半导体技术

rN3 95050359一种评估旋转式机械设备工况的方法/赖凡(电子部24助11微电子学一1995,25(3)一礴。一43 用数据采集系统采集旋转式机械设备旋转构件上所选测点的振动位移,并计算出该振动参数基本统计特性的数值,就可以应用文中提出的判断不等式对设备工况进行初步评估.图6表1参5(文)GaAs一A1们Gao:As调制掺杂异质结构界面的光激发过剩电子浓度,作了10一,一103秒时间范围的瞬变测量.图2参12(文)TN301 95050360GaAs/AIGaAs二堆电子气(2 DEG)散射机理研究/杨斌,陈涌海,王占国,梁基本,廖奇为,林兰英(中国科学院半导体所)lI半导体学报一1995…     

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TN301 00010455半导体组子点的形状对受限激子的影响/罗莹,王若祯,马本kun(北京师范大学),,物理学报.一1999,48(7).一1320一1326在有效质量近似范围内,采用有限深势阱模型,考虑介电受限、计入表面极化效应的情况下,研究了球形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响.结果表明量子点的形状效应不可忽略.图2参10(午)的结果.图7参3(木)TN301.4 00010456PN结压变电容特性的应用研究/成立(江苏理工大学)11半导体杂志.一1999,24(1).一8一13首先提出了PN结压变电容特性表达式,并绘制出其实验曲线,然后导出了PN结结电容的几个近似计算式,最…     

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TN301 95060484超晶格共振R.二朋谱F.。线形的理论和实验研究/潘少华,陈正豪,金奎娟,黄绮,赵铁男,刘竞青(中国科学院物理所)11科学通报一1995,40(l2)一1090~1092 半导体超晶格具有人工‘剪裁,能带的功能,因此通过对材料和结构参数的适当设计,可使导带的子带内电子共振Raman跃迁的能量连续统与Raman声子能量相重叠,不难观察到由Fan。干涉而导致的Raman谱非对称线形.文章报道了有关理论与实验.图1参5浦)的光调制反射谱(PR)和热调制反射谱(TR)进行了实验研究.对PR结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁,并与理论计算结果作了比…     

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TN3 2004040283垂直沟道器件的研究与进展/刘金华,黄如,张兴,周发龙(北京大学)]]功能材料与器件学报.一2003,9(3)一362一368介绍了垂直沟道器件的常见结构和工艺,分析了垂直沟道器件的最新进展以及垂直沟道器件制作工艺中的最新技术,详细讨论了垂直沟道器件的性能,并分析了垂直沟道器件的优点以及存在的问题.图10参14(刚)TN304,TB43 20040402845 n02:pt薄膜和Sn02/Sn02:Pt双层膜气敏响应的次方因子/刘文利,李蕾,高建华,刘东红(山东大学)11山东工业大学学报.一2004,34(1)一115一119用粉末溅射方法制备了体掺杂型SnOZ:Pt薄膜和表面层掺…     

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O47 2007010615Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响/唐宁,沈波,王茂俊,杨志坚,徐科,张国义,桂永胜,朱博(北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室)//半导体学报.―2006,27(2).―235～238.在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率。图3表0参5     

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TN301 2003060364形变超晶格的位错模型与粒子的退道效应/罗诗裕,周小方,林钧锋,马如康,邵明珠(漳州师范学院)I)半导体学报.一2003,24(5).一485一489引入位错模型讨论粒子的退道效应.把超晶格的沟道偏折等效为位错引起的沟道弯曲,并对刃型位错的退道行为作了具体分析.利用正弦平方势,把粒子运动方程化为具有外力矩的摆方程,用能量法分析了系统的相平面特征,导出了系统的退道系数.图1参9(木)有序度得到了较大的改善,并具有.刁、的深隙态密度;薄膜中存在的纳米尺寸的微晶颗粒,提供了光生载流子的复合通道,在非晶母体中的电子空穴对可以转移…     

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TN3夕4050517新型的501技术/张佐兰(东南大学)11半导体技术.一1994,(3)一16一20 较全面地介绍了SDB/501技术,其中包括热健合机理和工艺、硅片减薄技术的机理和工艺以及501材料的质量检测和分析.图9表2参6(文)姜山,张家明,沈学础(中国科学院上海技术物理所)//红外与毫米波学报‘一1994,13(3)一186~290 首次报道了在n一VI族(Cd,M司Te量子阱体系中的多体费密边奇异现象(FES现象),结果表明在(Cd,Mn) Te体系中FES效应比111一V族中强得多.图4参9(文)TN301 94050518分形电极/电解液界面阻抗谱的恒相角特征/王永宾,袁仁宽,袁宏,陈忠辉(南京…     

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1,N3,TN4 96040311超导/半导兼容技术在微电子技术中的应用/刘融,钱文生,魏同立(东南大学微电子中心)l/低温与超导.一1996.24(l)一8~13 该文针对VLsl系统集成度提高后产生的一些问题,提出了将超导/半导兼容技术应用于微电子技术中,并对超导/半导兼容材料的制作以及超导/半导兼容技术,包括超导引线、超导/半导兼容器件与IC、超导/半导混合IC进行了讨论.图3参11(木)主体原子键长而变化的晶格驰豫效应,并将GaP等掺杂半导体的计算结果与实验数据及其它理论的计算值作了比较.表3参12(木)TN3 960403120:/si(1oo)非重构表面LEPS相互作用势模…     

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1,N3 98010470近年世界半导体设备市场分析/翁寿松(中国华晶电子集团公司)11半导体杂志一1997,22(3)一31~34 介绍了1993~2000年世界半导体市场、世界半导体设备投资及世界半导体设备市场,后者包括光刻机、蚀刻设备、离子注人机、CMP设备和测试设备市场.表2参14(木)TN301,TN304.     

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TN301 94040456产生区宽度W:一w一省wf中参数考的估计/丁扣宝,张秀森(杭州大学电不工程系)刀半导休技术.一IQ94,(2)一49一50 产生参数的测量是半导休材料和器件工艺质量检验的重要内容,产生区宽度的Picrret模型形式简单,但其含有一待定参数,文巾主要是研究这一参数的估计方汰,参3‘文)至1仍℃经受负电压作用lms至1005时效处理后的不稳定性,另外借助于低温和短脉冲电压时问,研究了光照对MOS结构负偏压温度不稳定性测量的影响,图4表2参19(文)丁矛硕301 94040457夕辐照的半绝级C:A公C;的电子顺磁共振研究/傅济时、朱美拣,魏恨栓,张任华,王…     

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TN3 2005010363静压下2 ns:Te中Te等电子馅阱的发光/方再利,苏付海,马宝珊,丁现,韩和相,李国华,苏萌强,葛惟馄(中国科学院半导体所))I红外与毫米波学报.一2 004,23(1)一38一42研究了4块znS:Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1均的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Tel和TeZ等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自TeZ等电子陷阱的发光.作者还研究了这些发光峰在低温1 SK下的流体静压压力行为.观察到与Tel有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与TeZ有关的发光峰压力系…     

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TN3 2005030242 石英和BK7玻璃的离子柬刻蚀特性研究/王旭迪,刘颖,徐向东,洪义麟,付绍军(中国科技大学)//真空科学与技术学报.-2004,24(5 ).-397-400 石英和BK7玻璃是常用的光学材料和微系统材料.用Ar作为工作气体对石英和BK7玻璃及其掩模材料AZ1350的离子束刻蚀特性进行了研究,分析了离子能量,离子束流密度和离子束入射角等几种因素对刻蚀速率和选择比的影响,结合相关理论得到了相应的刻蚀速率拟合方程.AFM测量结果表明刻蚀工艺对材料的低损伤.由于与光刻胶的刻蚀选择比较低,随着石英和BK7玻璃刻蚀深度的增加,图形转移精度下降.因此提高刻蚀选择比是获得高分辨率图形的前提.图8表2参11(刚)     

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TN3O4 200402()理(〕2碳纳米管阵列式生长的工艺研究/周泽华,曹东,曾效舒(南昌大学)11南昌大学学报(工科版).一2003 25(3).22一24对阵列式碳纳米管的生产进行r探讨,得到了一种制备阵列式碳纳米管的简捷有效的方法适宜的反应温度在反应温度、反应时间、原料气流速等诸参量中对碳纳米管的形态、产率影响录大。该义采用化学气相沉积法,在一系列实验中改变反应温度,得到了不同温度对反应产物管径、管壁、管型质量的影啊,给出r工艺参数和可靠反应温度区问。图6参4(木)验证图3表1参5(木)TN3042()〔)4()204()3应变Si:一.:Ge:材料掺杂浓度的表征…