中国领先的存储器芯片设计研发和高端集成电路芯片封装测试企业。公司总部位于济南,下设西安华芯半导体有限公司（存储器研发中心1、SoC研发中心、山东华芯微电子科技有限公司（封装测试事业部）,并在硅谷、慕尼黑和香港设立合作研发中心。2009年5月,华芯半导体成功收购德国奇梦达中国研发中心,自主研制大容量动态随机存储器（DRAM）芯片并成功量产销售;2011年公司研发出USB3．0超高速存储控制SoC芯片;同年,公司在济南建成高端集成电路封装测试生产线。     

东芝与海力士半导体合作研发MRAM内存技术

东芝近日宣布与韩国海力士半导体（Hynix）合作研发磁电阻式随机存取内存（MRAM）技术，今后将在韩国利川的海力士研究设施中集结双方技术人才，积极推动此合作计划。