沉积静电效应及防护研究

简述了沉积静电的形成机理;介绍了沉积静电的3种放电形式：跳火花和电弧、表面流光放电、电晕放电;具体讨论了沉积静电放电效应;通过对无沉积静电、轻度沉积静电、严重沉积静电三种条件下电磁场天线接收信号的分析,研究了沉积静电对导航系统的影响;针对沉积静电的危害,从沉积静电防护的目标和具体的防护措施两方面讨论了沉积静电的防护对策。     

电子产品中静电防护问题研究

本文介绍了静电起电、静电放电(ESD)的机理及静电放电的危害,进一步阐述了人体感知静电和产品潜在损伤等问题及其产生的原因.针对静电积聚、静电敏感度和静电耦合能量等产生静电放电的前提条件,按照抑制起电、控制积聚的防护原则,提出了减少静电放电危害,提高电子产品可靠性的具体措施,在设计阶段对产品进行ESD防护网络设计,在生产...     

第二代居民身份证制卡工艺静电测量及防护

在第二代居民身份证的制卡制证过程中,静电放电（ESD）现象比较严重,成为主要的失效原因之一.在仔细测量的基础上,给出了整个制卡过程中生产环境的静电电压测量值.这些测量数据,对进一步分析制卡层压工序ESD现象,以及身份证模块ESD指标的确定具有重要的意义.并提出了相应的静电防护措施.     

ESD的防护策略

通过对现行的一些ESD防护方案的分析,发现了它们的缺陷：对电气应力与静电放电区分不清,系统未能有效地识别：提出了确立防护方案的基本条件：明确系统的防护等级,遵从各类标准的性能指标要求,实施ESD管理.并结合生产的实际情况,从防护等级的确立、数据的获取、装置的监控、防护措施的确定以及防护方案的实施,讨论了工业生产中的ESD防护;从包装材料的筛选、包装的检查、包装标注和测试,分析了ESD防护包装的具体实现;从工作面、工作间的测试和接地的有效搭接,研究了ESD的防护与控制策略.     

静电及其防护

静止的电荷有了接地通路时产生静电放电（ESD），在人类的日常生活中这种现象是不可避免地存在的。集成电路技术的发展使电子产品更加小型化和结构复杂性，更易受ESD的攻击，电子制造商每年都因此造成很大的损失。按照防护ESD的五项原则积极防护是电子制造商降低，生产成本，提高产品质量，赢得用户信誉的必由之路。     

电子设备静电放电危害及防护技术研究

随着科学技术的进步,电器和电子设备广泛运用到人们的日常生产和生活中,静电造成的危害已受到世界各国的高度重视。文章对电子设备静电放电危害及防护技术进行了研究,希望能对人们日常用电防护提供部分对策。     

通信领域静电防护初探

近年来随着信息通信的快速发展,静电放电产生的危害在通信设备的生产、封装运输、布置安装,以及信号的发射、传输、接收、信息处理等阶段无处不在,造成的影响有元器件损坏、吸附灰尘影响散热、信号丢失等。通过对静电的认识、影响、防护的探究分析,希望可以提出更好的措施来防护和降低静电带来的危害。     

静电放电(ESD)在电子装联中的危害及防护

通过对静电及静电放电(ESD)的简单介绍,提出了在电子装联中进行静电防护的必要性和基本思路.     

电装车间的静电危害及静电防护

静电放电是一种常见的自然现象,它对电子产品生产、装配的危害所造成的损失是不可估测的.电装车间承担着电子产品装配任务,需要进行元器件焊接、组装、调试、包装等工序,由于接触分离、磨擦、感应等作用产生静电,可随时对产品造成静电危害.分析了电装车间主要静电产生源和静电放电产生的原因、机理及破坏机制,提出了在接地系统、人员、设备以及环境等方面有效的防静电措施.     

半导体器件生产中的静电与防护

绝大多数半导体器件都是静电敏感器件,而在生产过程中静电又是无处不在的,生产厂必须对静电防护措施给予充分的重视.生产厂应通过对器件采用防静电设计,并在生产过程中对静电采用泄漏、屏蔽和中和等控制原理,采取静电接地、穿戴防静电工作服、使用防静电台面、地面、工具及周转箱、防静电包装袋等措施,建立一个完整的静电防护体系.生产厂还应建立防静电系统的周期测试和监控制度,保证防静电设施起到有效的防护作用,避免和减少器件在生产过程中的静电损伤,交付用户高质量高可靠的产品.     

电子封装净化间的静电防护及监控

随着电子产品集成度越来越高,器件对静电也越来越敏感,容易受静电放电导致损伤或损坏。文章介绍了静电的产生机理,阐述在生产制造过程中静电产生的来源以及危害。介绍了净化间内部抑制静电产生的三大措施:防止静电荷积聚,建立安全的静电泄放通路,以及采取静电监控设备进行静电监控。提出采用镀锡铜排环绕厂房内部的形式来消除静电防护死角,并重点描述了防静电门禁系统和静电在线监控系统的工作原理及功能实现,结合电子封装厂房结构特点,首次提出防静电门禁系统与风淋门联动控制,有效控制封装厂房的静电来源。     

集成电路封装线系统性静电防护

文中分析了静电产生的原因、电路静电损伤机理及失效机制。制定了集成电路封装线系统性静电防护措施。其涉及到封装厂房环境静电防护、封装生产设备静电防护、工艺操作静电防护、电路包装和运输过程中的静电防护以及静电防护检测等多个环节。对这些环节的全面控制有利于消除静电对集成电路的损伤。     

观瞄镜防激光性能测试及生物效应实验

利用1.06μm和0.53μm激光对新型防护材料的激光能量透射率和光密度值进行了测试,并用动物进行了防激光生物效应实验,给出了生物学鉴定结果.     

新型静电泄放保护电路设计方法

提出了一种新的静电泄放(electrostatic discharge,ESD)保护电路设计方法.相比传统以经验为基础、采用电路设计和硅片验证之间反复实验的ESD设计方法,新方法降低了成本,缩短了设计周期.利用该方法完成了一套基于0.5μm CMOS工艺、带ESD保护电路的输入输出单元库设计,该单元库通过了5kV的人体模型ESD测试.     

新型静电泄放保护电路设计方法

提出了一种新的静电泄放(electrostatic discharge,ESD)保护电路设计方法.相比传统以经验为基础、采用电路设计和硅片验证之间反复实验的ESD设计方法,新方法降低了成本,缩短了设计周期.利用该方法完成了一套基于0.5μm CMOS工艺、带ESD保护电路的输入输出单元库设计,该单元库通过了5kV的人体模型ESD测试.     

一种静电保护用低触发电压PMTSCR器件

提出了一种用于静电放电(ESD)保护的PMOS器件触发SCR器件(PMTSCR)。PMTSCR器件的开启由寄生PMOS的沟道长度、SCR器件寄生阱电阻RPW和RNW决定。器件具有触发电压低的优点。实验结果表明,通过调整PMTSCR器件的结构参数,相比于传统低电压触发SCR器件(LVTSCR),PMTSCR器件的触发电压由6.3 V下降到4.4 V,触发电压减少30%,同时器件的ESD漏电流保持不变。