基于规则的光学邻近矫正中规则的相关处理

讨论了如何选择适当的规则,如何建立简洁实用的规则库,如何应用规则库.提出了四种主要的光学邻近矫正规则,在实验结果中列举了规则库中的部分数据.利用规则矫正后的版图光刻得到的硅片图形有了明显的改善.规则库的自动建立部分 (OPCL)是基于规则的光学邻近矫正系统的重要组成部分.     

优化的基于模型的光学邻近矫正算法

提出了一种新的优化的基于模型的光学邻近矫正算法,该算法充分考虑了图形内部及图形之间的光学邻近影响,实现了线段切割和移动步长的自适应性,提高了系统的矫正精度及矫正速度,实验结果表明该算法是有效的.     

光学邻近效应的产生机理分析

基于部分相干成像理论,考虑了投影曝光系统成像的非线性滤波特点,分析了投影光刻中的光学邻近效应（ＯＰＥ）产生的机理,模拟了掩模上线条的线宽,线间距的变化对光刻成像质量的影响。     

光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量

论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正是未来光刻技术中的地位和作用。     

优化的基于模型的光学邻近矫正算

提出了一种新的优化的基于模型的光学邻近矫正算法，该算法充分考虑了图形内部及图形之间的光学邻近影响，实现了线段切割和移动步长的自适应性，提高了系统的矫正精度及矫正速度，实验结果表明该算法是有效的．     

掩模制作中的邻近效应

计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响。模拟分析指出,掩模加工中的邻近畸变应在设计光学邻近校正掩模时予以注意,即在掩模设计时,应把掩模加工中的邻近效应和光刻图形传递过程的邻近效应进行总体考虑,以便设计出最优化的掩模,获得最好的邻近效应校正效果。     

基于光场分布的光学邻近效应校正

本文基于改善光场分布的考虑，在掩模上添加了适当的散射条和抗散射条，成功地改善了像面的光场分布，达到了光学邻近效应校正的目的。     

成品率驱动下基于模型的掩模版优化算法

提出并实现了以分段分类思想为基础的掩模版优化算法,它是一种基于模型的光学邻近效应方法.该算法具有矫正精度高、灵活性强和矫正效率较高的特点,适合于版图中关键图形的矫正.实验表明,该优化算法可以实现矫正功能并且具有很好的矫正效果.     

成品率驱动下基于模型的掩模版优化算法

提出并实现了以分段分类思想为基础的掩模版优化算法,它是一种基于模型的光学邻近效应方法.该算法具有矫正精度高、灵活性强和矫正效率较高的特点,适合于版图中关键图形的矫正.实验表明,该优化算法可以实现矫正功能并且具有很好的矫正效果.     

用灰阶编码掩模进行邻近效应校正的实验研究

利用灰阶编码掩模实现光学邻近效应精细校正是改善光刻图形质量的有效方法,设计并利用电子束直写系统加工了实现邻近效应校正的灰阶编码掩模,首次在投影光刻系统上用这一方法实现了光学邻近效应校正,获得了满意的实验结果,在可加工０．７微米的Ｉ线曝光装置上获得了经邻近效应校正的０．５微米光刻线条。     

一种新的光学临近校正方法

提出了一种新的光学临近矫正算法.首先建立了一套高效并且适用性强的规则描述,然后提出了一种新的规则运用方法.算法在规则数据表的基础上通过v-SVR方法建立规则描述同矫正数据之间的数学表达式,使得对于任意输入的规则描述都能够精确计算出相应的矫正数据.实验结果表明,该算法比传统的查表插值方法具有更高的精度.     

一种新的光学临近校正方法

提出了一种新的光学临近矫正算法.首先建立了一套高效并且适用性强的规则描述,然后提出了一种新的规则运用方法.算法在规则数据表的基础上通过v- SVR方法建立规则描述同矫正数据之间的数学表达式,使得对于任意输入的规则描述都能够精确计算出相应的矫正数据.实验结果表明,该算法比传统的查表插值方法具有更高的精度.     

成品率驱动的光刻校正技术

光刻校正技术已成为超深亚微米下集成电路设计和制光刻校正技术的基本原理以及在IC设计中使用这些技术需要注意的问题,为可制造性设计提供有价值的指导.     

三维结构的邻近效应校正

针对三维曝光图形的结构特点,结合重复增量扫描方式,分别从水平和深度两个方向进行邻近效应校正。水平方向通过预先建立校正过程中需要的各种规则表,使所需参数可以通过查表获得,快速、准确地实现了邻近效应校正,深度方向的校正则是从吸收能量密度与曝光剂量的关系上考虑。利用SDS-3电子束曝光机完成了校正实验。AFM图显示,邻近效应已大大降低,可满足三维加工精度的要求。所提出的扫描方式和校正方法为电子束曝光的三维加工和邻近效应校正提供了一种新方法。     

光学邻近效应校正的新方法

基于波前加工的观点，从调整像面光强分布出发，提出一种在掩模上添加亚分辨的亮暗衬线校正光学邻近效应的新方法，并详细讨论了添加这种亮暗衬线的规则及所获得的结果。     

电子束光刻中的内部邻近效应校正技术研究

研究了基于图形几何尺寸修正的电子束光刻的内部邻近效应校正技术,利用累积分布函数预先进行内部最大矩形和顶点矩形的快速计算,并把它们存储在矩阵中。在校正过程中,根据初始矩形的尺寸,通过访问矩阵实现内部最大矩形和顶点矩形的快速替换。矩阵的预先建立,最大限度地减小了校正过程中的计算强度。模拟结果表明,通过内部最大矩形和顶点矩形的替换,能够快速地实现内部邻近效应校正,校正时间与被校正图形数目成线性关系增加。在与同类软件精度相同的情况下,提高了运算速度。     

电子束曝光中的邻近效应修正技术

邻近效应是指电子在抗蚀剂和基片中的散射引起图形的改变，它严重地影响了图形的分辨率。有多种方法对邻近效应进行修正和剂量调整、图形调整等。我们以ＪＢＸ－５０００ＬＳ为手段，用三种方法：１．图形尺寸修正，１２大小图分类和剂量分配，３图形分层和大小电流混合曝光，对邻近效应进行了修正，均取得较好效果。     

Laser Process Proximity Correction for Improvement of Critical Dimension Linearity on a Photomask

We report on the improvement of critical dimension (CD) linearity on a photomask by applying the concept of process proximity correction to a laser lithographic process used for the fabrication of photomasks. Rule‐based laser process proximity correction (LPC) was performed using an automated optical proximity correction tool and we obtained dramatic improvement of CD linearity on a photomask. A study on model‐based LPC was executed using a two‐Gaussian kernel function and we extracted model parameters for the laser lithographic process by fitting the model‐predicted CD linearity data with measured ones. Model‐predicted bias values of isolated space (I/S), arrayed contact (A/C) and isolated contact (I/C) were in good agreement with those obtained by the nonlinear curve‐fitting method used for the rule‐based LPC.