埋粉烧结对BaTiO3陶瓷性能的影响

将自制的水热法BaTiO3粉体干压成形后,分别进行无埋料烧结、Al2O3粉体做埋料烧结和母体BaTiO3粉体做埋料烧结,对烧结后陶瓷体的致密度、显微结构及介电性能进行了分析.结果表明:埋粉烧结对BaTiO3陶瓷体的性能产生显著影响;BaTiO3粉体做埋料时得到的瓷体密度高、晶粒小、电性能优良.     

掺杂Y3+,Dy3+的BaTi0.91Sn0.09O3陶瓷系统介电性能研究

研究了BaTiO3-BaSnO3系陶瓷电容器瓷料中掺杂稀土氧化物Y2O3和Dy2O3及不同掺杂方式对材料介电性能的影响.初步制得有高介电常数、低温度变化率的高压陶瓷电容器瓷料,应用X-射线衍射对样品进行微观结构分析,并探讨了改性作用的机理.     

Dy_2O_3和La_2O_3掺杂对BaTiO_3铁电陶瓷介电特性的影响

对BaTiO3 和BaTiO3-Nb2 O5-Co2 O3 系组成进行了Dy2 O3 和La2 O3 稀土改性的研究 ,考察了该系统的介电温度特性和耐电性能 ,观察了样品的显微结构 ,讨论了Dy2 O3 和La2 O3 在改变BaTiO3 铁电温谱特性的作用 .结果表明 :Dy2 O3 和La2 O3 的掺杂效果存在差异 ,Dy2 O3掺杂明显促使BaTiO3 细晶化 ,而La2 O3 掺杂呈现出对BaTiO3 基介质材料的Curie峰更强的压峰和移峰效应 .在BaTiO3-Nb2 O5-Co2 O3-Dy2 O3 系统中可获取高介高压特性瓷料 ,其介电常数≈ 3 0 0 0 ,tgδ <1.5 % ,介电温谱符合“X7R”标准 ,击穿强度可达 7～ 8kV/mm     

Dy2O3和La2O3掺杂对BaTiO3铁电陶瓷介电特性的影响

对BaTiO3和BaTiO3-Co2O3系组成进行了Dy2O3和La2O3稀土改性的研究,考察了该系统的介电温度特性和耐电性能,观察了样品的显微结构,讨论了Dy2O3和Dy2O3和La2O3在改变BaTiO3铁电温谱特性的作用,结果表明：Dy2O3和La2O3的掺杂效果存在差异,Dy2O3掺杂明显促进BaTiO3细晶化,而La2O3掺杂呈现出对BaTiO3基介质材料的Curie峰更强的压峰和移峰效应,在BaTiO3-Nb2O5-Co2O3-Dy2O3系统中可获取高介高压特性瓷料,其介电常数≈3000,tgδ＜1．5％,介电温谱符合“X7R”标准,击穿强度可达7－8kV/mm。     

稀土元素及金属氧化物掺杂对BaTiO3系统耐压性能的影响

研究了稀土元素Er2O3掺杂对细晶BaTiO3系统介电及耐压性能的影响.其在BaTiO3晶粒中可抑制晶粒生长,使尺寸变小,体密度增高,呈现细晶效应,ε峰在整个温区范围内弥散,提高室温下介电常数,减小容量变化率.ZnO的加入使瓷料形成致密的细晶结构,有效地阻止了晶粒过度长大,改善了微观结构,减小了因气孔而造成的击穿,提高了耐压强度.     

Cr2O3-Al2O3-ZrO2高铬制品

介绍了Cr2O3-Al2O3-ZrO2制品的组成及各组成的作用、烧成气氛、制品的显微结构特征和性能指标.着重论述了影响制品性能的烧成工艺和以电熔、烧结两种Cr2O3颗粒生产的Cr2O3-Al2O3-ZrO2制品的显微结构差异,表明在还原气氛下烧成的Cr2O3-Al2O3-ZrO2制品性能优良,而采用电熔Cr2O3料生产的Cr2O3-Al2O3-ZrO2制品性能优于使用烧结Cr2O3料生产的.     

添加Co2O3对微波低介电常数陶瓷机械品质因数的影响

研究了添加不同质量分数的Co2O3对Mg3TiO4-Mg2SiO3基微波低介瓷料微观结构及介电性能的影响，通过XRD，SEM分析，发现Co2O3在瓷料中起助溶作用，有效降低了瓷料的烧结温度，使瓷体致密化，同时降低了损耗即提高了机械品质因数Q。加入的Co2O3分解生成的Co2^ 置换主晶相Mg2TiO3中的Mg^2 形成了固溶体(Mg，Co)2TiO3。当添加质量分数为2．4％的Co2O3时获得介电性能较好的瓷料。     

BaTiO3基多层陶瓷电容器抗还原介质材料的研究进展

多层陶瓷电容器(MLCC)是一类重要的片式元器件,内电极的贱金属化已成为其产品开发的主流。MLCC内电极贱金属化的关键技术是获得抗还原性能优异的瓷料,能够与贱金属镍电极实现共烧的BaTiO3基抗还原瓷料的研究是目前MLCC研究的热点。本文综述了BaTiO3基抗还原介质材料的抗还原机理、制备方法及研究进展。     

Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(Mg_(1/2)W_(1/2))O_3-PbTiO_3三元系低温烧成多层陶瓷电容器瓷料的研究

本文选择Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(Mg_(1/2)W_(1/2))O_3-PbTiO_3三元系低温烧成独石电容器瓷料为研究对象.实验结果表明,一次合成工艺优于分别合成工艺.采用适当的配方,可获得900℃左右烧成ε～8000,tgδ0.01～0.025,-25℃～+85℃下△C/C<±45%,且其它性能亦良好的独石瓷料.升温速度的加快将导致介电性能的下降.微观结构研究结果表明,颗粒尺寸的增加和高介电常数晶体的增多将有利于ε的提高.获得了890℃～920℃下一次烧成该瓷料用的全银电报.     

添加剂对PNN-PMW-PT低温烧结MLC瓷料性能的影响

探讨了MnCO2，PbO，NiO，Ni2O2作为添加剂对Pb(Ni1/2Nb2/3)O3-Pb(Mg1/2W1/2)O3-PbTiO3三元系独石电容器瓷料电性能的影响。经研究认为，适当添加上述化合物将在一定程度上改善瓷料的电性能和促进瓷料的致密化进程。实验得出该瓷料的烧结机理为颗牲重排基础上的溶解-沉积传质-微观结构研究结果表明，适量添加Ni2O3有利于促进晶粒的长大反高介晶体的增多。