YBCO薄膜红外探测器研究的新进展

用ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ＿３薄膜制成的１ｍｍ红外探测器，经技术保护之后，寿命已达３年。其Ｄ（５００，１０，１）＝３．７×１０￣９ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），ＮＥＰ（５００，１０，１）＝２．４×１０￣（－１１）ＷＨｚ￣（－１／２）；超导微桥（５０μｍ×１０μｍ）红外探测器，其Ｄ（５００，１０，１）＝１×１０￣９ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），ＮＥＰ（５００，１０，１）＝２．３×１０￣（－１２）ＷＨｚ￣（－１／２）。     

在含有InSb非晶过渡层的GaAs衬底上用分子束外延生长InSb薄膜

在（１００）取向半绝缘ＧａＡｓ衬底上，采用独特的含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步分子束外延（ＭＢＥ）生长了异质外延ＩｎＳｂ薄膜。ＩｎＳｂ外延层表面为平滑镜面，外延层厚度约为６μｍ，导电类型为ｎ型，室温（３００Ｋ）和液氮（７７Ｋ）霍尔载流子浓度分别为ｎ＿（３００Ｋ）：２．０×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）和ｎ＿（７７Ｋ）：２．４×１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）；电子迁移率分别为μ＿（３００Ｋ）：４１０００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）Ｓ＿（－１）和μ＿（７７Ｋ）：５１２００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）Ｓ￣（－１）。ＩｎＳｂ外延层双晶衍射半峰宽为１９８ａｒｃｓ，最好的ＩｎＳｂ外延层的半峰宽小于１５０ａｒｃｓ。采用ＩｎＳｂ非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度，改善了ＩｎＳｂ外延层的质量。     

应急地球同步业务环境卫星成像仪（上）

应急地球同步业务环境卫星（ＧＯＥＳ）成像仪这项研究,是根据现有ＧＯＥＳ卫星中的一颗或多颗卫星万一发生时可能需要一种用于气象观测的小型备用成像仪的情况而开展的。应急ＧＯＥＳ成像仪（ＥＧＩ）结构紧凑、重量轻。为了进行天气预报,可见光和红外波段需要最小的分辨率,其中１０．２－μｍ￣１１．２ｍμｍ红外波希的地面分辨率要求为１６ｋｍ,０．５μｍ￣０．７μｍ可见光波段的地面分辨率要求为４ｋｍ。由于ＥＧＩ尺寸小     

高性能5μm640×480蓝宝石衬底碲镉汞焦平面阵列

已研制出一种高性能５μｍ６４０×４８０蓝宝石衬底的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／Ａｌ＿２Ｏ＿３红外焦平面阵列（ＦＰＡ），在低于１２０Ｋ温度下，它有全电视兼容分辨率和优良的灵敏度．在９５Ｋ工作温度和１０￣（１４）光子数ｃｍ￣（－２）Ｓ￣（－１）的背景通量下，平均焦平面阵列Ｄ￣＊受背景限制，其值约为１×１０￣（１２）ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），典型的平均量子效率为６０％～７０％。制造这种大面阵、高灵敏度器件的关键工艺，是在有稳定的ＣｄＴｅ缓冲层的蓝宝石衬底上，外延生长ＨｇＣｄＴｅ材料。在低于或等于１２０Ｋ的工作温度和３．４～４．２μｍ的波段内，相机的平均噪声等效温差ＮＥ△Ｔ为０．０１３Ｋ；该值比目前可实用的ＰｔＳｉ焦平面阵列相机的高一个数量级，而ＰｔＳｉ焦平阵列相机要求制冷到低于或等于７７Ｋ，才能保持其性能。     

用于功率器件的P型厚高阻外延片

本文论述在常压ＣＶＤ硅外延系统中，通过ｅ＿ｑＰ＝Ｂ－Ａ／Ｔ，分别计算出ＳｉＨ－Ｃｌ＿３、ＰＣｌ＿３和ＢＣｌ＿３的Ａ和Ｂ二常数值。采用低温深冷工艺，进一步提高硅源的纯度，通过控制ＳｉＨＣｌ＿３的蒸汽压，在晶向为（１１１）和（１００），掺硼电阻率（４～８）×１０￣（－３）Ω·ｃｍ的抛光衬底硅片上，生长出外延层电阻率为３５０Ω·ｃｍ（杂质浓度３．５×１０￣（１３）／ｃｍ￣３），外延层厚度达１２０μｍ的ｐ／ｐ￣＋／硅外延片，制成器件的击穿电压可达１０００Ｖ。     

YBCO／Y－ZrO＿2／（1120）蓝宝石多层膜超导材料的分析电镜研究

我们在具有Ｙ稳定的ＺｒＯ＿２（ＹＳＺ）层的蓝宝石上获得高质量的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７（ＹＢＣＯ）高温超导薄膜。在零磁场下，７７ｋ时，其临界电流密度达到１．６×１０￣６Ａ／ｃｍ￣２。本文确定了多层膜超导材料的取向关系。ＹＢＣＯ膜的（００１）面平行于ＹＳＺ过渡层的（１００）表面。ＹＳＺ层厚为２０ｎｍ。并且，由于Ｂａ自ＹＢＣＯ层的外扩散，ＹＳＺ层含有Ｂａ。尽管蓝宝石与ＹＳＺ层间的晶格铅配很大，由于ＹＳＺ层具有［１００］择优取向，仍能获得准单晶的ＹＢＣＯ薄膜。在ＹＢＣＯ薄膜中，观察到均匀分布的、微小尺寸的Ｙ＿２ＢａＣｕＯ＿５（２１１相）沉淀粒子，它们也有利于提高临界电流密度。     

一种用于大功率超声清洗换能器的压电材料

通过对ＰｂＭｅ（Ｃａ＿（１／４）Ｍｎ＿（１／４）Ｎｂ＿（１／２））＿ｘＴｉ＿ｙＺｒ＿ｚＯ＿３系材料的研究，并以Ｓｒ￣（２＋）、Ｍｇ￣（２＋）等价取代Ｐｂ￣（２＋），以ＣｅＯ＿２作为添加改性剂，研制出机电耦合系数高（ｋ＿ｐ＝０．６２）、机械品质因数高（Ｑ＿Ｍ＝２０３６）、机械强度高（抗张强度为４４２ＭＰａ）、经时稳定性好的适用于大功率超声清洗换能器的压电材料。     

多晶薄膜CdS／CdTe太阳电池

报道了转换效率为１４．６％～１５．８％的多晶薄膜ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太阳电池的研制。用ＭＯＣＶＤ法，在玻璃衬底上制备ＳｎＯ＿２和ＳｎＯ＿２：Ｆ薄膜，水溶液化学淀积法获得８０～１００ｎｍ厚的ＣｄＳ薄膜和密堆积升华法制备５μｍ厚ＣｄＴｅ薄膜，ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太阳电池的短路电流密度高达２４～２５ｍＡ／ｃｍ￣２。同时，对各层薄膜晶形和微观结构进行了分析研究。     

MOCVD生长带有MQB的量子阱激光器材料

用ＭＯＣＶＤ生长发射波长为８０８ｎｍ的ＡＬＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱激光器材料。通过在激光器材料的波导中加入多量子势垒（ＭＱＢ）层，有效地限制电子在阱内的复合以及高能电子溢出阱外，从而降低了激光器的阈值电流，提高了它的特征温度。增加了ＭＱＢ后，器件的阈值电流密度Ｉ＿（ｔｈ）从原来的４００～６００Ａ／ｃｍ￣２下降到３００～４００Ａ／ｃｍ￣２，特征温度从１６０Ｋ提高到２１０Ｋ。     

高性能掺杂PZT热释电陶瓷研究

对Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．９４）Ｔｉ＿（０．０６））Ｏ＿３和Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．６１）Ｔｉ＿（０．３９））Ｏ＿３两种主配方掺入Ｍｎ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、ｗ等元素，制备出宽光谱吸收、电性能优良的掺杂ＰＺＴ热释电陶瓷。对其进行了结构分析和电性能测量，第一种配方的典型电学参数为：ε＿ｒ＝２１９；ｔｇδ＝０．００７８（２０℃，１ｋＨｚ）；ｐ＝４．４３×１０￣（－８）ｃ／ｃｍ￣２·Ｋ。     

8～12μm光导多元红外探测器研制

本文通过对光导红外探测器的基本理论进行分析，给出了获得高性能红外探测器应具备的晶片参数和工艺设计的理论依据。实践证明，在此理论指导下开展长波线列光导器件研制，能重复制备出昏性能、高均命性的３２元、４８元和６０元红外探测器，其Ｄ￣＊＿ｂ＞１×１０￣（１０）ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１）、Ｒ＿Ｖ＞１×１０￣４ＶＷ￣（－１）、λ＿ｐ＞１１μｍ和λ＿ｃ＞１２μｍ。     

应用CO_2激光器校正单色仪

人们通常采用汞灯和钠光灯等作标准校正单色仪的可见光波长，而有关单色仪红外波长的校正未见有确切报道。本文正是描述应用ＣＯ＿２激光器校正单色仪红外波长刻度的实施方法，并分别用不同狭缝检测了１０．６μｍ附近各点的实测值，画出了校正谱线图。分析精度因子确认采用ＣＯ＿２激光器校正单色仪红外波长是可行的。     

硒镓银倍频器的输出特性

我们用坩埚下降法生长出φ２０×６０ｍｍ的硒镓银（ＡｇＧａＳｅ２）单晶。在１１ｍｍ长的ＡｇＧａＳｅ２倍频器中获得了ＴＥＡＣＯ２激光的倍频输出，在１５．１６ｍＪ泵浦光下５．３μｍ倍频光单脉冲输出能量为４０２μＪ，其内部能量转换效率为２．６６％，外部匹配角宽度约为４°。     

GaAs上热壁外延Cd_（0．96）Zn_（0．04）Te薄膜

国内首次报道用热壁外延（ＨＷＥ）技术在（１００）ＧａＡｓ衬底上生长出Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ（１１１）薄膜。结果表明，薄膜在１５～２０μｍ厚时Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽在１００弧秒以下，其位错腐蚀坑密度等于甚至小于１０￣３ｃｍ￣（－２）薄膜组分、层厚均匀，表面光亮如镜，质量达到国际先进水平，优于国内Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ块晶，是外延生长ＨｇＣｄＴｅ的理想替代式衬底。文章强调了生长前ＧａＡｓ衬底，多晶源预处理的重要性。     

209强激光对靶材的破坏机理研究

２０９强激光对靶材的破坏机理研究许德胜，郭振华，辜建辉，李再光（武汉华中理工大学激光技术国家重点实验室，４３００７４）利用强激光准直聚焦系统把万瓦级ＣＯ＿２激光会聚在直径约０．５ｍｍ范围内，使激光功率密度达到了１０￣６－１０￣７Ｗ／ｃｍ￣２，对３０多...     

二极管激光器泵浦的千瓦级固体激光器

引言６ｋＷ以上连续波输出功率的灯泵固体激光器已现成可得并已用于汽车工业。与ＣＯ２激光器相比，灯泵固体激光器的主要优点是波长较短（１．０６μｍ），光束可用光纤传输（４００～６００μｍ芯径柔软光纤），但有效率较低（ηｐｌｕｇ＝３．５％）、光束质量较差（每...     

甲醇远红外激光的一条新谱线

甲醇（ＣＨ３ＯＨ）分子是常用的ＦＩＲ激活介质,具有很特别的光谱特征。而小型光泵脉冲亚毫米波激光器是近年来才发展起来的新技术,作者已经成功地研制出管长为１０￣３０ｃｍ的ＣＨ３ＯＨＦＩＲ激光器,并获得谱线。本文利用ＣＨ３ＯＨ分子有表编制成数据库管理程序,对光泵ＣＨ３ＯＨ亚毫米波激光进行计算。代入ＣＯ２－９Ｐ（１６）线振动吸收跃迁的条件及相应的亚毫米波纯转动跃迁所受的跃迁选择条件,将泵频偏限制在±０．０     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．     

307四极放电激光器的放电区

３０７四极放电激光器的放电区陆治国，郭金川，陈江丽（西北大学物理系西安７１００６９）Ｔ．Ａ．Ｋｉｎｇ（英国曼彻斯林大学物理系）本文介绍了用于气体激光器的四电极放电的结构与空间电荷对电场分布的影响。还绘出了对４０μＨｚ至２２０μＨｚＲＦ放电ＣＯ＿２激光...     

掺OH~－稳定的F_2~＋型心的激光振荡

利用我研制的掺质均匀、色心稳定性好的ＮａＣｌ（ＯＨ~－）：（Ｆ）＿Ｈ和ＫＣｌ（Ｎａ~＋，ＯＨ~－）：（Ｆ）＿（ＡＨ）色心晶体，我们实现了＞２５０ｍＷ的１．５７μｍ和＞４０ｍＷ的１．８８μｍ色心激光输出。本文报道其实验结果。