渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器

采用渐变应变有源区结构,制备出偏振不灵敏半导体光学放大器,工作电流在60～160mA范围内,其3dB带宽范围不小于35nm,偏振不灵敏度小于0.35dB,自发发射出光功率为0.18～3.9mW.     

宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100～250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率.     

宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100～250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏度小于1dB．对于1.55μm的信号光，在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率．     

三波长泵浦实现平坦C L-band光纤拉曼放大

本文介绍了采用三波长泵浦实现C+L- band的拉曼放大器的设计与实现.论文首先给出了理论计算与仿真结果,并在此结果的指导下完成了拉曼放大系统实验系统.测试结果表明,本论文研制的拉曼放大系统可以实现在1 536～1 607 nm,共71 nm带宽范围内的平坦放大,其平均增益为10.5 dB,增益平坦度小于±0.5 dB纹波不超过1 dB.研制的拉曼放大系统的最大有效噪声系数小于一2.96 dB,平均为一3.2 dB.研制的拉曼放大系统同时具有优良的偏振无关特性,测试得出的最大偏振相关增益小于0.4 dB.     

高芯片偏振消光比铌酸锂多功能集成光学器件

分析了铌酸锂多功能集成光学器件的偏振消光机理,设计和制作了高芯片偏振消光比的铌酸锂多功能集成光学器件。器件采用切断部分输入直波导后在切断端面选择性镀阻光膜的结构以截断射入衬底的辐射光,与芯片耦合后实现了高于85dB的芯片偏振消光比。制作的器件插入损耗小于3.5dB,分光比为48/52~52/48,半波电压Vπ小于3.5V,尾纤偏振串音小于-33dB;在-55~+85℃全温范围内,损耗变化量小于0.2dB,分光比变化小于1%,尾纤偏振串音小于-27dB,能够满足工程化应用需要。     

微型单级偏振无关光隔离器的设计与实验

研制了一种新型的微型单级偏振无关光隔离器,给出了光隔离器中自聚焦透镜、双折射晶体平行平板和法拉第旋转片的设计,介绍了光隔离器的制作方法,并对其性能进行了测试。实验结果表明:插入损耗为0.5 dB,0λ±20 nm带宽范围内最小隔离度为30 dB,最大隔离度为45 dB,偏振相关损耗小于0.1 dB,偏振模色散小于0.05 ps。     

掺饵光纤放大器用1480 nm/1550 nm波分复用器的优化设计

以组合波导理论为基础，分析了1480/1550 nm波分复用器的耦合区横截面形状和尺寸与偏振灵敏度的关系。着重比较了矩形截面和椭圆形截面二种波分复用器的偏振性能，并发现当椭圆截面的短轴与长轴之比为1:1.88时，器件性能几乎与偏振无关。研制成功的1480/1550 nm波分复用器的波长隔离度大于20 dB,偏振灵敏度小于0.1 dB,附加损耗小于0.5 dB。     

AlGaInAs-InP材料系1550nm偏振无关半导体光放大器

采用低压金属有机气相外延设备生长并制作了1550nm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器,有源区为3周期的张应变量子阱结构,应变量为-0.40%.器件制作成脊型波导结构,并采用7°斜腔结构以有效抑制腔面反射.经蒸镀减反膜后,半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于0.3dB,3dB带宽为56nm.半导体光放大器小信号增益近20dB,带宽大于55nm.在1500～1590nm波长范围内偏振灵敏度小于0.8dB,峰值增益波长的饱和输出功率达7.2dBm.     

全光学偏振控制器

提出了一种全光学偏振控制器,它能够将光纤输出的随机偏振光变为稳定的具有确定偏振态的光信号,整个器件全部采用无源光学零件实现。测试表明,该器件插入损耗小于0.7dB,偏振相关损耗小于0.02dB,并具有体积小、结构紧凑、宜于装配、与其他光器件组合简单的优点。     

宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关

研制了一种张应变准体InGaAs半导体放大器光开关.该结构具有显著的带填充效应,从而导致在80mA的注入电流下,器件的3dB光带宽大于85nm(1520～1609nm).该带宽几乎同时全部覆盖了C带(1525～1565nm)和L带(1570～1610nm).最为重要的是,在3dB光带范围内,光开关的偏振灵敏度小于0.7dB;光纤到光纤无损工作电流在70～90mA之间;消光比大于50dB.通过降低了载流子寿命,开关速度有所提高.在未来密集波分复用通信系统中,这种宽带偏振不灵敏半导体放大器光开关很有实用前景.