32位N沟CCD延迟线设计试制报告

CCD是电荷耦合器件的简称。它是由美国贝尔电话实验室于1973年提出的,是一种新颖的半导体表面功能器件。由于它制造工艺简单,集成度高,低功耗,低成本等优点,CCD一问世就受到人们普遍的重视,获得了迅速的发展和广泛的应用。CCD主要应用于摄象,大容量存贮和模拟信息处理等领域,在卫星摄象、军事侦察、计算技术、雷达通讯、电视传真中获得越来越广泛而卓有成效的应用。     

注入势垒单相埋沟高速CCD延迟线设计

采用注入势垒单相埋沟结构和两层多晶硅一层铝工艺技术,研制出512位高速CCD延迟线,获得了大于10 MHz的工作频率和大于50 dB的动态范围。器件电极设计为准1相两层多晶硅交迭栅结构,信道设计为埋沟结构。输入结构采用双输入栅表面势平衡注入技术,输出结构采用浮置扩散源跟随放大器技术。提出了改善转移效率、暗电流、时钟频率和动态范围的有效方法。测试结果表明,器件性能参数达到设计要求。     

1024位CCD模拟延迟线的研制

本文介绍了我所研制的1024位CCD模拟延迟线的基本原理和结构设计,着重讨论了器件参数及提高器件参数的途径。     

CCD模拟延迟线的设计考虑

本文对CCD模拟延迟线的设计原理、参数要求、器件结构、输入输出电路等作了详细叙述,还结合实践,对器件研制中的一些主要工艺参数作了穿插介绍。另外,还论述了驱动时钟的设计考虑,测出了一种CCD模拟延迟线的主要参数。     

CCD模拟延迟线的设计考虑

本文对CCD模拟延迟线的设计原理、参数要求、器件结构、输入输出电路等作了详细叙述，还结合实践，对器件研制中的一些主要工艺参数作了穿插介绍。另外，还论述了驱动时钟的设计考虑，测出了一种CCD模拟延迟线的主要参数。     

声表面波32位MSK抽头延迟线

介绍了扩频通信有效的ＭＳＫ信号特点及声表面波ＭＳＫ抽头延迟线构成方式，给出了声表面波３２位ＭＳＫ抽头延迟线的实验结果。     

32位SAW抽头延迟线匹配滤波器

文章采用了声表面波（ＳＡＷ）抽头延迟线和延迟线相合结构以及幅度修正补偿设计技术，研制了７２ＭＨｚ和１４０ＭＨｚ３２位Ｍ序列ＳＡＷ抽头延迟线匹配滤波器，在连续脉冲测试条件下，对Ａ和Ｂ两种码序列分别获得到了３．４：１，４．４５：１和３．５：１，４．５：１的自相关峰值旁瓣比，同时介绍了器件工作原理，设计方法和实验结果。器件成功地应用于扩频无线局域网系统中。     

GZ2141Z型512位单相高速CCD延迟线

1 工作原理该单相高速 CCD 延迟线的输入电路由输入二极管(ID)、双输入栅(IG_1,IG_2)构成,移位寄存器为准一相两层多晶硅交迭栅埋沟CCD,输出部分为浮置扩散源跟随放大器。采用双栅电势平衡方式输入的信号电荷,在频率为 f_c 的时钟脉冲驱动下,定向地沿 CCD     

P沟硅栅等平面256位动态随机存贮器设计总结报告

打倒了“四人帮”我国电子工业的发展进入了新时期,特别是电子计算技术的迅猛发展对新型的半导体存储器的研制提出了迫切的要求。为了配合我省微小型计算机的研制,我们结合74届学员的毕业设计,在南京无线电研究所进行了P沟硅等平面256位MOS动态机存储器的设计试制工作。 在设计时我们的指导思想是:（1）尽量利用南厅MOS工艺的已有条件,力争在半年毕业设计时间中完成设计试制工作,以期达到既出产品又出人才的目的;（2）优先考虑电路的稳定性和可靠性,然后争取有较好的其他性能;（3）积累经验,为今后设计研制更先进的沟硅存储器等新产品创造条件。 在设计方案上我们考虑了如下几点:（1）采用P沟栅等平面工艺,因为P沟工艺较成熟,易做出结果,硅栅工艺有利于缩小芯片面积和提高速度,等平面工艺有利于提高成品率;（2）采用器管动态单元、以期提高电路的可靠性和稳定性;降低电路功耗,同时采用了译码器接地管和驱动器自电路,目的亦是为了降低功耗和提高速度。电路概况如下:电路特点:动态器管单元工艺特点:P沟硅栅等平面电路结构:256字×1位芯片面积:2.5mm×2.5mm（包括压焊块） 2mm×2mm（不包括压焊块）电路框见（1.1）芯片中集成了:16×16=256个存储单元x地址反相器 A_0～A_3（共4只）     

2×455位高速CCD模拟延迟线的研制

采用二相埋沟结构,研制成了2×455位高速 CCD 模拟延迟线,其动态范围达到46dB,时钟频率超过10MHz。本文详细地叙述器件设计,并对器件的主要参数进行分析讨论。     

GaAs声表面波CCD延迟线

据Applied Physics Letters 1982年8月刊报道: 美国Illinois大学的M.J.Hoskins等利用GaAs良好的电声特性.实现了声表面CCD延迟线。该器件以多层GaAs结构中直接产生的声表面波(SAW)形成波势阱,该势阱穿过肖特基势垒形成的电子耗尽埋沟。通过二极管注入到埋沟内的电子在衬底表面陷入SAW势阱,与声波一起以声速移动。电荷穿过转移区之后,由一个反相偏置二极管检出。该器件由转区、输入和输     

GZ2152Z型2×512位高速CCD延迟线

1 工作原理该高速 CCD 延迟线由规则排列的、相互耦合的 MOS 电容器线列和输入输出电路组成。从输入端输入的信号转换成电荷贮存在     

SAW32位抽头延迟线非相干扩频处理单元实验

简述了扩频通信的原理及ＳＡＷ抽头延迟线在直接序列（ＤＳ）扩频通信技术中的应用，详细介绍了ＳＡＷ３２位抽头延迟线非相干扩频处理单元实验情况。该扩频处理单元使用３２位Ｍ序列ＳＡＷ抽头延迟线作为相位编码波形发生器和匹配滤波器，具有５ＭＨｚ带宽和１５６．２５ｋｂｉｔ／ｓ的数据率。在解调器中，匹配滤波器的输出经包络检波和幅度判别，以实现对扩频信号的解扩。该扩频单元具有简单和快速同步的特点。     

SAW32位轴头延迟线非相干扩频处理单元实验

简述了扩频通信的原理及ＳＡＷ抽头延迟线在直接序列扩频通信技术中的应用，详细介绍了ＳＡＷ３２位抽头延迟线非相干扩频处理单元实验情况。该扩频处理单元使用３２位Ｍ序列ＳＡＷ抽头延迟线作为相位编码波形发生器和匹配滤波器，具有５ＭＨｚ带宽和１５６．２５ｋｂｉｔ／ｓ的数据库。在解调器中，匹配滤波器的输出经包络检波的幅度判别，以实现对扩频信号的解扩。该扩频单元具有简单和快速同步的特点。     

适合视频应用的CCD延迟线

一种表面沟道电荷耦合器件用作电视延迟线,其芯片采用4条模拟多路线并具有适配于各类视频设备所产生的时钟频率的芯片电路,认4.8mm~2芯片只需由5V电源提供40mW功耗。     

SAW32位抽头延迟线非相干扩频处理单元实验

本文简述了扩频通信的原理及ＳＡＷ同头延一在直接序列（ＤＳ）扩频通信技术中的应用，详细介绍了ＳＡＷ３２位抽头延迟线非相干扩频处理单元情况，该扩频处理单元使用３２位Ｍ序列ＳＡＷ抽头延迟线作为相位编码波形发生器和匹配波滤器，具有５ＭＨｓ带苋和１５６．２５ｋｂｉｔ／ｓ的数据率，在解调器中，匹配滤波器的输出经包络检波和幅度判别，以实现地扩频信号的解扩，该扩频单元具有简单和快速同步的特点。     

n阱CMOS与n型表沟CCD兼容的集成电路工艺

本文介绍并讨论了一种ｎ阱ＣＭＯＳ与ｎ沟ＳＣＣＤ兼容的集成电路工艺。采用这种工艺研制的模拟延迟积分器，工作电压为１５－１８Ｖ，采样频率达１．３ＭＨｚ。     

CCD模拟延迟线在红外系统中的应用

1970年美国贝尔电话实验室的W.S.Bogle和G.E.Smith首先提出了电荷耦合器件(CCD)概念。这是在MOS器件发展的基础上提出的用MOS电容存储的电荷转移来传递信息的概念。根据此概念制成了一种全新的半导体功能器件。由于CCD结构简单,成本低廉,并     

埋沟CCD器件工作状态的设计

文章针对埋沟CCD器件的设计,详细介绍了CCD的工作状态及器件性能参数的设计考虑。对工作在不同状态的CCD,着重讨论了其信号容量、低噪声读出、工作速度等参数及其限制。