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在13~300K温度下研究了稀磁半导体ZnTe/Zn1-xMnxTe超晶格的喇曼散射,观测到多个声子喇曼峰.在近共振条件下,峰的强度增强,线宽显著变窄,并观测到更多不同声子组合的喇曼散射峰.计算和分析了超晶格中应力引起的声子频移,与实验结果一致.还分析讨论了观测到的宏观界面模 相似文献
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GaAs/AlAs超晶格中的TO声子限制模 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道在室温和非共振散射条件下,GaAs/AlAs 超晶格结构中TO声子限制模的拉曼散射测量结果.超晶格样品用MBE方法生长在<001>晶向的GaAs衬底上.在背散射条件下,具有E对称性的TO 声子是拉曼禁戒的.但是利用近布儒斯特角入射和大孔径的散射光收集透镜,我们观测到分别限制在GaAs和AlAs层中的TO声子模.其中,限制在AlAs层中的TO模是首次报道.从测量的TO声子限制模频率得到的声子色散曲线与GaAs和AlAs体材料的TO声子色散曲线进行比较,二者符合良好.进一步证明,超晶格结构的拉曼散射测量是测定晶体声子色散曲线的有效的实验方法. 相似文献
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GaAs/AlAs短周期超晶格中的纵光学声子限制模 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道在室温和非共振条件下,GaAs/AlAs短周期超晶格结构中的纵光学声子限制模的拉曼光谱测量结果.首次观察到限制在GaAs和AlAs层中的全部纵光学声子模.从测量的拉曼散射峰的频率得到的超晶格结构的声子色散曲线,与GaAs和AlAs 体材料的声子色散曲线进行了比较,二者符合尚好.因此,短周期超晶格结构的拉曼光谱测量有可能成为测定晶体声子色散曲线的一种新方法. 相似文献
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报道了在室温和非共振条件下,(GaAs)_n(AlAs)_n超晶格结构的喇曼散射测量结果。在适当的散射配置下,观察到分别限制在GaAs和AlAs层中的LO和TO声子模。根据线性链模型,把喇曼散射测量到的光学声子限制模的频率按q=2πm/[α_0(n+1)]展开所得到的光学声子色散曲线,与体材料GaAs和AlAs的光学声子色散曲线符合良好。 相似文献
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在静压和液氮温度下观察到(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达4阶的类ZnSeLO多声子喇曼散射,并观察到厚ZnSe势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ZnSeLO声子散射。结果表明,加压后(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中的类ZnSe的1LO和2LO声子模频率分别以3.76和7.11cm^-1/GPa的速率向高频方向移动,超晶格阱层光致发光峰的压力系数 相似文献
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(CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱是由(CdTe)_m(ZnTe)_n短周期超晶格限制在ZnTe势垒中组成的新结构。它可以提高CdTe/ZnTe异质生长的临界厚度。静压下的光致发光研究表明加压后(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格和ZnTe势垒层的光致发光峰分别以8.80和 9.47meV/kbar的速率向高能移动。利用这种静压下的带隙变化,实现了与514.5和488.0nm激发光的共振喇曼散射。观察到高达4阶的多声子共振喇曼散射。并发现与(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格共振时的类ZnTe LO声子模频率比与ZnTe热垒共振时的ZnTe LO声子频率低1.4cm~(-1)。反映了在(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格中LO声子的局域效应。 相似文献
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报道了MBE外延生长的GaxIn1-xAsySb1-y四元混晶的拉曼散射谱与远红外反射谱,并从拉曼散射谱中观察到了GaxIn1-xAsySb1-y四元混晶的晶格振动四模行为;从实验中还观察到低于180cm^-1的若干散射峰,提出它们可能是与次近邻原子间相互作用的晶格振动模式有关;从们曼散射谱和红外反射谱中观察到了与GaxIn1-xAsySb1-y四元混晶多声子吸收过程的有关的现象。 相似文献
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报道了MBE外延生长的GaxIn1-xAs ySb1-y四元混晶的拉曼散射谱与远红外反射谱,并从拉曼散射谱中观察到了G axIn1-xAsySb1-y四元混晶的晶格振动四模行为;从实验中还观察到低于180cm-1的若干散射峰,提出它们可能是与次近邻原子间相互作用的晶格振动模式有关;从拉曼散射谱和红外反射谱中观察到了与GaxIn1-xAs ySb1-y四元混晶多声子吸收过程的有关的现象. 相似文献
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在静压和液氮温度下观察到(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达4阶的类ZnSeLO多声子喇曼散射,并观察到厚ZnSe势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ZnSeLO声子散射.结果表明,加压后(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中的类ZnSe的1LO和2LO声子模频率分别以3.76和7.11cm-1/GPa的速率向高频方向移动,超晶格阱层光致发光峰的压力系数为59.8meV/GPa.与(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格共振时的类ZnSe1LO声子模频率比与ZnSe势垒层共振时的类ZnSe1LO声子模频率低2.0cm-1,反映了(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中LO声子的限制效应 相似文献
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在室温和非共振条件下,测量了超短周期(1—3个单层)GaAs/AlAs超晶格的 Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘 CaAs衬底上.实验结果表明,在这种超短周期超晶格中存在两种作用:一种是光学声子的限制效应,另一种是混晶化效应.对于单层超晶格,在各种散射配置下的 Raman光谱都与Al(0.5)Ga_(0.5)As三元混晶的Raman光谱十分相似.而对于4个单层或者更厚的超晶格样品,混晶化效应基本可以忽略,仅仅表现为界面效应,光学声子的限制效应起主导作用. 相似文献
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在11K-80K温度范围内研究了用MBE生长的ZnTe/Zn1-xMnxTe超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱.在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算,并讨论了导带偏移Qc和平均晶格常数的取值对计算结果的影响,还研究了x值对轻、重空穴激子能级位置的影响.在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子(6阶),还观测到垒中和阱垒间光学声子的组合模 相似文献
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报道了 MBE外延生长的 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的拉曼散射谱与远红外反射谱 ,并从拉曼散射谱中观察到了 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的晶格振动四模行为 ;从实验中还观察到低于 180 cm- 1的若干散射峰 ,提出它们可能是与次近邻原子间相互作用的晶格振动模式有关 ;从拉曼散射谱和红外反射谱中观察到了与 Gax In1 - xAsy Sb1 - y四元混晶多声子吸收过程的有关的现象 相似文献
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首次报道了室温和非共振条件下,分子束外延(MBE)生长的CdTe/ZnTe超晶格的喇曼散射测量和分析。观察到最低级次的CdTe和ZnTe纵光学声子限制模,并用应力和限制效应精确计算了频移,得到的ZnTe纵光学声子频移理论值与实验结果符合得较好。特别指出,当CdTe和ZnTe层厚小于2nm时,声子频移的限制效应不可忽略,对所测样品的喇曼全谱作了分析。 相似文献
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在11K-80K温度范围内研究了用MBE生长的ZnTe/Zn1-xMnxTe超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱。在考虑了样品中晶格中失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算,并讨论了导带偏移Qc和平均晶格常数的取值对计算结果的影响,还研究了x值对轻、重空穴激子能级位置的影响。在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子(6阶),还观测到垒中和阱垒间光学声子的组合模。 相似文献
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GaNAs的声子拉曼散射研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对分子束外延生长的GaNAs外延层进行了拉曼散射研究,观测到了由于导带中的E+态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Г点声子的拉曼峰,清晰地观测到了随氮含量增大,氮在GaAs中的局域模振动演变为GaNAs中的类GaN晶格声子带模。通过样品在850度快速热退火前后拉曼谱的对比,推测地指认了两个与氮的成对或成团效应有关的振动峰。 相似文献