一种新型无运放CMOS带隙基准电路

介绍了带隙基准原理和常规的带隙基准电路,设计了一种新型无运放带隙基准电路。该电路利用MOS电流镜和负反馈箝位技术,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压和电源抑制比等对基准源精度的影响。该新型电路比传统无运放带隙基准电路具有更高的精度和电源抑制比。基于0.18μm标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下仿真。采用2.5V电源电压,在-40℃～125℃温度范围的温度系数为6.73×10-6/℃,电源抑制比为54.8dB,功耗仅有0.25mW。     

一种低压CMOS带隙电压基准源

设计了一种与标准CMOS工艺兼容的低压带隙电压基准源,该电路应用二阶曲率补偿,以及两级运算放大器,采用0.8μm BSIM3v3 CMOS工艺,其中,Vthn=0.85 V,Vthp=-0.95 V。用Cadence Spectre软件仿真得出:最小电源电压1.8 V,输出电压590 mV,在0~100℃范围内,温度系数(TC)可达15 ppm/℃,在27℃时输出电压变化率为±2.95 mV/V。     

一种利用比较器实现可靠启动的带隙基准电压源

提出一种在启动电路中使用比较器配置的带隙基准电压源,解决了带隙基准电压源由于使用双极型晶体管而存在的潜在启动失败问题.该带隙基准电压源通过启动电路的比较器来正确判断启动和关闭点以保证电路启动到理想的工作点,并在电路启动后正常关闭启动电路以缩减功耗消耗,同时避免了其它启动电路存在的问题:引起电路抖动或者求助一些系统中很少使用的上电复位信号等.该带隙电压基准电路提供0.9V的带隙基准电压时,可以工作的电压范围和温度范围分别是1.2V～3.6V和-40～110℃,而且该输出电压在给定的电压和温度范围内仅有5％的变化.     

一种高精度的CMOS带隙基准电压源

设计了一种采用0.25 μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源.该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达3×10-6/℃,电源抑制比可达75 dB.还增加了提高电源抑制比电路、启动电路和省功耗电路,以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静态功耗较小.     

一种用于模数转换器的高性能差分参考电压源

介绍了一种可直接应用于模数转换器的低功耗、高性能差分参考电压源.它采用新型结构的带隙基准源产生高精度温度补偿的参考电流,参考电流通过跨导缓冲器直接转换成所需的差分参考电压.该差分电压精度高、温漂小、抗干扰能力强.电路选用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,芯片面积为250μm×350μm.经测量,电路功耗为0.9mW,输出差分参考电压的平均温度系数为9.5×10-6K-1.     

一种用于模数转换器的高性能差分参考电压源

介绍了一种可直接应用于模数转换器的低功耗、高性能差分参考电压源.它采用新型结构的带隙基准源产生高精度温度补偿的参考电流,参考电流通过跨导缓冲器直接转换成所需的差分参考电压.该差分电压精度高、温漂小、抗干扰能力强.电路选用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,芯片面积为250μm×350μm.经测量,电路功耗为0.9mW,输出差分参考电压的平均温度系数为9.5×10-6K-1.     

一种低电压低功耗带隙基准电压源的设计

在分析典型带隙基准电压源的基础上,设计了一种低电压、低功耗的带隙基准电压源,采用二次分压技术降低了输出电压;采用亚阈值技术降低了电路的电源电压,进而降低了电路的功耗,通过PSpice的仿真证明该电压源具有较低的输出电压、较低的功耗和较低的温度系数.     

一种用于马达驱动芯片的过热保护电路

设计了一种应用于马达驱动芯片的过热保护电路。该电路主要由使能电路、基准电压源、温度检测电路、比较输出电路四部分组成。其中,温度检测电路利用PNP晶体管的发射极-基极电压具有负温度系数的特点;为了防止热振荡发生,比较输出电路采用具有磁滞功能的电压比较器。HSPICE仿真结果表明,该电路温度灵敏度高,关闭和开启温度点受电源的影响很小。     

一种改进的BiCMOS工艺欠压锁存电路的设计

针对DC-DC电源管理芯片中所必需的欠压锁存功能,利用带隙基准电压源的原理,提出一种新的改进的UV-LO(欠压锁存)电路的设计,实现了欠压锁存的阈值点和迟滞量,成功地实现了欠压锁存电路的预定功能。基于0.6μm BiC-MOS工艺,HSpice软件仿真的结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单、温度漂移小、功耗低等特点,性能有很大改善,满足了芯片的需要。     

一种适用于低压差分信号驱动电路的带隙基准源设计

针对低压差分信号驱动电路对共模电压和参考电流的需求,提出了一种新型带隙基准源结构,可在一个基准模块内同时提供带隙基准电压和基准电流.对传统带隙基准进行了改进,优化了基准电压和基准电流的温度特性.仿真结果显示,所设计的基准源电路具有较好的温度特性,在温度范围为-40℃～125℃时,基准电压的温漂系数为17.4 ppm/℃,电流基准的温漂系数为63.3 ppm/℃.作为参考电压与电流基准,可有效保证LVDS信号的稳定性.     

一种高性能双极工艺带隙基准电压源的设计

模拟电路一般包含电压基准和电流基准,这种基准是直流量,它与电源和工艺参数的关系很小,但与温度的关系是密切的.产生基准的目的是建立一个与电源和工艺无关、具有确定温度特性的直流电压或电流.文章提出了一种基于2 μm双极工艺设计的高性能的带隙基准参考源.该电路结构简单、性能好.用模拟软件进行仿真,其温度系数为30×10-6/...     

高性能带隙基准源的分析与设计

全面分析了CMOS带隙基准的主要非理想因素,给出了相应的补偿方法,并以此为基础设计了一种高精度的带隙基准源电路。该电路在SMIC 0.35μm CMOS工艺条件下的后仿真结果表明,基准输出电压的温度系数为3.4 ppm/℃(-40~ 125℃),电源抑制比为85 dB。此带隙基准源已应用于14位D/A转换器芯片中,并参加了MPW流片,该D/A转换芯片已经通过测试。     

一种低电源电压高精度带隙基准源的设计

如果要设计一个低电源电压的带隙基准源,就会遇到电源电压和带隙基准参考的性能之间的矛盾,这是因为带隙基准本身的失调和1/f噪声(又称闪烁噪声)所致。通过斩波技术的应用,带隙基准的输出精度得到大幅度的提升,同时1/f噪声也得到了有效的抑制。     

低功耗高抗噪性差分基准电压源的设计

提出了一种新颖的差分放大器拓扑结构,适用于单片集成模数转换器中的差分电压基准源.该结构经过电压、电流两级放大,实现了高开环增益和大电流驱动能力.本设计在德国XFAB公司的0.35 μm CMOS工艺上实现,芯片实测结果为:在3.3 V电源电压下,该基准源的抗噪性为120 dB@80 MHz,增益误差小于2 mV,功耗仅为1.1 mW,具有低功耗、高精度和高抗噪性能.     

一种高精度带隙电压基准源改进设计

在原有经典三条支路结构的带隙基准电路基础上,通过减少带隙电压源的电流源镜像次数及控制电流源漏源电压,在减小器件失配影响的同时,进一步减小了沟道长度调制效应的影响,大幅度提高了基准电压源的精度,降低了温度系数.封装后200片统计测试的结果:输出电压精度为1.23±0.02V,标准偏差σ仅为0.007V,-40～85℃范围内的温度系数测试值在16ppm附近,芯片电源电流为100μA.该改进电路的设计仿真结果和流片测试结果有很高的一致性.     

一种高精度低电源电压带隙基准源的设计

设计了一种可在低电源电压下工作,具有较高电源电压抑制比、低温度系数和低功耗的带隙基准电压源。电路基于对具有正负温度系数的两路电流加权求和的原理,对传统电路做出了改进。采用UMC 0.25 μmCMOS工艺模型,使用Hspice进行模拟,设计的基准源输出电压为900 mV,电源电压可降低到1.1 V,温度系数为8.1×10^-6/℃。     

一种低温漂输出可调带隙基准电压源的设计

带隙基准电压源是利用PN结电压的负温度系数和不同电流密度下两个PN结电压差的正温度系数电压相互补偿,而使输出电压达到很低的温度漂移。带隙电压基准具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压以及长期稳定性等优点。根据带隙基准电压源理论,在传统CMOS带隙电压源电路结构的基础上,采用一级温度补偿、电流反馈等技术,设计出了一种高精度、输出可调的带隙电压基准源。该电路具有精度高,输出电压可调,稳定性好,易于实现的特点。     

一种低温漂、高精度CMOS带隙基准源设计

基于线性分段补偿的基本原理,依据输出支路内部的温度负反馈结构,提出了一种结构简单、适应不同开口方向的高阶补偿方法。并设计了一种基于电流镜结构的低温漂、高精度的电压基准电路。CSMC 0.35 μm CMOS工艺的仿真结果表明,经高阶补偿的电压模基准,在-40~125 ℃温区范围内温度系数为2.84×10^-6/℃,低频100 Hz时的PSRR达到-70.6 dB,10 kHz为-63.36 dB。当电源电压在2~3 V范围内变化时,其电压值波动为3 mV/V。整个带隙基准电压源具有较好的综合性能。