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提出了一种提高GaAsHBT共射共基宽带放大器增益带宽积的技术,给出了一种宽带补偿的改进型共射共基宽带增益单元。小信号分析表明:在相同半导体工艺条件下,基于这种改进型电路结构的放大器具有更高的增益带宽积。采用2μmInGaP/GaAsHBT晶体管工艺,分别设计了无高频损耗补偿和具有高频损耗补偿电路的共射共基放大器,并成功流片,在同样测试条件下,新的增益单元其增益带宽积达到了原来的近400%。 相似文献
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分布式放大器结构是一种能够实现极宽带宽的放大电路结构.不过由于晶体管自身功率密度的限制,分布式放大器大多用于小信号放大器的设计中.第3代宽禁带半导体GaN具有击穿场强高、输出功率密度大的优点,随着GaN晶体管的发展成熟,将其应用于分布式放大器结构中能够实现宽带功率放大器.本文采用4个GaNHEMT(高电子迁移率晶体管)分立器件进行分布式功率放大器设计,并以混合集成电路工艺加工,实现了0.3 ~2.5GHz的多倍频程宽带功率放大器.最终得到的测量结果显示,功率放大器在0.3 ~ 2.5GHz的频带内,饱和输出功率大于39dBm,线性增益大于8dB,最大PAE大于15%. 相似文献
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作为一种宽带放大器的结构,分布式放大器结构能够实现高达多个倍频程的带宽,这种结构是由电感元件和晶体管的等效电容构成的栅极和漏极两条人工传输线组成的。随着第三代宽禁带半导体GaN的发展,将GaN技术应用在分布式放大器的设计中,能够得到较高的输出功率,实现宽带功率放大器的设计。介绍了一种采用4个GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)设计分布式功率放大器的原理和方法,实现了0.02~2GHz的带宽。仿真结果表明,带宽内小信号增益大于10dB,增益平坦度优于±0.5dB,饱和输出功率大于41dBm,PAE大于15%。 相似文献
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指出把模拟同轴电缆分配网改造成数字CATV网的主要任务是把单向放大器更换为双向宽带放大器,同时介绍双向宽带放大器的工作原理、增益以及双向放大器的供电电路,此外还介绍了数字电视信号的载波电平。 相似文献
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本文给出了一种应用于直接变频结构的卫星电视调谐器接收机的射频放大器的设计和测试结果。射频放大器由一个宽带低噪声放大器和一个带增益补偿的两级可变增益放大器组成。为了满足系统对线性度的要求,低噪声放大器采用了一种失真抵消技术并增加了大信号输入旁路工作模式。射频放大器采用电阻负反馈和片外电容电感阶梯网络实现宽带匹配。可变增益放大器实现超过80dB的增益控制范围,并带有工艺、电压和温度补偿及增益线性化电路。射频放大器采用3.3V单电源供电,总共消耗26mA电流。芯片采用0.35μm锗硅双极CMOS工艺制成,硅片面积仅0.25mm2。 相似文献
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世界著名的MicrotuneTM公司日前宣布推出业界性能最高且功耗最低的新型RF上行信号放大器MicroStreamer TM 以供宽带cablemodemcable电话机顶盒和数字交互式领域的应用。Microtune的这种用于交互式消费类电子设备的全芯片双向RF“通路”产品丰富了Microtune的芯片种类 而且处理性能速度和可靠性更高。此新型射频 《国外电子元器件》2001,(2):73-74
世界著名的MicrotuneTM 公司日前宣布推出业界性能最高且功耗最低的新型RF上行信号放大器MicroStreamerTM ,以供宽带cablemodem、cable电话、机顶盒和数字交互式领域的应用。Microtune的这种用于交互式消费类电子设备的全芯片双向RF“通路”产品丰富了Microtune的芯片种类 ,而且处理性能、速度和可靠性更高。此新型射频(RF)上行信号放大器系列中的第一个产品单芯片部件为MT1530 ,该Micro -StreamerMT1530支持DOC SIS和EuroDOCS… 相似文献
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光纤拉曼放大器的深入探讨及应用 总被引:2,自引:1,他引:1
随着宽带业务的增长和DWDM技术的发展,人们需要更宽增益带宽的全光放大器.光纤喇曼放大器由于其可放大任意波长信号的特性而得到广泛的关注和重视.介绍了喇曼放大器的量子力学描述,原理,特性,优点,关键技术,实现,总结了国外近年来对喇曼放大器在宽带通信应用中的研究,并讨论了喇曼放大器的发展方向. 相似文献
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介绍了一种采用高速双极工艺研制的超高速宽带运算放大器电路。运算放大器内部采用高速电流反馈结构进行信号传输和放大,通过带宽提升、电压/电流信号转换以及稳定性补偿等设计技术,获得了要求的速度和带宽。研究了高速宽带运放性能的影响因素,并结合高速双极工艺进行了电路仿真设计和流片制作。测试结果表明:在±5 V电源电压下,运算放大器的电源电流≤6 mA,-3 dB带宽≥500 MHz,转换速率≥1 500 V/μs。 相似文献
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为了高效处理宽带非恒包络信号,利用宽带包络信号功率主要集中在低频部分的特性,结合线性放大器和开关类放大器的优势,设计了一个宽带包络跟踪放大器。该放大器由一个宽带线性级和一个受线性级控制的高效开关级组成。线性级采用折叠式共源共栅放大器结构,具有AB类输出级及输出级缓冲;开关级采用同步降压型DC-DC变换器结构,包含驱动电路及“防直通”模块。整个电路采用Jazz 0.18 μm BiCMOS工艺进行设计仿真,结果表明,在3.3 V电源电压下,线性级单位增益带宽约为50 MHz,可驱动300 mA电流,具有188 V/μs的摆率,包络跟踪放大器可跟踪包络信号幅度和带宽的瞬时变化,改变开关导通比以及开关频率。 相似文献
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基于分布式放大器理论,设计了一款基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺的2~20GHz宽带单片集成双向放大器。该款放大器将两个独立放大器与开关控制电路集成,通过开关控制放大器的正反向导通,实现双向放大器接收和发射状态的切换。其中放大器采用的是宽带分布式低噪声放大器,开关控制电路的控制电平为0V和-5V。测试结果表明,该款放大器在+5V工作电压下,工作电流为60mA,在2~20GHz的宽带频率内实现小信号增益大于14dB,1dB压缩点输出功率大于11dBm,噪声系数小于5.5dB。双向放大器的芯片尺寸为3.1mm×2.1mm。 相似文献