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针对InSb 红外焦平面芯片中InSb 与Si 读出电路热膨胀系数不匹配导致芯片龟裂及铟柱断裂现象,开展了Si基InSb 红外焦平面探测器(FPA)的研究。运用磨抛减薄技术及金刚石点切削技术对芯片背面进行精确减薄,得到厚度为15m的InSb芯片;研究了在InSb芯片和Si片上溅射及蒸发减反膜工艺,得到InSb芯片和Si片粘贴后红外中短波光谱的透过率高达88%;对器件的整体工艺路线进行了探索,最终制备出Si基128128元InSb 红外焦平面探测器器件,测试结果表明:器件探测率、响应率及串音等性能指标达到传统工艺制备的器件性能指标;经温冲试验后测试器件结构保持完好,性能未发生变化,证明该工艺路线可解决芯片受应力冲击而产生的铟柱断裂及芯片龟裂的现象,可有效提高InSb焦平面探测器芯片的成品率。 相似文献
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功率器件热阻的测量研究分析 总被引:1,自引:1,他引:0
文章以功率器件M0sFET为例,通过电学测量方法主要研究了器件对于散热能力考量的参数热阻——Rthja和Rthjc,即器件两种不同散热方式的能力。此外还针对在热阻的测试过程中加热信号的不同方式以及周围环境中空气的流速对于热阻测试的影响进行了研究和比较。研究了在同一封装形式中,不同芯片尺寸对于热阻的影响,通过实验得到芯片... 相似文献
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避免MOS管在测试时受EOS损坏的方法 总被引:1,自引:0,他引:1
由于MOS管是浅结系列产品,极有可能在测试时遭到静电击穿或过压过流而损坏。文中主要介绍MOS管在测试过程中,会造成实际测试时器件加上了允许的最大电压、电流或功率而导致器件损坏的情况。例如,在测试过程中电源连接不良,测试片与器件接触不良,管脚接错,在测试程序中未设置正确的电压和电流钳位或DUT板损坏等。然后,针对此类现象的发生,提出了在测试过程中应采取的相应措施,从而有效地保证产品质量。 相似文献
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Fang Yu Wenbin Sang Enwen Pang Donghua Liu Jianyong Teng 《Advanced Packaging, IEEE Transactions on》2002,25(4):522-527
Stress analysis is of crucial importance in the design of components and systems in the electronics industry. In this paper, the authors present a new strength criterion combined with finite element analysis (FEA) to predict the failure stress of silicon die. Several different models of pushers were designed to apply load in the vfBGA reliability test until some units failed the electrical test. Meanwhile, finite element analysis was performed in order to find the location of the highest stress and the expected modes of failure. In the simulation, a parametric study of the effect of different types of pushers on the internal stress of the die is carried out and the failure stress can be determined eventually. The potential for chip damage under certain pushers during electrical tests has been assessed and the relationship between the maximum principal stress and the thickness of the silicon die is also explored. 相似文献
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本文运用断裂力学法分析塑料焊球阵列封装(PBCA)的爆玉米花现象,专门对封装粘片中发生的裂纹,粘片中的裂纹增大以及焊料掩模和铜之间界面处裂纹增大进行研讨,通过两种方法(裂纹尖端开度位移法和有效裂纹闭合技术)确定裂纹尖端参数,诸如应变能释放率,应力强度系数及不同裂纹长度的相角。 相似文献
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固化残余应力对倒装焊器件热-机械可靠性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用底充胶的与固化过程相关的粘弹性力学模型,通过有限元仿真的方法,模拟了底充胶的整个固化过程,计算出了热循环加载下硅片、底充胶/硅片界面、底充胶内部的应力分布及其幅值大小。结果表明:底充胶的固化过程及由此产生的固化残余应力不但使得硅片中的最大垂直开裂应力位置偏离中心线达1.6 mm之多,而且还劣化了热循环加载下底充胶中应力幅值约6.25%。最后得出了固化残余应力对倒装焊器件热–机械可靠性的影响是不可忽略的结论。 相似文献
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针对OLED面板COF(Chip on Film)连接过渡区在弯折过程中易发生金属走线断裂的问题,本文对金属走线中裂纹的扩展机理以及抑制裂纹扩展的方法进行了研究。基于复合材料界面裂纹偏转与穿透理论分析了金属走线与有机光阻界面处的裂纹扩展方式,比较了两种金属走线结构在裂纹扩展过程中的应力强度因子变化。仿真结果表明,金属走线与有机光阻的裂纹倾向于沿垂直走线的方向扩展,裂纹沿着界面扩展的趋势很小。对比两种不同金属走线(环状与条状)的应力强度因子发现,环状金属走线内部靠近孔处的应力强度因子降低了95%,能有效抑制金属走线中的裂纹扩展。 相似文献
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D. G. Yang L. J. Ernst C. van t Hof M. S. Kiasat J. Bisschop J. Janssen F. Kuper Z. N. Liang R. Schravendeel G. Q. Zhang 《Microelectronics Reliability》2000,40(8-10)
This paper focuses on the FEM prediction of vertical die crack stresses in a Flip Chip configuration, induced in the major package assembly processes and subsequent thermo-mechanical loading. An extended Maxwell model is used to describe the time dependent inelastic behavior of the solder bumps. Two types of viscoelastic models, describing the mechanical properties of underfill resin during and after the curing process, are used. The die stresses caused by both the soldering and the underfill curing processes are obtained. These stresses are used as initial stress-state for the further modeling of subsequent thermal cycling. Using this methodology, the complete die stress evolution in a selected Flip Chip can be obtained, the physics of thermal stress induced vertical die cracks can be better understood and the possible die cracks can be reliably predicted. 相似文献