应用遗传算法实现MOS器件综合

研究了将遗传算法应用于器件综合问题,针对参数化的器件空间设计了相应的适应度函数和遗传算子,可用来得到器件的可行设计空间及研究参数对器件性能的影响.对FIBMOS器件的综合设计研究结果显示了本方法的有效性.     

应用遗传算法实现的MOS器件综合系统

为实现器件综合,即从期望的器件性能出发得到优化的器件设计参数,最关键的是要选用有效的优化搜索器件。文章将遗传算法应用于实现一个器件综合的原形系统,并通过对FIB-MOS器件的综合设计,验证了遗传算法和该器件综合原形系统的有效性。器件的参数化表示也被作为器件综合的重要问题进行了讨论。     

用虚拟制造设计低压功率VDMOS

采用虚拟制造方法设计了低压功率VDMOS器件,并对其进行结构参数、物理参数和电性能参数的模拟测试,确定了器件的物理结构.通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终获得了满意的设计参数和性能.     

亚100nm SOI器件的结构优化分析

分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响,给出了器件各结构参数的优化方向,找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区.在部分耗尽与全耗尽SOI器件的交界处,阈值电压的漂移有一个峰值,在器件设计时应避免选用这一交界区.此外,随着硅膜厚度的减小,器件的泄漏电流随着沟道掺杂浓度的不同,有一个极小值.通过模拟分析发现,只要合理选择器件的结构参数,就能得到性能优良的SOI器件.     

GaN基HEMT器件特性建模及表征方法研究

目前,GaN基HEMT器件以其优越的性能而受到广泛的关注.在器件结构的设计中,器件的尺寸、材料的物理参数都严重影响GaN基HEMT器件的优越性能.基于器件仿真软件ISE-TCAD,本文研究了器件各部分的尺寸、各种材料的物理参数对器件沟道中二维电子气(2DEG)密度、器件直流特性等参数的影响.结果表明器件沟道中的二维电子...     

栅型共振隧穿晶体管的设计与研制

在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改善器件性能和参数奠定了基础.     

亚100nm SOI器件的结构优化分析

分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响,给出了器件各结构参数的优化方向,找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区.在部分耗尽与全耗尽SOI器件的交界处,阈值电压的漂移有一个峰值,在器件设计时应避免选用这一交界区.此外,随着硅膜厚度的减小,器件的泄漏电流随着沟道掺杂浓度的不同,有一个极小值.通过模拟分析发现,只要合理选择器件的结构参数,就能得到性能优良的SOI器件     

半导体器件与工艺综合

利用器件与工艺综合的思想,开发出自顶向下的新的器件和工艺设计方法,实现了该设计方法的MOSPAD软件,并利用MOSPAD系统做出了一定的综合结果. 做出了关于器件与工艺综合的两个实例,即对FIB器件的器件综合和对阱形成工艺模块进行的工艺综合,并证明了自顶向下的器件与工艺综合思想的可行性.     

半导体器件与工艺综合

利用器件与工艺综合的思想,开发出自顶向下的新的器件和工艺设计方法,实现了该设计方法的MOSPAD软件,并利用MOSPAD系统做出了一定的综合结果. 做出了关于器件与工艺综合的两个实例,即对FIB器件的器件综合和对阱形成工艺模块进行的工艺综合,并证明了自顶向下的器件与工艺综合思想的可行性.     

单片集成透镜高速1×4InGaAs/InPpin探测器阵列研究

设计并制作了带有集成透镜的1×4 InGaAs/InP pin探测器阵列.对器件纵向和横向结构参数及集成InP透镜几何参数进行了模拟设计与优化.器件带宽达1.0GHz,对宽带波分复用、光互连以及光计算网络有重要应用价值.