聚酰亚胺结构对聚酰亚胺银复合薄膜的反射和导电性能的影响

以原位一步法制备了具有反射和导电特性的聚酰亚胺银(P I/A g)膜,采用在分子结构中均含有羰基基团的二酐和二胺合成了聚酰胺酸(PAA)后,同时加入银盐溶液,经高温环化缩合形成具有反射和导电特性的P I/A g膜。通过对不同结构的P I/A g膜的反光特性和导电特性的对比研究认为,链段柔顺性相对较好的聚酰亚胺结构有利于银粒子向薄膜表面迁出。     

聚酰亚胺/ 银复合膜的制备及其亚微相态与性能研究

以3 , 3’- 4 , 4’- 二苯甲酮四甲酸二酐(BTDA) 、4 , 4’- 二胺基二苯醚(ODA) 和三氟乙酰丙酮银(AgTFA) 为主要原料, 采用原位一步自金属化法制备了银含量为9 %～15 %的聚酰亚胺( PI) / 银(Ag) 复合膜, 探讨了影响薄膜性能的各种因素, 得到了同时具有高导电(表面电阻～1Ω) 、高反射率(绝对反射率为65.3 %) 的PI/ Ag 薄膜。并通过透射电镜( TEM) 研究了薄膜热处理过程与亚微相态之间的关系, 定量探讨了反射率与固化时间之间的动力学方程。      

聚酰亚胺/银复合薄膜的制备及银粒子迁移的动力学研究

以对苯甲酮四甲酸二酐(BTDA)、4,4’-二胺基二苯醚(4,4-’ODA)和1,1,1-三氟-2,4-戊二酮银(AgTFA)为主要原料,采用原位一步自金属化法制备了银含量在9%~15%之间的聚酰亚胺(PI)/银(Ag)复合薄膜,探讨了影响PI/Ag薄膜性能的各因素,得到了同时具有高导电(表面电阻在1Ω左右)、高反射率(绝对反射率76.30%)的PI/Ag薄膜,首次初步定量探讨了反射率与银含量、固化时间之间的动力学方程。     

蒙脱土/聚酰亚胺纳米复合薄膜的制备

以均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4'-二氨基二苯醚(DAPE)为主要原料合成的聚酰亚胺(PI)为基体,以有机化处理蒙脱土(MMT)为无机相,成功地制备了MMT/聚酰亚胺纳米复合薄膜。用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和差示扫描量热分析(DSC)对薄膜微相形态结构进行了分析测试。结果表明,加入适量MMT可制得MMT片层分散尺寸达到纳米级(1~2 nm)的MMT/PI复合薄膜。有趣的是,MMT/PI薄膜中显示出了一定程度的取向行为。     

表面改性及原位还原法制备聚酰亚胺/镍纳米复合薄膜

通过对均苯四甲酸二酐-4,4’-二胺基二苯醚(PMDA-4,4’-ODA)型聚酰亚胺(PI)成品薄膜的表层水解处理、并在硫酸镍水溶液中实施离子交换以及随后的乙二醇热还原的方法,制备了聚酰亚胺/镍纳米复合薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR),透射电子显微镜(TEM)等方法研究了复合薄膜结构的变化,结果表明,经乙二醇热还原后,水解后的聚酰亚胺表层又重新形成亚胺环结构,并在其内部形成了均匀分散的具有面心立方晶型(FCC)的金属镍粒子,直径约为100 nm~200 nm。     

聚酰亚胺/二氧化钛纳米复合薄膜制备与耐电晕性

采用原位聚合法制备不同TiO₂组分聚酰亚胺(PI)/纳米TiO₂复合薄膜, 薄膜厚度50μm。 测试结果表明, TiO₂呈球状颗粒, 直径约为100 nm, 聚酰亚胺呈片状, 尺寸约为2μm×1μm。随着TiO₂含量的增加, 复合薄膜介电常数和介电损耗增大, 击穿场强先增加后降低; 在40 kV/mm电场强度下, 复合薄膜耐电晕老化寿命增加, 纯PI薄膜寿命为3 h, 20wt%TiO₂含量薄膜寿命达到25 h; TiO₂颗粒耐电晕能力强, 与聚合物形成界面相, 改变材料陷阱能级, 有利于空间电荷的扩散和热量的传输, 在薄膜表面形成放电阻挡层, 降低局部放电对薄膜内部的侵蚀, 显著提高薄膜耐电晕老化寿命。     

氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜的制备及阻水性能

以石墨粉为原料,采用改进的Hummers法制备氧化石墨烯（GO）,采用原位聚合法制备GO/聚酰亚胺酸（PAA）前驱体,GO/PAA前驱体经高温固化处理后得到GO/聚酰亚胺（PI）复合薄膜;采用XRD、Raman、FTIR、AFM等表征手段对GO的结构进行表征;此外,研究了不同固化温度下PI薄膜的结构;最后测试了GO/PI复合薄膜的透湿率和力学性能。结果表明:GO为单层结构,厚度为1.26 nm。GO/PI复合薄膜表现出良好的阻水性能,当GO/PI复合薄膜中GO的添加量为0.025wt%、薄膜厚度为50 μm时,GO/PI复合薄膜的透湿率低至56.7 g（m2·d）-1。此外,0.025wt% GO/PI复合薄膜拉伸强度和断裂伸长率分别为150.8 MPa和13.5%,与PI薄膜（分别为126.9 MPa和8.1%）相比,分别增加了18.8%和66.7%。      

离子交换法制备聚酰亚胺/氧化铝复合薄膜及性能研究

采用离子交换技术以氯化铝溶液为铝源制备出了上下两个表层含氧化铝的聚酰亚胺/氧化铝(PI/Al2O3)复合薄膜。对制备的复合薄膜的形貌、力学性能、热性能和电性能进行了表征和测试,并与纯PI薄膜进行了对比。扫描电镜(SEM)结果显示复合薄膜表面无可见粒子,能谱(EDS)显示复合薄膜表面含有Al元素;力学测试结果显示复合薄膜基本上维持了纯膜优越的力学性能;热失重(TG)表明复合薄膜比纯膜有更好的热稳定性;击穿场强测试结果表明复合薄膜击穿场强由原纯膜的291kV/mm提高到了303kV/mm;耐电晕测试结果表明复合薄膜的耐电晕时间由原纯膜的8min提高到了53min,比原纯膜有了很大提升。     

低膨胀聚酰亚胺复合薄膜的制备及应用研究进展

聚酰亚胺（PI）作为一种高性能的功能材料已被广泛应用，但其高的热膨胀系数限制了它在高温和精密状态下的使用，通过添加陶瓷等无机材料制成复合薄膜可有效降低其热膨胀系数。介绍了国内外低膨胀聚酰亚胺复合薄膜的制备和应用研究的最新进展，指出了低膨胀PI合成、改性及应用研究的总趋势。     

原位聚合制备羧酸化多壁碳纳米管/聚酰亚胺纳米复合薄膜

以微波辅助液相氧化法制备羧酸化多壁碳纳米管,并以4,4’-二氨基二苯醚(ODA)、羧酸化多壁碳纳米管(MWNTs-COOH)与均苯四甲酸二酐(PMDA)为原料,原位聚合制备羧酸化多壁碳纳米管/聚酰亚胺纳米(PI/MWNTs-COOH)复合薄膜.通过拉曼光谱(Raman)、透射电镜(TEM),傅里叶红外光谱(FT-IR)...     

聚酰亚胺/纳米Al_2O_3三层复合薄膜的制备

将掺杂纳米Al2O3的聚酰胺酸与未掺杂聚酰胺酸在玻璃板上逐层涂膜,热亚胺化制备了3层聚酰亚胺/纳米Al2O3复合薄膜.采用扫描电镜(SEM)对该薄膜的微观形貌进行了表征,测试了薄膜的热稳定性、力学性能及电击穿场强.结果表明,复合薄膜的热性能及电击穿场强均高于掺杂薄膜及未掺杂膜,当热失重达到10%时,复合薄膜的热分解温度达到了629.1℃;与掺杂薄膜相比,复合薄膜的力学性能得到明显提高,拉伸强度和断裂伸长率分别为117.4 MPa和18.5%.     

纳米钛酸钡掺杂聚酰亚胺基高介电复合薄膜的制备及性能

采用原位聚合法和高速砂磨法制备了纳米钛酸钡/聚酰亚胺高介电常数复合薄膜,分析了不同制备方法及钛酸钡粉体用量对复合薄膜结构和性能的影响。实验结果表明,高速砂磨法对于纳米钛酸钡粉体的分散效果优于原位分散法;钛酸钡粉体的引入,有效提高了复合薄膜的热稳定性和介电性能。当粉体的体积分数达到50%时,复合薄膜介电常数相较于纯膜提高了10倍,而介电损耗只有少量增加。     

耐电晕聚酰亚胺薄膜制备方法及性能研究

目前,多采用无机纳米材料复合杂化的方法制备耐电晕聚酰亚胺薄膜。首先,该文对实验室制膜方法进行研究,对现有的一般形式的制膜方法进行优化。其次,通过原位聚合法在实验室内制备耐电晕聚酰亚胺薄膜,原位聚合法中重点研究了纳米AL₂O₃、表面改性纳米AL₂O₃、AL₂O₃和层状硅酸盐分别与聚酰胺酸的复合成膜及亚胺化成型。通过傅里叶红外光谱(FIR)、热失重分析仪(TGA)、热机械分析仪(TMA)、扫描电子显微镜(SEM)、万能拉力试验机、宽频介电谱分析仪、电压击穿测试仪以及高频脉冲耐电晕实验仪等设备对其分子结构、热力学性能、力学性能以及电学性能等进行表征,分析了不同方法制备的耐电晕聚酰亚胺薄膜的特性和作用原理。     

聚酰亚胺/氧化硅-氧化铝杂化薄膜的制备

利用溶胶-凝胶法制备了一种新型的聚酰亚胺杂化材料,并采用红外光谱和扫描电镜表征了杂化材料的化学结构和微观相结构以及分析了薄膜的成分及其含量。     

SiO2/聚酰亚胺/SiO2复合薄膜绝缘性能及基于聚酰亚胺复合薄膜的后栅型场致发射性能的研究

使用射频磁控溅射和化学溶液法制备了SiO2/聚酰亚胺(PI)/SiO2绝缘膜。分别使用X射线衍射、扫描电镜对薄膜结构和薄膜表面形貌进行了表征;利用超高阻微电流测试仪测试了SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜漏电流和电压击穿特性;采用SiO2/PI/SiO2作为绝缘膜,制作了后栅型场致发射器件,使用场发射测试系统测试了器件的开启电压、发射电流以及发光亮度。结果表明:SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜具有高的击穿电压和低的漏电流密度,后栅器件中栅极对阴极表面的电场强度调控作用明显,阳极电压为750V时,栅极开启电压为91 V,阳极电流可达384μA,栅极漏电流仅为59μA,器件最高亮度可达600 cd/m2。     

石墨烯/聚酰亚胺复合材料的制备与性能

以对苯二胺(PDA)和联苯四甲酸二酐(BPDA)为单体,合成了聚酰亚胺前驱体——聚酰胺酸溶液。采用溶液共混法将氧化石墨烯与聚酰胺酸复合,经制膜和热酰亚胺化反应制备了石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜。用红外光谱(FT-IR)、拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对复合材料的结构和形态进行了分析。发现被还原的氧化石墨烯已经充分剥离并均匀分散在聚酰亚胺基体中,且与基体树脂结合紧密。力学性能测试表明,石墨烯的加入明显改善了聚酰亚胺的拉伸强度,当石墨烯含量为2%时,复合材料的拉伸强度提高了53%。热失重分析发现,复合薄膜的热稳定性也得到明显改善,相对于纯的聚酰亚胺,添加2%石墨烯的复合材料其热降解温度提高了10℃。     

银纳米线薄膜化学焊接工艺

目的为解决银纳米线(AgNWs)薄膜应用中存在较高节点电阻的问题,在不改变AgNWs薄膜透过率的条件下,利用卤化盐对AgNWs薄膜进行化学焊接,以降低AgNWs薄膜的表面方阻,并提高AgNWs薄膜的耐弯折性能。方法通过化学焊接方式对AgNWs薄膜进行改性处理,分析AgNWs薄膜化学焊接工艺的相关参数。如化学焊接试剂的选择,盐浴时间的优化,以及AgNWs墨水添加不同比例的PVA对其薄膜化学焊接效果的影响。结果研究得到最佳AgNWs薄膜化学焊接工艺,在AgNWs墨水中添加2份PVA,摇匀后涂布成膜,将AgNWs薄膜在质量分数为10%的NaCl溶液中浸泡60 s,用纯水反复清洗3次,每次10 s,之后用氮气吹干。化学焊接后,AgNWs薄膜的方阻下降了35.1%,方阻均匀性为9.0%。结论AgNWs薄膜经过化学焊接后,薄膜方阻和均匀性得到优化,光学性能保持不变,且外观良好,为其在柔性显示和电磁屏蔽领域应用奠定了技术基础。