变容二极管倍频器

在高频电路中,变容管能产生丰富的谐波和具有高的效率,被越来越广泛地用于调频振荡、参量倍频、参量混频、参量放大和电调谐等电路中。本文只讨论变容二极管倍频器。一、变容管倍频原理变容二极管是一种非线性电容元件,它的PN结势垒电容能够灵敏地随反向偏压的改变而变化。当所加反向偏压较低时,变容二极管的等效电容就大。当所加反向偏压较高时,变容管的等效电容就小。其电容     

变容二极管的高速全自动分类仪

<正> 前 言 笔者在文献[1]中介绍了日本国洋电子公司的SM—1018E型变容二极管电容测试、分类仪。最近,该公司推出比SM—1018E型更先进的电容分类仪,其型号为SM—1048B型变容二极管自动分类仪。无锡元件四厂已引进这种分类仪。该分类仪适用于微型或片状化变容二极管的反向电流、反向电压、正向压降、电容、电容比、电容差的测试及电容分类。微型或片状化变容二极管主要为彩电和录像机用C型电调谐器配套。微型或片状化变容二极管包括LT32、LT32A、LT33、LT33A、LSV164、MA334、MA338。微型变容二极管外形为M-204型、为夏普C     

变容二极管和电调谐

<正> 变容二极管是一种利用半导体的PN结电容随外加反向偏压变化而变化的原理制成的半导体二极管。变容二极管通常替代可变电容,应用在调谐器中。只要改变加在变容二极管上的反向偏压,就可改变调谐器的谐振频率,因此这种调谐器被称为电调谐器。电调谐器业已发展到锁相环频率合成调谐、存储调谐等新一代调谐器,使接收机的调谐方式提高到一个新的水平。     

复合管是二极管的发展方向

本文介绍了几种新型复合二极管,包括变容二极管、开关二极管、二极管阵列、阻尼二极管、调制二极管和肖特基二极管等。     

硅调谐变容二极管的特性

<正> 变容二极管是指它的端电容按一定的方式随反向偏压而变化的一种半导体二极管。调谐变容二极管的电容—电压特性适用于调谐电路(如在电调谐器UHF和VHF频段中作调谐用),其特点是串联谐振频率和截止频率远高于使用频率。现以无锡元件四厂生产用于C型电调谐器的2CC32型调谐变容二极管为例,介绍其有关特性。     

变容调谐二极管

变容调谐二极管朱研变容二极管的出现，在很多方面给电子设计以巨大的推动，尤其是在消费类电子产品中则更是如此。以前用机械方法进行调谐的电路既笨重，又不可靠；采用了变容二极管Ｕ后，在体积、可靠性、调谐速度和跟踪能力等方面都大为改观，诞生了以前所难以企望的体...     

Q频段变容二极管二倍频器设计

采用商用变容二极管MA46H146设计了一款Q频段串联单管二倍频器。通过拟合该变容二极管的电容-电压曲线以补充该二极管技术资料中不完整的模型参数。针对宽带倍频的设计目的,该变容二极管的输入匹配网络采用高低阻抗线低通滤波器与相移传输线实现,输出匹配网络由低插入损耗带通滤波器及相移传输线实现。测试结果与仿真结果吻合,该二倍频器在输入功率为14.5dBm,变容管偏置电压1.2 V时,43～49GHz频段内倍频效率大于12.6%,最高效率34.7%。     

MOCVD生长超突变结GaAs变容管材料

用ＭＯＣＶＤ生长了用于ＧａＡｓ变容二极管的结构材料。分别用ＳｉＨ＿４和ＣＣｌ＿４作为掺杂剂对ＧａＡｓ进行ｎ型和ｐ型掺杂，找到了适合高质量变容管材料的方法．材料用于器件制作，得到了反向击穿电压大于２５Ｖ、电容变化比大于４０的变容管。     

变容二极管电容测试及分类仪

<正> 前言 我厂是生产变容二极管的专业厂。为了精确地测试变容二极管的电参数,六十年代中期我们从日本东京DENPA KDGYO公司引进TMD—122C型变容二极管测试仪,由电子管组成,表头显示,可测试反向电流I_R、电容C和电容电压变化指数n值。“六五”期间我们从美国HP公司引进4277A型变容二极管电容测试仪,由集成电路和分立器件组成,数字显示,可测试电容C。“七五”期间我们准备从日本国洋电子公司引进SM—1018C型或SM—1018E型变容二极管电容测试及分类仪(以下简称分类仪),或从日     

超突变结变容二极管的杂质浓度分布及n值

讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和n值,提出了提高国产超突变结变容二极管性能的措施.     

基于枝节加载型SIR的可调滤波器

基于枝节加载型阶梯阻抗谐振器(SIR)设计了一种加载变容二极管的微带可调带通滤波器。SIR结构利于抑制高次谐波且可实现滤波器的小型化,提出的模型通过在SIR的中心平面加载2个枝节构成多模谐振器。通过奇偶模方法分析了枝节加载型SIR的谐振特性;通过加载变容二极管实现了对滤波器奇偶模谐振频率的独立控制,利用变容二极管容值的变化实现了滤波器的中心频率可调,中心频率随变容二极管偏置电压的增加而增大。该可调滤波器实现了在0.82~1.17 GHz范围内中心频率可调且插入损耗小于5 dB,回波损耗大于10 dB。     

一种新型定向耦合器的耦合性质

文章介绍了一种新型的耦合器—左右手组合介质定向耦合器。该耦合器的主传输线采用传统的微带线结构,而耦合电路则采用近年来引起广泛注意的左右手组合材料。左右手组合材料采用在微带线上加载集总元件变容二极管实现了耦合频率的连续移动。实验发现,当加载变容二极管的电压升高时,耦合强度随之变化且耦合频率向高频方向移动。     

变容二极管射频特性参数的提取

变容二极管的特性参数在仿真电路中是一项重要的参量,低频范围内可以由使用说明书上获得参数值,但将其使用在射频范围内时无法获得变容二极管准确的射频参数值。这里基于微波网络转移矩阵级联的理论,自制了一个用于变容二极管射频特性参数提取的平台。同时利用Matlab编程计算,经过校验后确保了平台的可行性。最后利用自制的测试平台对一款变容二极管进行了射频特性参数的提取,方法简单,可行性较强,对其他的研究工作具有一定的参考意义。     

变容二极管与温度补偿电路

介绍变容二极管的电特性和温度特性。讨论变容二极管在调频电路中的应用。为了提高调频电路和晶体振荡器的频率稳定度，采用温度补偿电路是一种极其有效的方法。     

变容管调频技术及电路工作原理分析

本文叙述了变容二极管调频原理及调频锁相环路工作原理，并对ＴＦ７０５０调频发射机调制单元电路工作原理进行了分析。     

220GHz 平衡式二倍频器设计

本文介绍一种基于平面肖特基势垒二极管的220GHz 平衡式二倍频器设计。通过输入、输出信号的电磁场模式 变化实现平衡结构,并控制偏置电压和输入功率使二极管工作于变容模式。采用HFSS 和ADS 联合仿真获得最佳二极管 嵌入电路,输入功率为50mW 时得到最佳变频效率为21%,在212GHz 至235GHz 范围内变频损耗优于8dB。     

变容二极管背靠背拓扑结构的性能分析

针对变容二极管在实际应用电路中,由于非线性所造成的寄生调制、频率抖动、频率失真、AM to PM噪声引入等问题,文中采用变容二极管背靠背拓扑结构(BBS),通过改善压控线性度来降低电路RF调制、频率抖动、相位噪声等影响,既能抑制非线性导致的寄生调制现象,又简化了调节电压。为目前广泛应用变容管作为电调元件的电路提供了参考。     

压控晶体振荡器及其调频变容二极管

介绍了晶体振荡器的种类及压控晶体振荡器。提出改善压控晶体振荡器性能的具体措施 ,并介绍压控晶体振荡器关键元器件——调频变容二极管的性能及发展动态。     

压控晶体振荡器及其调频变容二极管

介绍了晶体的种类荡器的种类及压控晶体振荡器。提出改善压控晶体振荡器性能的具体措施,并介绍压控晶体振荡器关键元器件－－调频变容二极管的性能及发展动态。     

变容二极管调谐体效应振荡器的CAD

本文建立了一种新的 Gunn VCO 的电路模型,计算了 Gunn 管和变容二极管之间的径向盘耦合电容。首次利用谐波平衡法对 Gunn VCO 进行了非线性分析,设计并制作了一 Ka 波段混合集成 Gunn VCO,实验结果与 CAD 结果进行了比较,证明了该种电路模型与分析方法的有效性。此外利用该分析程序研究了Gunn 管和变容二极管之间的耦合与调谐带宽的关系。在分析的基础上,利用线性拟合误差函数作为 Gunn VCO 频率调谐线性度的优化目标函数,对 VCO 的频率调谐特性进行了优化,确定了此种电路在最佳线性调谐时 PN 结幂指数γ的值,从而在理论上对满足线性调谐的变容二极管提出了要求。