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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
胡爱华 《半导体技术》2010,35(5):447-450
介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据。Si衬底LED芯片制备采用上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺,封装采用仿流明大功率封装,封装后白光LED光通量达80 lm,光效达70 lm/W,产品已达商品化。与蓝宝石和SiC衬底技术路线相比,Si衬底LED芯片具有原创技术产权,可销往任何国家而不受国际专利的限制。产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高,具有单引线垂直结构,器件封装工艺简单,而且生产效率高,成本低廉。其应用前景广阔,是值得大力发展的一门新技术。  相似文献   

2.
本文主要论述了现代微电子封装技术中倒装片封装技术和芯片规模封装技术的结构类型,应用产品,倒装片与晶片级规模封装,并阐述了倒装片封装与芯片规模封装的综合比较及其发展前景。  相似文献   

3.
龙乐 《电子与封装》2010,10(2):11-15,19
基于老化筛选技术的确好芯片KGD是现行多芯片封装结构中的关键芯片,具有封装成本低、可靠性高、体积小、易封装集成等优点,其应用前景广泛,如多芯片组件、多芯片封装、系统封装、功率系统封装、微系统封装、堆叠封装、混合集成电路等。文章对KGD技术做了分类总结,综述了近几年KGD技术的研发进展,指出KGD进一步发展的商业化关键问题。  相似文献   

4.
《电子与封装》2016,(2):5-8
随着集成电路封装技术朝着高密度封装方向发展,同时基于系统产品不断多功能化的需求,出现了叠层封装技术。介绍了芯片叠层封装的传统引线封装结构,详细阐述了一种新型的芯片十字交叉型叠层封装结构,并结合这种封装结构在陶瓷封装工艺中的应用进行了具体实施与探讨,并进行了引线键合可靠性考核试验。通过试验研究表明叠层芯片引线键合技术也可广泛应用于陶瓷封装产品中。  相似文献   

5.
针对典型的四层芯片叠层封装产品,采用正交试验设计与有限元分析相结合的方法研究了芯片、粘合剂、顶层芯片钝化层和密封剂等十个封装组件的厚度变化对芯片上最大热应力的影响,并利用找到的主要影响因子对封装结构进行优化.结果表明,该封装产品可以在更低的封装高度下实现,并具有更低的芯片热应力水平及更小的封装体翘曲,这有助于提高多芯片叠层封装产品的可靠性.  相似文献   

6.
倒装芯片是一种无弓1脚结构的芯片互联技术,它起源于60年代,由IBM率先研发,具体原理是在I/O板上沉积焊料凸点,然后将芯片翻转加热利用熔融的焊料凸点与基板相结合,此技术代替了常规的打线接合,在封装技术的应用范围日益广泛,己逐步成为高端器件及高密度封装领域中经常采用的封装形式,特别是它可以采用类似SMT技术(印刷)的手段来加工生产效率将有大幅的提升,因此倒装芯片封装技术将是高密度芯片封装的最终方向。  相似文献   

7.
文章论述塑料三维(3D)结构微系统封装技术相关问题,描述了把微电机硅膜泵与3D塑料密封垂直多芯片模块封装(MCM-V)相结合的微系统集成化。采用有限元技术分析封装结构中的封装应力,根据有限元设计研究结果,改变芯片载体结构,降低其发生裂纹的危险。计划采用板上芯片和塑料无引线芯片载体的替代低应力和低成本的3D封装技术方案。  相似文献   

8.
美国国家半导体公司宣布2004财政年度内该公司在美国取得221项产品发明及制造工艺创新技术的专利,这是该公司自1959年创办以来的历年最高纪录。美国国家半导体公司的专利中约有三分之一与模拟技术有关,这使该公司成为拥有最多注册专利模拟技术的半导体制造商。美国国家半导体公司拥有的专利技术包括制造工艺、芯片设计、封装、结构及其他重要的集成电路技术。  相似文献   

9.
我国集成电路发展十二五规划中提到,大力发展先进封装和测试技术,推进高密度堆叠型三维封装产品的进程,支持封装工艺技术升级和产能扩充。阐述了先进封装技术中的倒装芯片键合工艺现状及发展趋势,以及国际主流倒装设备发展及国内应用现状,重点介绍了北京中电科装备有限公司的倒装机产品。国产电子装备厂商应认清回流焊倒装芯片键合设备市场发展,缩短倒装设备产品开发周期和推向市场的时间,奠定国产电子先进封装设备产业化基础;同时抓紧研发细间距铜柱凸点倒装和热压焊接技术,迎接热压倒装芯片工艺及其设备的挑战。  相似文献   

10.
多层芯片堆叠封装方案的优化方法   总被引:3,自引:1,他引:2  
芯片堆叠封装是提高存储卡类产品存储容量的主流技术之一,采用不同的芯片堆叠方案,可能会产生不同的堆叠效果.针对三种芯片堆叠的初始设计方案进行了分析,指出了堆叠方案失败的原因和不足.结合两种典型芯片堆叠封装结构(金字塔型和悬梁式)的特点,提出了一种采用转接芯片完成焊盘转移的优化方法,并举例进行了芯片堆叠封装方案的说明.最后,对转接芯片的制作及尺寸设计原则进行了研究.  相似文献   

11.
赵雷  张禄平 《光电子技术》2001,21(3):220-224
通过对传感燕片封装前放气性质和封装后密封性能的质谱分析,了解析件的出放气情况及封装工艺和装装结构性能,可以以优化封装工艺和合适的吸气剂选提供依据,为传感芯片产品的漏率检验和品质评判提供检测方案。  相似文献   

12.
确好芯片KGD及其应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
龙乐 《电子与封装》2004,4(5):35-39
本文介绍了国际上确好芯片KGD技术的研发现状,以及在高密度多芯片封装中的应用。  相似文献   

13.
MEMS封装技术研究进展   总被引:6,自引:0,他引:6  
介绍了MEMS封装技术的特点、材料以及新技术,包括单片全集成MEMS封装、多芯片组件(MCM)封装、倒装芯片封装、准密封封装和模块式MEMS封装等。文中还介绍了MEMS产品封装实例。  相似文献   

14.
智能移动装置的高速发展正在驱动更先进芯片封装技术的开发,以满足多功能集成和小型化的要求。传统的解决方案,如多芯片模块,可能无法同时满足高密度和小型化需求。而先进的2.5D硅基板TSV解决方案成本太高,特别是,在对成本敏感的消费类市场中不能使用。在这两者之间,芯片嵌入式封装可能是一个理想的解决方案,它不但有较高互联密度,较小封装尺寸,也可以实现多芯片集成。本文着重讨论了主动芯片的嵌入技术:二维扇出封装和三维封装叠加。二维结构包括扇出晶圆级封装和多层板中芯片嵌入,前者基于晶圆形式,后者基于型板形式。不同流程的选择造成成本和成品率的差异,也造成芯片放置时间的先后。本文讨论了"Die-First"、"Die-Mid"和"Die-Last"流程的优劣势。主动(有源)芯片嵌入的三维叠加有着与二维芯片嵌入类似的优势,只是主动芯片嵌入封装体的上端可以另外叠加封装体,以实现真正的SiP结构。本文还讨论了芯片嵌入技术的发展、未来增长、可能的封装形式和将来的路线图。  相似文献   

15.
分析了在多芯片叠装封装产品中采用晶圆级芯片贴装薄膜对传统芯片制备以及后续封装工艺所产生的巨大影响。阐述了在晶圆级芯片贴装薄膜贴覆工艺,芯片制备以及后序工艺中所遇到的巨大挑战。  相似文献   

16.
《集成电路应用》2005,(10):19-20
韩国三星电子日前表示,它已研发出世界第一个十芯片的多芯片封装(MCP)技术,可提高手机和其它手提装置的空间使用率。  相似文献   

17.
叠层管芯封装的不断发展导致该技术能有效地在同一基底内增大电子器件的功能和容量,作为单个芯片。蜂窝电话及其它消费类产品中叠层芯片封装的应用增长促使能够在给定封装尺寸中封装多层芯片。介绍了叠层芯片封装技术中最主要是满足总封装高度的要求。用于叠层芯片封装的技术实现方法包括基片减薄、薄裸芯片贴装、小形貌引线键合、与无支撑的边缘键合以及小偏倒成形等。集中介绍了叠层管芯互连要求。介绍了倒装芯片应用中的正向球形键合、反向球形键合和焊凸凸焊技术,讨论了优点和不足。说明球形键合机的发展能够满足叠层芯片封装的挑战,即超低环形状、长引线跨距和悬空键合等。  相似文献   

18.
红外焦平面探测器产品易受特殊工作环境、材料热应力失配影响而出现芯片断裂等失效现象,因此,为确保可靠性,对探测器芯片提出了更为迫切的要求。专利技术是法定的知识产权保护手段,专利所披露的探测器芯片可靠性问题的技术路线和解决方案,更加贴近产品实际问题的解决。文中利用技术专利的研究方法,挖掘出国内外业界对恶劣工作环境中芯片热失配问题的三种技术解决方案。文中深入比较了表面设置应力释放图案技术路线中的应力释放点、应力释放槽和应力释放环,这三种具体专利技术路线实现方式,进一步提出了镀膜增强的新方案,供业界制造红外焦平面探测器芯片时比较选择。  相似文献   

19.
《今日电子》2010,(6):68-69
Infiniium 90000 X系列示波器采用专利“磷化铟(InP)”集成电路制程,独有的氮化铝封装技术将5个磷化铟芯片集成到前端多芯片模块中,而且该模块采用了独特的噪声屏蔽和散热技术。先进的电路制成程和封装技术使该示波器实现业界领先的32GHz实时带宽,实时带宽范围为16GHz~32GHz,  相似文献   

20.
《集成电路应用》2012,(6):33-33
华芯半导体公司是中国领先的存储器芯片设计研发和高端集成电路芯片封装测试企业。公司总部位于济南,下设西安华芯半导体有限公司(存储器研发中心1、SoC研发中心、山东华芯微电子科技有限公司(封装测试事业部),并在硅谷、慕尼黑和香港设立合作研发中心。2009年5月,华芯半导体成功收购德国奇梦达中国研发中心,自主研制大容量动态随机存储器(DRAM)芯片并成功量产销售;2011年公司研发出USB3.0超高速存储控制SoC芯片;同年,公司在济南建成高端集成电路封装测试生产线。  相似文献   

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