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硅基OLED像素及驱动电路研究 总被引:1,自引:0,他引:1
从分析不同OLED(Organic light emitting diode,有机发光二极管)像素电路特点出发,分析并总结硅基OLED像素电路特点及设计要点.根据电压控制和电流控制电路的仿真结果,并从人眼的视觉时间积分特性出发,提出采用由两个晶体管一个电容构成的交流电压控制OLED像素电路及时间灰度法驱动相结合设计方案,在实现灰度的线性控制同时改善OLED寿命.并且随着分辨率及灰度级数的增加,可结合采用像素数据并行写入的方式降低电路系统的工作频率,并降低电路功耗. 相似文献
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无源OLEDs器件的设计和制作 总被引:2,自引:5,他引:2
对无源有机发光二极管器件(OLEDs)的众多问题,诸如交叉串扰、等效电路和电压降进行了定量分析;建立了计算无源OLEDs功耗的数学模型。与单屏驱动的OLEDs比较,采用双屏驱动可显著减小器件的功耗,主要原因是工作占空比提高了2倍。制作了2个绿色小分子OLEDs,二者的尺寸(64mm)和分辨率(128×64pixels)相同,但一个为单屏驱动,一个为双屏驱动。实验结果表明,当二者工作亮度均为100cd/m2时,采用双屏驱动的OLEDs的功耗比单屏驱动的降低了25%。 相似文献
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设计出了一种实现64级灰度显示的单片混合信号驱动芯片,它采用脉冲宽度调制方法和两级电压预充方式,适用于驱动132×64像素的无源OLED显示屏.芯片内部主要包括数字控制器,显示数据存取器,DC-DC电压转换器,参考电流产生器,电压预充电路产生器,64个行驱动电路和132个列驱动电路.它已经用Chartered0.35μm 18V高压CMOS工艺制作完成,芯片面积约为10mm×2mm.测试结果表明芯片性能良好,在电源低压为3V,高压为12V,显示电流为100mA并处于最高级灰度显示的条件下,芯片与面板的总功耗为294mW. 相似文献
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对OLED显示驱动技术的专利申请情况进行了分析,并针对该领域的主要申请人近年来的技术研发重点进行了介绍,从而有助于了解OLED显示驱动技术的最新进展.研究表明,目前OLED显示驱动技术的改进主要集中在提高图像显示效果、降低功耗、提高显示面板寿命等方面. 相似文献
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12.7 cm彩色AM-OLED显示屏的驱动模块 总被引:3,自引:1,他引:3
运用分场数字灰度技术可以提高低温多晶硅(LTPS)AM-OLED显示屏的灰度精确性和亮度均匀性。但随着屏幕尺寸及分辨率的增大,电路工作频率会呈指数上升。采用复合乒乓处理结构、驱动IC并行工作、分场数据双通道输出等技术,使得电路的工作频率相对于原设计值降低了4倍。电路采用数字视频接口(DVI)作为视频传输接口,FPGA作为控制核心,最终实现了12.7cm(5in)(320×240)彩色AM-OLED显示屏的实时动态视频显示;灰度为16级,帧频为60Hz,取得了较好的显示效果。 相似文献
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第三代宽禁带半导体GaN晶体管具有低导通阻抗、低寄生参数和更快的开关速度,有望取代传统Si MOSFET,成为未来高性能电源系统实现方案。GaN器件的优势在400 V以上高压系统中更为明显,可以实现更高的开关频率和功率密度,显著提高系统的转换效率,特别适合电源模块小型化发展趋势。介绍了200 V以下低压GaN驱动电路的应用和关键技术。分析了从低压系统拓展到400 V以上高压系统时需要作出的优化与改进。详细介绍了高压GaN系统中基于无磁芯变压器耦合隔离的隔离驱动技术和耗尽型GaN负压栅驱动技术。最后,总结了目前高压GaN驱动电路在工业领域的具体应用。 相似文献