钛膜吸氢与释氢特性的研究

在ＳＫＬ－１２型多功能谱仪的预处理室中，采用超高真空镀膜的方法，得到了表面清洁的钛膜。对表面清洁及有一定量氧污染的钛膜进行了吸氢、释氢实验，并用理论模型拟合实验数据。结果表明：表面氧污染使太膜吸氢能力降低，其原因在于氧原子占据了钛膜表面的吸附位置，使氢解离为原子的几率降低。     

钛膜吸氢与释氢特性的研究

在ＳＫＬ－１２型多功能谱仪的预处理室中，采用超高真空镀膜的方法，得到了表面清洁的钛膜。对表面清洁及表面一定量氧污染的钛膜进行了吸氢，释氢实验，并用理论模型拟合实验数据。结果表明：表面氧污染使钛膜吸氢能力降低，其原因在于氧原子占据了钛膜表面的吸附位置，使Ｈ２解离为原子的几率降低。     

表面氧污染影响钛膜吸氢量的机理

表面氧污染的钛膜，其吸氢能力比清洁钛膜降低达数倍之多。在厚度ｄ＝４００Ａ，表面氧污染的钛膜上重新蒸镀，使其表面再生一层极薄的清洁钛膜。吸氢，释氢测量表明其吸氢能力得到恢复。     

碳污染对钛膜吸氢能力影响的研究

在钼基底上蒸镀钛膜，用乙炔在钛膜表面引入碳污染，用Ｘ射线光电子谱和俄歇电子谱研究钛膜表面的碳的化学状态，以及表面的碳污染对钛吸氢能力的影响。实验发现，碳在钛表面以二种到三种化学状态存在。碳在钛表面将使钛膜的吸氢能力下降，而且不同化学状态的碳对钛膜吸氢能力的影响也不同。实验结果表明，呈ＴｉＣ状态的碳是降低钛膜吸氢能力的主要因素，共原因是它使解离吸附位置减少。     

表面氧污染影响钛膜吸氢量的机理

表面氧污染的钛膜，其吸氢能力比清洁钛膜降低达数倍之多，在厚度ｄ为４０ｎｍ，表面氧污染的钛膜表面上，重新蒸镀一层极薄的（约１．２ｎｍ）清洁钛膜，吸氢，释氢的测量表明其吸氢能力得到恢复。另外，还对其他四块不同厚度的钛膜，在表面清洁及氧污染的条件下，分别进行了吸氢能力实验，实验结果证实，氧污染降低钛氢能力的原因是使钛膜土氢分子解离的位置减少，而不是扩散阻挡层的作用。     

表面氧污染影响钛膜吸氢量的机理

表面氧污染的钛膜，其吸氢能力比清洁钛膜降低达数倍之多。在厚度d为40nm，表面氧污染的钛膜表面上，重新蒸镀一层极薄的（约1．2nm）清洁钛膜，吸氢、释氢的测量表明其吸氢能力得到恢复。另外，还对其他四块不同厚度的钛膜，在表面清洁及氧污染的条件下，分别进行了吸氢能力实验。实验结果证实：氧污染降低钛膜吸氢能力的原因是使钛膜上氢分子解离的位置减少，而不是扩散阻挡层的作用。     

碳污染对钛膜吸氢能力影响的研究

在钼基底上蒸镀钛膜，用乙炔（C2H2）在钛膜表面引入碳污染，用X射线光电子谱和俄歇电子谱研究钛膜表面的碳的化学状态，以及表面的碳污染对钛膜吸氢能力的影响。实验发现，碳在钛表面以两种到三种化学状态存在。碳在钛表面将使钛膜的吸氢能力下降，而且不同化学状态的碳对钛膜吸氢能力的影响也不同。实验结果表明，呈TiC状态的碳是降低钛膜吸氢能力的主要因素，其原因是它使解离吸附位置减少。     

钯对钛膜吸氢能力的抗污染作用的研究

为寻求一种防止因表面污染而导致钛膜吸氢能力下降的的途径，用表面分析方法检测样品表面状态，用质谱仪测量样品吸氢能力，研究了表面状态和吸氢能力的相互关系。采用在钛膜上淀积钯膜的方法，可使受碳，氧污染的钛膜吸氢能力得以恢复。这种钯／太复合结构在吸氢有力上对碳，氧污染并不灵敏     

钯对钛膜吸氢能力的抗污染作用的研究

为寻求一种防止因表面污染而导致钛膜吸氢能力下降的途径，用表面分析方法检测样品表面状态，用质谱仪测量样品吸氧能力，研究了表面状态和吸氢能力的相互关系。采用在钛膜上淀积钯膜（蒸发或溅射）的方法，可使受碳、氧污染的钛膜吸氢能力得以恢复。这种钯／钛复合结构在吸氢能力上对碳、氧污染并不灵敏。对样品的近费米能级处的占有电子态密度（densityofstate，DOS）的测量证明，凡吸氢能力良好的样品，DOS呈峰形结构。具有抗污染能力的钯／钛结构，其DOS因污染而导致的变化很小，而无抗污染能力的钛膜，其峰形结构受污染作用而消失。这种峰形结构能提供氢分子解离吸附过程中所需的电子。     

钛膜表面阳极氧化层对吸附和解吸氘特性影响的研究

在金属氢化物热力学和动力学参数测试系统上分别对表面覆盖Pd膜的钛膜和表面有阳极氧化层的钛膜进行了吸附和解吸氘特性的研究,吸附氘气的研究包括恒温吸氘和变温吸氘。其研究结果表明：初始吸附氘气的速率随氧化层厚度的增加而变慢,吸附氘气达到平衡的时间越长;在相同的升温速率和相同的初始氘气压力下,明显吸附氘气的温度随氧化层厚度的增加而升高;阳极氧化层降低了热解吸反应的速率,提高了热解吸主峰位对应的温度;氧化层越厚的试样,其热解吸主峰位所对应的温度越高;钛膜和氘化钛膜表面阳极氧化层具有一定的阻氘性能,且阳极氧化层越厚,其阻氘性能越强。     

炭纤维及其复合材料的吸波性能和吸波机理

炭纤维和炭纤维复合材料在隐身技术中已经得到了广泛应用。通过分析连续炭纤维、短切炭纤维、螺旋形炭纤维、异形截面炭纤维、掺杂改性炭纤维及其复合材料的微波电磁特性和吸波性能,探讨了以上几种炭纤维的吸波机理,其中螺旋形炭纤维和异形截面炭纤维是最有发展前景的两种吸波炭纤维。     

钛和氘化钛的电子谱特征

在SKL－12型多功能谱仪上进行了纯钛和氘化钛（TiD1.7）能量损失谱（ELS）和X射线光电子谱（XPS）的研究。实验发现，氘化钛的等离激元的能量增加，并且其Ti2p1/2，2p3/2能级的结合能增大。氘化钛较之纯钛其费米能级以下5～11eV出现一新的能态。以上结果表明：氘原子的电子在氘化钛中的行为类似自由电子，同时，钛与氘之间发生电荷转移，电子转移的方向为Ti→D。     

GaAs颗粒镶嵌薄膜的制备及光吸收特性的研究

采用复合靶共溅射技术制备纳米ＧａＡｓ晶粒镶嵌在ａ－ＳｉＯ２中的复合薄膜。通过控制淀积时基片的温度，调节靶面ＧａＡｓ的百分比，可制备出不同ＧａＡｓ晶粒尺度与体积百分比的薄膜。     

Al,Ti,Nb对铁基高温合金组织与性能的影响

研究了Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ对Ｆｅ－２８Ｎｉ－１３Ｃｒ－１．２Ｗ－１．５Ｍｏ高温合金组织和性能的影响。随Ｔｉ含量增加，合金的强度提高，但η相的析出倾向及晶界相对于晶内的弱化效应增大，合金的塑性大幅度下降。Ａｌ和Ｎｂ都明显抑制η相析出，其含量过高时分别导致胞状γ’和Ｌａｖｅｓ相在晶界析出，胞状γ’相使晶界在中高温区严重脆化，Ｌａｖｅｓ相适量析出使晶界在中高温区得到有效强化。     

镍钼修饰的p型硅电极材料的制备和性能

在半导体ｐ型Ｓｉ上恒电流沉积纳米晶和非晶Ｎｉ－Ｍｏ合金薄膜,制备出Ｎｉ－Ｍｏ合金修饰的半导体ｐ型Ｓｉ电极镀层．用ＳＥＭ对膜层进行了表征,测量了两种电极镀层的阴极催化析氢曲线,纳米晶Ｎｉ－Ｍｏ／ｐ－Ｓｉ镀层的催比析氢性能较好,测量了光照下纳米晶Ｎｉ－Ｍｏ／ｐ－Ｓｉ电极的催比析氢曲线．结果表明, Ｎｉ－Ｍｏ颗粒尺寸在４０～１００ｎｍ时,光照下电极的析氢过电位比无光照减小了约１６０ｍＶ（电流密度为８ ｍＡ·ｃｍ－２）,催比析氢活性显著提高．     

Ti/TiO2多层膜的光电性能研究

用真空蒸发和自然氧化法在玻璃基底上制备了Ti／TiO2多层膜，并检测了薄膜的光电性能。电性能检测表明Ti／TiO2多层膜存在类负阻效应，多层膜的层间的类负阻效应比表面的更明显，薄膜的层间电阻率高于表面电阻率；用分光光度计测得试样退火前后的透射谱；用X射线衍射仪和扫描电镜检测了Ti／TiO2多层膜的晶体结构和表面形貌。     

Ti1-xVxO2薄膜的制备及光电性能

用溶胶凝胶法制备了Ti1-xVxO2薄膜,用X射线衍射分析了Ti1-xVxO2的结晶性能,用Lambda紫外－可见光光度计测量了吸收光谱,用ZC36高阻仪测量了Ti1-xVxO2薄膜样品的电性能,结果表明,钒含量的增加导致Ti1-xVxO2薄膜光学吸收限红移,在形成固溶体后薄膜的电阻率随钒含量增加而下降,在x=0.15时,V2O5相的出现使Ti1-zVxO2薄膜的电阻出现一峰值,Ti1-xVxO2薄膜电阻率的这种变化规律是由于V的3d电子的引入和薄膜结晶性的变化。     

C_2H_2/CO/H_2O、C_2H_2/CO_2/H_2等离子体聚合物薄膜的结构、表面形态及性能的研究

用红外光谱、元素分析、电子显微镜等技术研究了C_2H_2/CO/H_2O、C_2H_2/CO_2/H_2的等离子体聚合物薄膜的结构和表面形态,广角X射线衍射实验研究其结晶情况,分析观察了这两种等离子体聚合物的溶解性和热稳定性。结果表明,这两种等离子体聚合物薄膜具有高交联、支化程度,且分子链排列完全无序。