新型半导体材料SiC

SiC是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，作为Si等半导体材料的重要补充，可制作出性能更加优异的高温（300～500℃）、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。SiC高功率、高压器件对于公电输运和电动汽车等节能具有重要意义。Silicon（硅）基器件的发展，未来已没有可突破的空间了，目前研究的方向是SiC（碳化硅）等下一代半导体材料，这种新器件将在今后5～10年内出现，它的出现会产生革命性的影响。     

高压SiC器件在FREEDM系统中的应用

碳化硅SiC(silicon carbide)是目前最为成熟的宽禁带半导体材料之一,在高压、高温、高频等领域,碳化硅器件的研究和应用已成为当前的研究热点。针对碳化硅器件目前的生产使用状况,简述了与碳化硅主要生产商CREE紧密合作的FREEDM中心的研究情况,重点分析了高压SiC MOSFET,IGBT,ETO,JFET在SST(Solid State Transformer)和FID(Fault Isolation Device)中的应用。针对各类器件本身的特性,FREEDM中心有针对性的选择了相关应用领域,并开发了多代SST和FID的拓扑,许多重要的研究成果引领了全球高压SiC器件的研究趋势。     

国家半导体照明工程进展

<正>半导体照明亦称固态照明,是用第三代半导体材料制作的光源和显示器件,具有耗电量少、寿命长、无污染、色彩丰富、耐震动、可控性强等特点。半导体照明是继白炽灯、荧光灯之后照明光源的又一次革命。其应用领域广泛、产业带动性强、节能潜力大,被各国公认为最有发展前景的高技术节能产业之一。1半导体照明的重要战略地位1.1发展半导体照明是转变经济发展方式、培育新的增长点最现实的选择之一半导体照明具有巨大的市场需求,具备资源能耗低(材料制备、产品制造和应用3个阶     

未来紫光LED晶片将成LED照明研究重点

上世纪末，半导体照明开始出现并快速发展，其中一个核心前提是蓝光GaN基发光材料的生长和器件结构的制备，而未来材料和器件结构技术的水平也终将决定半导体照明技术的高度。就GaN基材料及器件衍生出设备、源材料、器件设计、芯片技术、芯片应用等五大部分进行分析。     

国外微处理测量仪器性能简介

前言五十年代半导体技术的兴起,使电子测量仪器由采用电子管的第一代进入采用半导体的第二代。集成电路虽然也是半导体技术,但它已能将传统的电阻、电容等无源器件同晶体管等有源器件一起通过采用半导体工艺刻制在同一缺硅片上,从而大大减少了仪器的体积和重量。采用集成电路的测量仪器可以认为是第三代。七十年代初,由于工艺技术的不断发展,集成电路已由小规模、中规模而进入大规模。随着大规模集成电路与计算机技术更加密切地     

红外光谱分析在高压硅器件表面保护材料固化工艺研究中的应用

一、前言半导体表面,特别是高压硅器件的p-n结表面,对污染极为敏感,表面沾污严重地影响着硅器件的性能。因此,经过磨角,腐蚀后的半导体表面,必须用表面保护材料保护起来,因而,保护材料的性能直接影响着器件的性能。     

六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了兼容Si基CMOS工艺流程,以及考虑到大尺寸、低成本等优势,在Si衬底上进行GaN材料的异质外延及器件制备已经成为业界主要技术路线。详细介绍了在6英寸Si衬底上外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构功率电子材料,以及基于6英寸CMOS产线制造Si基GaN功率MIS-HEMT和常关型Cascode GaN器件的相关成果。     

宽禁带SiC单晶衬底研究进展

碳化硅(SiC)作为第3代宽禁带半导体的核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、化学稳定性好等优良特性,是制作高压、大功率、高频、高温和抗辐射新型功率半导体器件的理想材料。近年来,国内外在SiC单晶衬底制备方面取得了重大进展。对SiC单晶衬底材料的最新发展进行回顾,包括SiC单晶生长技术、直径扩大、缺陷控制等,对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。随着高质量大尺寸SiC衬底材料的迅速发展,大大降低了SiC器件的制造成本,为SiC功率器件的发展提供了坚实基础。     

ZnO基紫外光透明导电薄膜的研究进展

ZnO是一种宽禁带半导体材料,通过阳离子Al^3＋掺杂可以改善其导电性,而且通过掺杂MgO进行“能带剪裁”可以实现从紫外到可见光范围内的完全透明。因此,ZnO基紫外光透明导电薄膜近年来逐渐成为半导体光电材料与器件的研究热点之一。本文介绍了紫外光透明导电薄膜MgxZn1-xO：Al的基本特性、制备方法及研究进展。     

IBM第四代SiGe工艺推动测量仪器频率提升

IBM公司拥有庞大的半导体研发和生产能力,自1989年开发成功锗硅(Si Ge)材料和Si Ge双极互补金属半导体(BiCMOS)工艺,每两年左右进行一次升级,今年8月宣布第四代Si Ge工艺全面提升,采用130nm线宽代替原来第三代的180nm线宽,使Si Ge器件进入到100GHz的商业电子应用,这些热门产品包括:·24GHz的汽车倒车告警和77GHz的避撞告警系统;·60GHz的无线局域网和骨干网的芯片组;·移动通信的软件接收机和全球定位系统;·高速A/D转换和D/A转换器。传统上,10GHz以下的高频模拟功率器件可由Si材料实现,而且工艺与CMOS兼容,带来许多设计和制…