UHF高性能硅结型场效应管——国产NU310型N沟结型场效应管

硅N沟结型场效应晶体管在VHF/UHF频段应用,在性能、价格以及稳定可靠性方面均具有很多优点.美国MOTOROLA公司及SILICONIX等公司生产的U310型和BF256型等N沟结型场效应管,都具有良好的高频性能.近年来,这类结型场效应管均已国产化,为VHF/UHF频段的放大、混频以及振荡的应用,提供了方便条件.本文介绍的就是国产NU310型(相当国外U310型)结型场效应管的主要性能及一些电路应用.     

结型场效应管的应用电路

<正> 结型场效应管噪音小、输入阻抗高,所以常用于放大器的第一级,用作放大或缓冲器(起到阻抗变换作用)。现举两应用实例。 1.低频阻容耦合宽带放大器(图1) 采用结型场效应管(3DJ7)作第一级电压放大器的优点是噪音低、输入阻抗高、频带宽。本电路是一种带有源极电阻(R3)自偏置共源电路。源极与地之间接C3,使交流无负反馈。电压增益与3DJ7的跨导及负载电阻(R2)有关。当直流电流I_(DS)为0.2～0.3mA时,电压增益在20dB(10倍)以上。其低端频率主要取决于C3,而高端则与信     

夹断电压可调的高压结型场效应管

基于Double RESURF 700VBCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET)。这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N阱(N-well)表面耗尽和衬源反偏引起的底部耗尽共同作用结果,故夹断电压可受J-FET的栅电位调制。同时通过改变高压J-FET的P型埋层(P-buried)掩膜窗口的大小和间距,来改变P-buried和N-well的杂质浓度分布,达到改变J-FET夹断电压的目的。在不增加工艺步骤和改变原有工艺条件的情况下,通过实验得到击穿电压大于700V,夹断电压在8V和17V之间可自由调整的高压J-FET器件。该器件可以作为启动器件和供电模块的线性调整器件使用。由于其夹断电压受P-buried注入版图尺寸的影响,同时受栅电位调制,所以可以满足线路设计者的不同要求。     

结场效应管运算放大器

日本电气公司最近开始生产μPC812C型结场效应管输入运算放大器.该公司称,它的带电容负载稳定性高于一般产品的10倍.该器件能驱动10,000微微法的电容负载,输入偏流为50微微安.该器件同PNP     

一种互补结型场效应管负阻器件

介绍了一种利用集成互补结型场效应管的简单复合而构成的负阻器件，并且对该负阻器件的温度特性进行了分析，为设计具有温度稳定性的负阻器件提供了有益的参考。     

一种高灵敏度的磁敏结型场效应管

本文提出了一种新型、高灵敏度的磁敏传感器——劈裂漏结型场效应管。分析表明,该器件工作在“夹断”状态时,沟道中具有最强的电场及霍尔效应;相对灵敏度与迁移率成正比,并与器件几何结构有关。计算机模拟证实了这一结果。与灵敏度较高的劈裂漏MOS管相比,由于结型场效应管中的迁移率为体迁移率,较表面迁移率高,因而具有更高的灵敏度。且器件具有较好的稳定性和噪声特性,适于集成,因而有广阔的应用前景。     

一种新型超级联碳化硅结型场效应管

提出了一种改进型超级联碳化硅结型场效应管。首先从传统超级联碳化硅结型场效应管入手,分析了其缺陷和不足之处。然后阐述了改进型超级联碳化硅结型场效应管的内部结构和工作原理,给出了元器件选择的依据与方法。对改进型超级联碳化硅结型场效应管的导通和开关特性进行了测试,实验测试得出改进型超级联碳化硅结型场效应管的阻断电压超过4500V,25℃时开关时间小于80ns,开关损耗约为15mJ,具有良好的开关特性。     

SYJ结型场效应管在音频电路中的应用

SYJ 型场效应管是 N 型沟道结型场效应晶体管,其结构如图1所示。在 N 型硅材料的两端引出的电极分别称为漏极(D)和源极(S),在 N 型硅材料的两侧各做一个 P型区,相连引出的电极称为栅极(G)。通过控制栅源之间电压 V_(GS)就可改变漏电流 I_D     

双注入结型场效应管的电流—电压特性

对新型半导体器件－双注入结型场效应管的电流－电压特性进行了详细分析，并得出解析表达式，为该器件的设计和应用提供了理论依据。     

双注入结型场效应管的电流-电压特性

对新型半导体器件——双注入结型场效应管的电流－电压特性进行了详细分析，并得出解析表达式，为该器件的设计和应用提供了理论依据。     

NEC开发低噪声异质结场效应管

<正>据日本《电子世界》1991年第7期报道,日本电气开发了0.5dB低噪声异质结场效应管,型号为NE32684A。该管作为高频放大器件主要用于卫星接收变频器。 该产品是在GaAs衬底上通过MBE生长,把形成的几十层InGaAs层作为沟道的HJ     

热释电探测器与结型场效应管的低频最佳耦合

目前,热释电探测器(PED)的前放大多采用JFET,并根据阻抗匹配原则来选择,笔者认为这会使PED的性能受到限制。本文试图从噪声理论入手,给出PED-JFET系统低频最佳耦合时PED的最佳源电阻,从而得出JFET最佳输入电阻的选择原则。     

硅结型三极管特性场效应管参数的测量与讨论

通过实验,测量了硅结型三极管特性场效应管的栅-漏击穿电压BV_(GD)对栅-源击穿电压BV_(GS)的依赖关系。提出了源串联电阻R_S及沟道宽度2a的非破坏性测量方法,并进行了实际测量。同时,用西泽静电感应晶体管(SIT)概念给出的源串联电阻R_S表达式进行测量计算,发现测得的R_S与实际结果相差很大,且不满足西泽自己提出的三极管特性出现的条件R_S·G_m<<1,而用本文提出的测量方法测得的R_S与实际结果符合得很好。最后,文章还讨论了器件的沟道宽度与饱和压降的关系。     

结型场效应管在驻极体电容传声器中的应用与参数测试

本文从驻极体电容传声器的等效电路出发,导出Ku的计算公式;并对影响驻极体电容传声器性能和场效应管参数测试的一些因素进行计算分析,对生产测试中出现的一些问题作出解释.     

N沟道耗尽型DMOS场效应管

由西安春秋视讯技术公司经销的耗尽型ＤＭＯＳ场效应管主要有输入阻抗高、输入电容低、开关速度快、导通电阻低、输入输出漏电流和防止二次击穿等特性。该系列器件可广泛用于常开开关、转换、恒流源、固态继电器、线性放大器、电源电路及通信等装置和系统。西安春秋视讯公司所经销的耗尽型ＤＭＯＳ场效应管具有Ｔ０-９２、Ｔ０-２２０和Ｔ０-２４３ＡＡ三种封装形式。表中是该系列器件的主要参数及对应型号。西安春秋视讯公司电话:０２９-８３１３９７２N沟道耗尽型DMOS场效应管     

QC15型微波场效应管测试仪

QC15型微波场效应管测试仪系上海无线电仪器厂产品.该仪器可供有关工厂、科研单位和实验室用于测量微波小功率低噪声场效应管在6千兆赫频率时的K_P、N_F.如配上外接本振,可用来测量5厘米频段内放大器的K_P和N_F值.测试精度为:     

无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展

迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。在这么短的距离内,为使器件能够工作,将不得不采用非常高的掺杂浓度梯度。进入纳米领域,常规CMOS器件所面临的许多问题都与PN结相关,传统的按比例缩小将不再足以继续通过制造更小的晶体管而获得器件性能的提高。半导体工业界正在努力从器件几何形状,结构以及材料方面寻求新的解决方案。文中研究了无结场效应器件制备工艺技术及其进展,这些器件包括半导体无结场效应晶体管、量子阱场效应晶体管、碳纳米管场效应晶体管、石墨烯场效应晶体管、硅烯场效应晶体管、二维半导体材料沟道场效应晶体管和真空沟道场效应管等。这些器件有可能成为适用于10nm及以下技术节点乃至按比例缩小的终极器件。     

55V 沟槽型功率场效应管设计

设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。仿真与流片的击穿电压偏差1.5%、阈值电压偏差2.4%、导通电阻偏差0.83%,器件具有较高的可靠性。     

场效应管设计

本文概述了场效应管的分类和设计。设计按常规程序考虑，特殊的ＭＯＳ管还要考虑相关许多其它因素，以及理论与实践结合后的取舍。