高能氩离子在钇铁柘榴石中引起的非晶化研究(英文)

用倾斜样品X-射线衍射学(STD)和饱和磁化强度测量,研究了960MeV氩离子低温(195K)辐照多晶钇铁柘榴石Y_3Fe_5O_(12)(YIG)所引起的非晶化过程。分析结果表明,960MeV氩离子引起YIG晶态→非晶态转变是一个逐步的过程,在这个过程中电子能损起主导作用,但也需要一定的辐照剂量。并在辐照剂量0≥1×10~(14)Ar/cm~2时,在电子能损S_e=8.3MeV处,首次观察到了几乎完全的非晶态。     

高能氩离子在钇铁石榴石中引起的非晶化研究

用倾斜样品Ｘ射线学和饱和磁化强度测量，研究了９６０ＭｅＶ氩离子在多晶钇铁石榴（ＹＩＧ）Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２中引起的非晶化过程。分析结果表明，９６０Ｍｅ氩离子辐照引起ＹＩＧ晶态→非昌态转变是一个逐渐的过程，在这个过程中电子能损起主导作用但也需要一定的辐照剂量。     

4千瓦连续钇铝柘榴石激光器在水下激光焊接中的应用

2000年5月，在日本机械工程师协会为在役的核电厂颁布的法规中，规定了服役核电厂的允许缺陷尺寸。基于对这些法规的评价，对缺陷进行合理的修补。评价的结果表明：合理的现场修补对已服役多年的核电厂是迫切需要的。因为水下激光修补有现实需求，作者开发了水下钇铝柘榴石（4kW CW YAG)激光修补技术。日立公司1998年在日本动力工程和检查公司（JAPEIC）安装了该设备，并且在下行焊方向和水平焊方向对开有U型凹槽的工件在0.3MPa的压力下执行了水下钇铝柘榴石激光修补。金相研究正在进行中。     

高能离子背散射研究钇离子注入H13钢的抗氧化特性

用５．８ＭｅＶ ＾４Ｈｅ离子和３ＭｅＶ质子背散射研究了强束流钇注入的Ｈ１３钢的高温特性，由直接测定氧化层中氧原子面密度得知经钇离子注入后在８００℃氧化４５ｍｉｎ条件下抗氧化能力提高了２５倍，观察到了元素铬在注钇氧化层中的富集以及氧离子在氧化过程中的扩散与未注入时有明显的区别。     

高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究

用１１２ＭｅＶ Ａｒ离子以５０Ｋ的低温辐照了〈１１１〉取向的单晶Ｓｉ后在室温下采用Ｘ射线光电子谱（ＸＲＳ）、电子顺磁共振（ＥＰＲ）和红外光吸收（ＩＲ）技术对样品进行了分析。ＸＰＳ分析结果表明，表面处Ｓｉ以单元素和ＳｉＯ２两种形式共存，辐照对这两种形式Ｓｉ的２ｐ轨道电子的结合能影响较小。ＥＰＲ测量结果显示，Ｓｉ中的损伤产生明显地依赖于辐照剂量，当剂量为１．０×１０＾１４－１．８×１０＾１４ｃｍ＾－２     

170MeV硫离子入射引起的反冲氩离子产额

利用１７０ＭｅＶ的Ｓ＾９＋与Ａｒ原子气体靶发生碰撞反应,采用高能离子引起的多重电离的飞行时间技术,测量了反冲击离子相对产额,并与多体经典轨道蒙特卡罗理论的计算结果进行了对比分析,发现理论低估了较高电荷态反冲离子的产额。     

高能氩离子辐照SiO2玻璃的正电子寿命谱学研究

用1．15GeV的氩离子在室温下对二氧化硅玻璃样品进行了辐照,并通过正电子寿命测量技术研究了辐照后材料微观结构的变化。结果表明,在未辐照二氧化硅玻璃中有近81％的正电子是以正电子不的形式湮灭的;根据o-Ps的撞击湮灭寿命确定出未辐照样品的自由体积分布在0．02－0．13nm^3的区域里,平均自由体积半径为2．5nm。辐照后材料的自由体积分布函数变窄,峰位下降,显示样品经辐照后有密度增大的现象。随着剂量的增大,第二正电子寿命成分的强度逐渐增加,而相应于o-Ps的寿命成分的强度逐渐减小,这被认为是由于辐照产生的电离电子在自由体积中漫游,使正电子与这些漫游电子发生湮灭的几率增大,从而减小了正电子素的形成几率。     

高能氩离子辐照SiO_2玻璃的正电子寿命谱学研究

用 1.15GeV的氩离子在室温下对二氧化硅玻璃样品进行了辐照 ,并通过正电子寿命测量技术研究了辐照后材料微观结构的变化。结果表明 ,在未辐照二氧化硅玻璃中有近 81%的正电子是以正电子素的形式湮灭的 ;根据o -Ps的撞击湮灭寿命确定出未辐照样品的自由体积分布在0 .0 2— 0 .13nm3的区域里 ,平均自由体积半径约为 2 .5nm。辐照后材料的自由体积分布函数变窄 ,峰位下移 ,显示样品经辐照后有密度增大的现象。随着剂量的增大 ,第二正电子寿命成分的强度逐渐增加 ,而相应于o -Ps的寿命成分的强度逐渐减小 ,这被认为是由于辐照产生的电离电子在自由体积中漫游 ,使正电子与这些漫游电子发生湮灭的几率增大 ,从而减小了正电子素的形成几率。     

高能Ar离子辐照PET膜引起的表面改性研究

采用傅立叶转换的红外光吸收技术在反射方式下分析研究了35MeV/u Ar离子辐照半晶质PET膜引起的表面改性及其对吸收剂量的依赖性。结果表明,辐照导致PET膜中与晶态区域相关的吸收带强度随吸收剂量增加普遍减弱,而与非晶区域相关的吸收带强度随吸收剂量增加逐渐增加,表明辐照使PET膜发生了非晶化转变。化学键断裂主要发生在苯环的对位和酯的C－O键上,而苯环的基本结构在整个辐照过程中变化较小。非晶化效应和化学键断裂同时依赖于离子的照射剂量和样品表面的电子能量沉积。此外,在约5．0MGy以上的吸收剂量,辐照还引起了炔端基团的形成,炔端基团浓度随吸收剂量的增加显著增加。对实验结果进行了定性解释。     

高能氩离子辐照聚酰亚胺时的能量沉积效应对光学吸收及电性能的影响

用２２．５ＭｅＶ／ｕ的高能氩离子辐照层聚酰亚胺薄膜，对辐照样品的志电性测量及紫外可见光吸收分析表明，随单位体积中能量沉积的增加，薄膜的导电性增强，光吸收度增大，且光吸收边缘由近ＵＶ区向可见区移动。     

~(137)Cs-铯榴石化合物的制备和性质研究

铯榴石化合物是Cs的一种铝硅酸盐,化学式为Cs_2O·Al_2O_3·4SiO_2·nH_2O。它不仅是制备~(137)Cs辐射源的良好源芯材料,而且也是强放废水中~(137)Cs的固定和长期贮存有希望的化学形式。本工作在研究用HA、HX沸石制备~(137)Cs-铯榴石化合物的基础上,研究了用HY沸     

低能离子溅射引起表面损伤的研究

本文应用背散射沟道技术研究了低能离子轰击不同晶向表面所引起的晶格损伤与离子能量、剂量的关系,讨论了损伤形成的动力学过程。     

氩离子辐照下纯镍薄膜的微观结构状态研究

为研究离子辐照对金属材料微观结构状态的影响,以透射电子显微镜为分析手段,探讨氩离子辐照对纯镍薄膜辐照缺陷及变形结构的影响规律.研究结果显示:氩离子辐照纯镍薄膜样品可诱发明显的辐照损伤效应;较低辐照剂量下,辐照缺陷团簇以黑点缺陷为主,其中包含大量的层错四面体;辐照剂量较高时,产生孔洞缺陷,其数密度随着辐照剂量而增大,其尺...     

氢在非晶和多晶Ti_2CuH_x中定域振动的研究

利用铍过滤探测器中子谱仪,在50-210 meV的能量范围内,测量了非晶Ti_2CuH_(1.26)和多晶Ti_2CuH_(1.03)室温下的局域振动谱。从实验曲线可以看出,两者的振动态密度分布虽有某些相似之处,但存在较大的差别:晶态样品的光学支呈现双峰、峰窄,峰位在92和147meV,半宽度为32和54meV;非晶样品却出现一个极宽的氢原子振动能带,峰位与晶态主峰几乎重合,半宽度约为104meV,比相应晶态加宽了近一倍。分析结果表明,在晶态和非晶态Ti_2CuH_?中,氢原子所占据的主要位置虽然都是四面体间隙位置,但由于在非晶材料中,存在着多面体单元结构的畸变和局部化学成分的涨落等现象,氢原子在其中的定域环境的分布更为宽广。     

低剂量离子在物体样品中透射行为的研究

利用金硅面垒探测器测量低剂量率的Ｆ离子在生物组织样品（洋葱内表皮和芸豆种皮）中的透射能谱,用来研究荷能离子在生物样品中的能损和深度分布,实验中Ｆ离子能量为９００ｋｅＶ－６ＭｅＶ剂量率大约为１０＾４ｉｏｎｓ／ｓ·ｃｍ＾２。用ＳＥＭ观测样品在离子束轰击下可能发生的损伤,实验中测量了了不同能量离子样品中的透射能谱,利用ＳＩＮＲＡ对测量得到的透射能谱进行了拟合分析,并讨论了生物样品的特殊结构对透射能谱和离     

MeV能量Si~+引起二次离子发射的研究

利用北京大学2×1.7 MV串列加速器终端的飞行时间(TOF)谱仪,分别用1.5、2.0和3.0MeV三种能量的初级束Si+轰击样品来研究其二次离子发射现象,使用的样品包括石墨、碳纳米管等。结果表明,采用合理的降噪方法后得到了高信噪比和高时间分辨率的二次离子质谱,实现了全质量范围无遗漏记谱。利用H-C12峰刻度之后,计算得出二次离子各成分的最可能构成及产额,碳纳米管样品表面氢质量含量为8.15%。同时,发现MeV能区二次离子产额与Si+阻止本领之间的关系并非简单的正相关。