中波2048元长线列碲镉汞焦平面杜瓦组件

2048元碲镉汞焦平面由8个中波256×1元芯片和8个光伏信号硅读出电路模块交错排列组成,与8个微型滤光片以桥式结构直接耦合后封装在全金属微型杜瓦内,形成了中波2048元长线列碲镉汞红外探测器件组件.基本解决了2048元焦平面杜瓦组件的关键技术,即高均匀性和一致性的焦平面模块技术、高精度的拼接技术、高可靠性的模块及其封...     

8～14μm 电子扫描碲镉汞探测器阵列

本文介绍一种碲镉汞/硅混合阵列,它是采用金属氧化物半导体(MOS)开关完成多路传输的新型器件,下面将表明这种器件能实现电子扫描阵列所希望得到的许多优点,而避免电荷传输器件存在的主要问题。行寻址N×N阵列结构的示意图见图1。每一红外二极管阳极接于其公共地线,阴极通过开关接到输出线。每一列的开关控制栅互连在一起,用每一列的选择移位寄存器选址。工作时,每一列二极管依次由开关选择,并且连接到积分放大器上,放大器输出经多路传输,     

红外电荷转移器件

一、红外电荷转移器件的效能与红外焦平面阵列的发展红外电荷转移器件主要包括红外电荷耦合器件与红外电荷注入器件两大类型。现有红外电荷耦合器件可分别使用非本征硅或某些本征半导体光导探测器阵列、半导体p-n结探测器阵列、金属-半导体肖脱基势垒探     

3到5微米CdHgTe探测器的新近进展

一、引言磅镉汞已作为最重要的热成像红外探测器材料出现在我们面前。这种材料业已证实用途很广,可以制作2～14微米光谱范围内的各种探测器。目前缪勒德公司的产品有各种各样的光导列阵,光二极管列阵,还有更高级、性能更好含有焦平面处理的器件。碲镉汞是最好的8～14微米探测器材料目前已无可怀疑,而且近年来由于加快了材料生长和列阵制作技术的     

多光谱单片红外焦平面列阵探测器

本发明提供一种多色红外传感器件,即单片多色红外成像列阵。这种器件是通过用分子束外延(MBE)将碲镉汞材料结构直接生长在定制的读出电路上的方式制备的。其具体制备步骤如下：在硅半导体衬底的一个表面上专门设计和制备一个用于直接外延生长的读出集成电路;在该表面上用MBE连续生长具有不同带     

长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件

介绍了长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件的制备技术和达到的性能参数.探测器采用离子注入平面pn结制备光敏元,通过间接倒焊技术和读出电路互联,采用8个256元焦平面模块拼接2048元线列焦平面器件.光敏元的响应截止波长达到9.9μm,相应的RoA达到10Ωcm2,平均峰值探测率达到9.3×1010cmHz1/2 W-1,响应不均匀性为8%,有效光敏元率大干99.5%.     

长波p-on-n碲镉汞红外焦平面器件高温工作性能

碲镉汞材料为窄禁带半导体,随着工作温度的升高,材料本征载流子浓度会增加,探测器截止波长会变短,暗电流增加等,会导致器件性能降低。碲镉汞红外探测器通常在77 K温度附近工作并获得很好的探测性能,但低温工作会增加探测器的制备成本、功耗、体积和重量等。为了解决这些问题,在保证探测器正常工作性能的前提下,提升探测器的工作温度是碲镉汞红外探测器的重要研究方向。p-on-n结构的碲镉汞红外焦平面器件具有低暗电流、长少子寿命等特点,有利于在高工作温度条件下获得较好的器件性能。在不同工作温度下对p-on-n长波焦平面探测器的性能进行测试分析,在110 K时p-on-n长波碲镉汞红外焦平面探测器噪声等效温差（Noise Equivalent Temperature Difference , NETD）为25.3 mK,有效像元率为99.48%,在高温条件下具备较优的工作性能。     

供红外应用的高级碲镉汞光电二极管

本文讨论美国霍尼威尔公司新发展的四种碲镉汞光电二极管:1.2.06微米碲镉汞雪崩光电二极管;2.10.6微米碲镉汞光电二极管;3.R_0A乘积为0.7欧-厘米~2的高D~＊碲镉汞光电二极管(10.6微米);4.半导体致冷10.6微米光混频器。2.06微米雪崩光电二极管是为Q开关的掺钬氟化锂钇(Ho:YLF)激光器发展的。这种器件的雪崩增益为9～36。10.6微米光电二极管的平均量子效率为30％。制备了单元为250微米×250微米的五元线列,其单     

HgCdTe红外探测器性能分析

根据碲镉汞材料的性能、碲镉汞红外探测器物理机理和基本器件模型,对截止波长为3 m、5 m、10.5 m的碲镉汞探测器,在不同工作温度下的探测率性能进行了理论计算。计算结果表明:碲镉汞探测器在短波、中波和长波三个主要红外波段均能满足第三代红外焦平面器件对灵敏度和工作温度的要求。     

红外探测器概述及其发展

一、光子探测器 Hg_(1-x)Cd_xTe HgCdTe是假二元半导体,它的禁带宽度随着汞对镉的比率而改变。可以用其长波灵敏限从1到30微米的材料制造光导体。能选择截止波长的特点,对于致冷条件要求最低的那些应用具有特别重要的意义。一般根据所要求的工作波长,选择最大禁带宽度以保证在最高工作温度下有最佳性能。对HgCdTe材料和器件的大部分研究都是在8～13微米光谱范围,室温物体发射的热辐射在这个波段最强,而且与大气透过窗口相一致。因此,这些探测器对于热成象或探测任何接近室温的物体是很有用的。     

高性能碲镉汞探测器

碲镉汞对于红外工业的热成象来说是最重要的探测器材料。事实说明,这种材料极适于制作2～14微米的探测器,现已有光导阵列器件、光电二极管阵列器件,还有焦平面信息处理等更先进的器件。光导器件用的是一种“n”型材料,是用布里奇曼法在本公司生长的。由于有了这种技术,再加以对工艺作了深入的研究,从而使材料达到了很高的质量。近几年来,器件的性能和设计的选择性都有了很大的提高。8～14微米和3～5微米光导探测器的典型性能数据见表1。尤其要指出的是这些阵列器件的响应率和D~*的均匀性都很好,1/f拐点频率很低。     

32×32长波红外焦平面器件研制和室温目标红外热图像

文章介绍了32×32元长波碲镉汞混成焦平面器件研制及室温目标红外热成像演示。该器件采用MBE碲镉汞薄膜材料、全平面离子注入成结工艺、Si－CMOS读出电路、倒焊互联混成、背照工作模式。所研制的32×32元碲镉汞长波焦平面器件获得了突破性进展，最新结果为Dλ*＞1×1010cmHz1／2W－1，响应率不均匀性为12．4％，有效像元＞98％，NETD约为0．1K（FOV＝60°），响应波长8～10μm。该器件实现了室温目标红外热成像。该项工作处于国内领先水平。在研制过程中解决了一系列关键问题，为研制更大规模的红外焦平面器件奠定了坚实的技术基础。     

降低碲镉汞组分梯度的方法

本文涉及碲镉汞的生长。特别提到降低碲镉汞的组分梯度。(Hg,Cd)Te是由宽禁带半导体(E_g=1.6电子伏)碲化镉和具有“负能带”约-0.3电子伏的碲化汞的混合物所组成。合金能带与x值成线性关系,x值表示合金中碲化镉的克分子数。选择适当的x值,有可能获得在宽红外波段内有峰值响应的(Hg,Cd)Te探测器材料。对于8～14微米大气透射窗口,碲镉汞是尤为重要的探测器材料。早在1959年首次提出用碲镉汞作为本征红外光电器件材料。以后对碲镉汞进行了长期的研究,获得了波长1～30微米的高性能(Hg,Cd)Te探测器。目前在红外探测系统中已获得广泛应用。碲镉汞的主要缺点是难以制取优质、均匀一致的晶体,且制取n型碲镉汞晶体更难。从合金相图中可以看到固、液相线分离。     

第二代军用热象仪的核心-焦平面列阵

叙述第二代军用热象仪的进展及其在军事上的应用,着重介绍各种红外敏感材料制作的焦平面列阵,包括硅肖特基势垒器件,锑化铟电荷注入器件,碲镉汞混合式焦平面列阵,以及有发展前途的砷化镓砷铝镓多重量子阱单片式焦平面列阵。     

百万像素胶体量子点中波红外焦平面阵列成像技术（特邀）

红外探测及成像具有广泛用途,在红外制导、夜视侦察、安防监控及危化品探测等方面发挥了重要作用。现有红外成像焦平面大多由碲镉汞、二类超晶格、锑化铟等块体半导体材料制成,通过倒装键合的方法实现块体材料与硅基读出电路的信号传输。倒装键合对准困难、操作复杂、对设备依赖性较强,难以满足焦平面阵列规模不断增加和像元尺寸不断减小的制备需求。为解决红外焦平面阵列规模提升的瓶颈,采用碲化汞胶体量子点,通过液相旋涂的方法,突破倒装键合限制,实现硅基读出电路直接片上集成。所制备焦平面阵列规模达1280×1024,像元间距为15μm,80 K工作温度下探测截止波长为4.8μm,响应非均匀性为9%,有效像元率为99.96%,最低噪声等效温差达30 mK,展现了良好的成像性能。     

Mullard公司研制的3—5微米碲镉汞探测器

一、前言碲镉汞已经成为热成象用的最重要的红外探测器材料。业已证实,这种材料特别适用于制造2—14微米光谱区的探测器。Mullard公司当前的产品包括有各种光电导列阵、光二极管列阵和为提高性能而作焦面处理的相当先进的器件。现在,毫无疑问,碲镉汞是8—14微米探测器最好的材料。而且,近几年来,由于材料生长和列阵制造技术的迅速发展,在性能和设计的适应性方面都大有改进。表1详细地示出了各种典型性能,特别值得指出的是,整     

用于可见光/短波红外双波段探测的碲镉汞技术

论述了一种基于短波碲镉汞材料的可见光/红外双波段探测技术。通过更换可见光和短波红外镜头的方式,利用短波碲镉汞探测器分别进行了可见光和短波红外成像。结果表明,短波碲镉汞探测器可以进行可见光成像,这就为同时探测可见光和短波红外光提供了可能。     

夜视技术中的碲镉汞

碲镉汞已有十五年历史,目前已成为夜视技术中主要的红外探测器材料。已经为美国三军并可能为北大西洋条约组织所采用的红外前视装置通用组件,就包括了180元光导碲镉汞探测器组件。一、多光谱碲镉汞可以选择截止波长,做成多光谱器件,即在焦平面上做有几层碲镉汞,每一层都起被动滤光的作用;顶层在其截止波长范围内吸收辐射能,把专吸收的能量透射到     

图片介绍

美Aeronutronics Ford公司制造的供串联扫描执仪用的碲镉汞红外探测器阵列,其响应波长8～12米,这种线列共有20个器件,每个器件有效面积3356微米,间距18微米,工作温度77°K,其玻璃杜瓦瓶仅重16克,φ0.625时,长2.52吋。其在11微米时的     

国外红外电荷耦合器件研制近况

电荷耦合器件是一种较新的器件,国外在一九七○年开始公开报导。这类器件的出现,主要影响了电子学的以下领域:探测与成象、模拟延迟、信号处理、滤波及存储。在探测与成象领域内,电荷耦合器件可用在可见、微光和红外三方面。本文首先简单介绍探测与成象用一般硅电荷耦合器件的基本情况,在此基础上叙述探测和成象用红外电荷耦合器件的一些国外研制近况。文中指出,红外探测器阵列与硅电荷耦合器件的混合集成,是近期目标;用红外材料研制单片红外电荷耦合器件,则是其较远期目标。