{011}〈UVW〉取向银基带的织构研究

由于Ag不与超导氧化物发生反应，在Ag基带上可以直接沉积YBa2Cu3O7-δ超导薄膜而不需过渡层，但基带的织构状态对超导膜的电性能有很大影响。研究表明{011}〈uvw〉取向的Ag基带有利于外延生长具有c取向及面内取向的YBa2Cu3O7-δ超导薄膜，进而使超导膜具有高的临界电流值。     

薄膜厚度测量技术

随着各种表面沉积技术(PVD、CVD)日益广泛地应用于微电子、光学及超导薄膜沉积等微细加工领域,膜厚在10—10~2nm范围内的薄膜厚度测量技术也不断得到发展。本文系统地描述了各种测量技术的原理、属性及测量方法,并对其测量精度及适用范围进行了比较。     

氧化物超导材料的进展

从超导合成粉、超导线材、超导熔融体、超导厚膜材料、弱磁场屏蔽体及超导薄膜材料等方面介绍了氧化物超导材料及其应用的进展。     

恢复和提高Y1Ba2Cu3O7—x高温超导膜性能的一种方法

Ｙ１ＢａＣｕ３Ｏ７－ｘ高温超导膜用于探测器研究在制备过程中及存放期间,氧成份的逸漏是难以避免的,这导致超导薄膜性能严重退化甚至报废。提出了一种方法,即注氧法,对于恢复超导薄膜中的氧组分含量,保持和提高超导膜的性能,是行之有效的方法。     

中国超导应用获重大突破

令现代人惶恐的手机辐射遇到一个新的克星——超导薄膜。北京有色金属研究总院日前宣布，该院超导专家研制成功的“大面积双面高温超导薄膜”可使现有手机地面机站接收距离增长 一倍，如果北京的所有机站都用上“超导膜”，手机功率降低一半也可正常使用，相应的手机辐射也就大大降低。据该院超导研究中心主任林晨光介绍，超导材料除了“电阻为零”这种奇效外，还有另一种重要特性，就是具有普通材料所没有的微波效果，将超导薄膜应用在微波器件中，机站的接收灵敏性将大幅提高。广泛使用超导膜微波器件可降低机站密度，或是促使手机厂家降…     

Epitaxial growth of LaMnO3 buffer layers for YBa2Cu3O7-δ coated conductors using pulsed laser deposition

采用脉冲激光沉积技术在双轴织构的Ni95W5(Ni-5W)合金基底上外延生长了LaMnO3(LMO)薄膜作为涂层导体缓冲层,研究了沉积温度对LMO薄膜生长织构和表面形貌的影响.研究结果表明:沉积温度对LMO薄膜的表面形貌有一定的影响;在沉积温度为650℃时,LMO薄膜具有良好的(00l)取向,薄膜表面平整均匀,光滑致密,其均方根粗糙度在2 nm以下;而且,在此LMO缓冲层上外延生长的YBa2Cu3O7-δ超导层具有良好的双轴织构,超导转变温度Tc为92 K,转变宽度小于1K,临界电流密度Jc为5.3×105A/cm2(77 K,自场).     

脉冲激光外延生长YBa2Cu3O7–δ涂层导体LaMnO3缓冲层

采用脉冲激光沉积技术在双轴织构的Ni95W5(Ni-5W)合金基底上外延生长了LaMnO3(LMO)薄膜作为涂层导体缓冲层,研究了沉积温度对LMO薄膜生长织构和表面形貌的影响。研究结果表明：沉积温度对LMO薄膜的表面形貌有一定的影响;在沉积温度为650 ℃时,LMO薄膜具有良好的(00l)取向,薄膜表面平整均匀,光滑致密,其均方根粗糙度在2 nm以下;而且,在此LMO缓冲层上外延生长的YBa2Cu3O7–δ超导层具有良好的双轴织构,超导转变温度Tc为92 K,转变宽度小于1 K,临界电流密度Jc为5.3×105 A/cm2(77 K,自场)。     

斜角入射沉积TiO_2薄膜的光学特性和表面粗糙度

采用电子束热蒸发技术在K9玻璃基底上以不同的沉积入射角沉积了单层TiO2薄膜,研究了不同入射沉积角沉积的TiO2薄膜的光学特性、填充密度和表面粗糙度,并比较了不同膜层厚度下薄膜表面粗糙度与入射沉积角之间的关系。研究结果表明,随着入射沉积角的增加,TiO2薄膜的透射率增加,透射峰值向短波移动,薄膜的填充密度从入射沉积角0°时的0.801降低到入射沉积角为75°时的0.341;薄膜的表面粗糙度随着入射沉积角的增加而增加,当入射沉积角为75°时,薄膜的表面粗糙度略高于基底的表面粗糙度。在沉积入射角不变时,随着膜层厚度的增加,膜层的表面粗糙度降低。     

脉冲激光沉积高性能薄膜制备及其应用研究进展

随着脉冲激光器的飞速发展和成本下降,利用脉冲激光沉积制备高性能薄膜逐渐成为近年来的一个研究热点,被广泛应用于多个领域。本文首先概述了脉冲激光沉积的基本原理和特点;然后从材料体系的角度系统地综述了近年来脉冲激光沉积高性能薄膜的研究现状,详细地介绍了脉冲激光沉积制备的金属薄膜、合金薄膜、碳薄膜、化合物薄膜以及复合薄膜的工艺、结构、形貌和性能特点,继而对薄膜沉积技术在光电、新能源、生物、超导、电子封装等重点和新兴领域的应用现状进行介绍;最后对脉冲激光技术制备高性能薄膜进行了总结和展望。     

VLSI用低介电常数含氟碳膜研究

用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同工艺条件下的含氟碳膜。测量了薄膜的厚度和介电常数,并用傅立叶红外光谱分析了薄膜化学结构,发现薄膜成分和介电性与沉积工艺密切相关,对薄膜的SEM分析表明所得薄膜均匀致密。控制适当的工艺条件,可沉积理想的超大规模集成电路(VLSI)用钝化膜。     

高温超导YBCO薄膜及其制备

概述了高温超导YBCO(Y1Ba2Cu3O7-x)薄膜的基本性质、应用及制备技术的发展。介绍了脉冲激光沉积(PLD)与磁控溅射(MS)等的基本原理、工艺特点和最新发展情况。YBCO薄膜应用于超导电子器件中表现出优良的性能,如超导量子干涉仪(SQUID)等。     

东芝开发控制Bi系超导体薄膜晶体生长方向的技术

<正>据日本《电子材料》1991年第6期报道,日本东芝公司已开发成控制薄膜晶体方向的技术,在Bi系超导薄膜中,超导电流在膜面上呈纵向流动。采用这种技术可制成氧化物高温超导器件。 在Bi系超导体中,研制成把晶体生长方向分别作成纵、斜不同方向的薄膜形成技术,并在世界上首先解释了薄膜生长的机理。     

脉冲激光沉积技术及其应用

薄膜材料已在微电子元件、超导材料、生物材料等方面得到广泛应用,为了得到高质量的薄膜材料,脉冲激光沉积技术受到了广泛的关注。介绍了脉冲激光沉积技术的原理、特点,综述了其在制备半导体、高温超导、类金刚石、铁电、生物陶瓷薄膜等方面的应用和研究现状,展望了该项技术的应用前景。     

Tl,Hg系高温超导薄膜制备研究

介绍了南开大学在实用Tl和Hg系高温超导薄膜方面的研究工作.在Tl系高温超导研究领域, 利用磁控溅射和后退火两步法在LaAlO3,(001)衬底上制备出高质量的TI-1212和TI-2212超导薄膜,超导临界转变温度Tc分别为92 K和106 K;在两步法的基础上,利用两次后退火,得到Tl,Bi-1223超导薄膜,超导临界转变温度Tc可以达到110 K;同时,利用阳离子置换反应技术,在Tl-1212和T1-2212超导薄膜基础上得到Hg-1212超导薄膜,利用Tl-2223超导薄膜作为先驱膜,得到Hg-1223超导薄膜,结果显示,Hg-1212和Hg-1223超导薄膜的临界转变温度Tc可分别高达124 K和132 K.为满足T1系高温超导薄膜的微波应用需求,分别在LaAlO3、蓝宝石、氧化镁(MgO)衬底上制备出2英寸双面Tl-2212超导薄膜,该超导薄膜具有均匀的超导特性,薄膜超导特性优良,为制备高温超导微波无源器件提供了基础.     

YBa2Cu3O7／PBa2Cu3O7多层膜微结构的高分辨电镜研究

ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／ＰＢａ２Ｃｕ３Ｏ７多层膜微结构的高分辨电镜研究刘维张云孙吉军＊赵柏儒＊李林＊（中国科学院物理研究所，＊国家超导实验室，北京１０００８０）通过改变非超导层的厚度，可以有效地调节超导薄膜的各向异性，所以多层膜的制备和研究能够加深对层状...     

掺胺碳膜及其对甲酸蒸气传感特性

用射频等离子体化学沉积方法制备氢化非晶碳（a-C:H)膜。在等离子体气氛中引入胺基团,则能够在a-C:H薄膜沉积过程中将胺基团掺入薄膜的网络结构中。喇曼光谱表明薄膜具有无序态结构。红外分析表明薄膜中有胺基团存在,将掺胺a－C：H薄膜作为质量传感膜沉积到石英晶体表面制成气相质量传感器。测试表明掺胺a－C：H膜对甲酸蒸气具有高的响应灵敏度,好的线性相关系数和线性响应范围。     

一种破坏薄膜微柱状结构的镀膜方法:计算机模拟与机理分析

提出一种基于在0°～180°范围内连续改变沉积膜的蒸发角的方法,利用这种方法可以破坏真空沉积薄膜的典型柱状结构,从而使沉积膜的结构接近大块材料的结构.本文给出了这种结构膜的生长公式,并计算与摸拟了这时薄膜的微观结构,同时分析了由于这种结构而使薄膜具有良好特性的机理.     

电子束蒸发沉积工艺条件对ZrO2薄膜性能的影响

在电子束蒸发沉积制备ZrO2薄膜的过程中，采用石英晶体振荡法监控膜厚和沉积速率。用NKD7000分光光度计测量了ZrO2薄膜的折射率和膜厚，用原子力显微镜分别观测了不同工作气压和沉积速率下薄膜的表面形貌、均方根粗糙度。结果表明，随着工作气压的升高，膜层的结构变疏松，薄膜的折射率和均方根粗糙度都随之减小。随着沉积速率的增大，膜层的结构变致密，薄膜的折射率和均方根粗糙度都随之增大。并且从工具因子(TF)的角度得到了证实。实际镀膜过程中应该根据激光薄膜的应用需要选用合适的工艺条件，在允许的均方根粗糙度范围内提高膜层的结构致密性和折射率。     

高反射镜膜层应力耦合研究

为了控制高损伤阈值高反射镜膜层的应力,研究了沉积过程中沉积倾角、充氧量对高、低折射率单层膜应力大小的影响.研究发现这两个参数对控制薄膜应力有很大影响,SiO2薄膜在沉积倾角较小和充氧量增大时应力都逐渐减小,SiO2薄膜应力为压应力;HfO2薄膜在充氧量增大时薄膜应力变小,HfO2薄膜应力为张应力.因此,根据SiO2和H...     

金刚石薄膜的分层生长

采用热丝化学气相沉积生长出优异的金刚石薄膜。研究了薄膜的分层生长过程，薄膜的层状结构及膜厚随沉积时间的变化特性。