弱吸收薄膜的光学分析——对多晶硅薄膜的应用

本文阐述了一种测定弱吸收薄膜光学常数色散的新方法,弱吸收薄膜和无吸收薄膜镀在吸收基底上。利用无吸收膜层厚度变化,获得一系列的光谱反射率曲线,由此给出弱吸收薄膜的光学常数。对两层膜的多晶硅薄膜作了完全的光学分析。     

串并联吸收式微带限幅器设计

本文采用微波网络理论对串并联吸收式微带限幅器的[S]参数做了详细分析。根据限幅器不同工作状态对[S]参数的不同要求进行了合理的电路设计。同时说明了限幅管的选择原则和等效参数的提取方法。最后给出了实际制做的限幅器的性能指标,说明此设计方法的有效性。     

掺杂高温多晶硅和低温多晶硅的氧化

引言 在双极型半导体集成电路和MOS集成电路中,CVD多晶硅膜广泛用作隔离、互连引线、硅栅、钝化等工艺,近年来采用双层多晶硅工艺的16k以上RAM及BoMos (1)（掩埋氧化物MOS）中的源、漏区、则代表了多晶硅在LSI中新的应用。特别是用作互连引线及双层多晶硅中的多晶硅,必须进行多晶硅氧化,以提供电绝缘,就要求多晶硅氧化层是一层可靠的、电导率低的绝缘材料通常,用作硅栅的多晶硅膜在700℃左右温度下淀积,我们把它称作低温多晶硅。而应用于BoMoS中作源、漏的多晶硅膜是在高     

多晶硅的性质

在高温下(600～1000℃)用硅烷分解法于热氧化层上生长了多晶硅。从生长条件影响的角度出发研究并讨论了结晶学电学性能及其他方面的性能。发现掺硼多晶硅的导电率为生长温度、气相中B_2H_6的浓度、薄膜厚度以及载运气体的函数。而且这些因素看来似乎主要改变薄膜的载流子浓度。     

吸收型准高斯带通滤波器的研制

在数字及高速率信号传输系统中,经常采用Bessel或Gaussian函数滤波器,该类滤波器只有在中心频率(带通滤波器)或DC处(低通滤波器)才有良好的匹配特性,在其他频点都有很大的反射,在微波电路的级联中会产生杂波和干扰。为了解决该问题,设计了一种在通带和阻带内都有很小反射的滤波器,即吸收型(匹配型)准高斯类带通滤波器。介绍了其设计过程及方法,并设计了一种中心频率为100 MHz的吸收型准高斯带通滤波器,给出了仿真结果和实测曲线,实测结果与仿真结果吻合得很好。     

串关联吸收式微带限幅器设计

本文采用微波网络理论对串并联吸收式微带限幅器的（Ｓ）参数做了详细分析。根据限幅器不同工作状态对（Ｓ）参烽的不同要求进行了合理的电路设计。同时说明了限幅管的选择原则和等效参数的提取方法，最后给出了制做的限幅器的性能指标，说明此设计方法的有效性。     

InSb的带间双光子吸收的实验观察

InSb双光子带间吸收,特别是双光子带间磁光吸收,无论从应用InSb材料于高强度红外光学或者是从对InSb能带结构的了解上看都是一个很有兴趣而又尚未完全解决的问题。我们用观测双光子吸收产生的光电导的方法观察了InSb对CO_2激光的双光子吸收。曾在室温、液氮、液氦下观察没有外加磁场时的双光子吸收以及在液氦温度下观察了双光子磁光吸收。     

多晶硅沉积工艺中中间层对多晶硅质量的影响

采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以SiH4和H2为气源,在350 ℃的低温条件下,在普通玻璃衬底上沉积了多晶硅薄膜.主要考察了中间层对多晶硅薄膜沉积质量的影响.实验证明,当中间层的沉积温度为350 ℃,H2流量为20 sccm时,得到多晶硅薄膜晶粒的直径最大,为53 nm;且随着中间层沉积温度的提高,薄膜的结晶度提高.     

n-InSb的磁双光子带间吸收研究

通过测量光电导和调制光电导,观察到了15K温度下的n-InSb在CW CO_2激光照射产生的磁双光子吸收(TPMA).实验取Voigt位形,磁场沿[111]晶向且最大为4.2T.实验的结果表明,“一次带内,一次带间”跃迁理论可以相当好地解释InSb中的TPMA过程,且大部分吸收为“球对称跃迁”,而其余为较弱的空间反演不对称、斜项和k_H跃迁.通过计算三阶非线性系数虚部得到的TPMA吸收系数与实验测得的双光子光电导之比较亦表明,现有的此方面的理论解释是成立的.     

小型化带制冷电吸收调制激光器的研究

随着光通信朝着高速、高带宽和大容量方向发展,开发高性能的光通信用器件并减小器件的体积以降低成本变得越来越重要.电吸收调制激光器(EML)具有体积小、啁啾效应小、驱动电压低和弛豫振荡频率高等优点,成为当前国内外长距离、高速光通信系统的理想光源.然而,EML对温度非常敏感,温度的微弱变化都会影响其工作的稳定性.因此,如何使...     

射频溅射Zn_xCd_1—_xS薄膜的吸收带

ZnxCd_1—xS固熔体薄膜在太阳能电池和光导传感器等光电器件的应用上已显得愈来愈重要。这种薄膜通常是采用真空蒸发和喷溅技术来制备的。Deforges等人已叙述了用溅射方法制备了ZnxCd_1—xS薄膜。Bunton和Day等也是用溅射方法制备了ZnS薄膜。虽然对光学应用来讲光能带是半导体一个很重要的参量,但是这方面可利用的资料却很少。在本实验中,为了得到光能带与组分的关系,我们研究了ZnxCd_1-xS薄膜的光吸收光谱。这种ZnxCd_1—xS薄膜是     

高选择性透射的双吸收带FSR设计

本文提出了一种带有高选择性透射窗口的双吸收带的频率选择吸波器.该吸波器具有一个可近乎透明传输的通带,并且在这个透射窗口两边分别具有一个高效吸收带,同时对不同非损耗层的设计,该透射窗口可以具备高选择性.此吸波器采取双层平面结构,包括上层的电阻性损耗层和下层的非损耗的带通频率选择表面层,两者的结合就实现了吸波-透射-吸波的...     

多晶硅膜的高压氧化

对未掺杂的、重磷掺杂的和重硼掺杂的多晶硅膜在812℃,7.5atm的高压水汽中的氧化特性进行了研究.为了比较,同时给出了(111)-Si 和(100)-Si的氧化结果.对未掺杂多晶硅,氧化特性和常压湿氧情况下类似,但标志初始迅速氧化阶段的时间t_1变短.对重磷掺杂多晶硅膜,加速氧化是很明显的.它能得到一个较大的x_(pod)/x_(SOM)厚度比率.对重硼掺杂多晶硅,在高压和常压下氧化速率都比(111)-Si快,但加速氧化的现象小得多.     

用低对称性带轴CBED图中holz线测量点阵常数

用会聚束电子衍射中高阶劳厄带效应产生的holz线测定点阵常数时,通常用(111)带轴图中的holz线。本文探讨在高对称性带轴CBED图中不易观察到holz效应的情况下,用低对称性带铀CBED图中holz线测量点阵常数的可能性。对奥氏体不锈钢和纯铝的不同带轴的CBED图中的holz效应进行了观察。CBED在装有普通SAP极靴的JEOL 100C×H上实现.加速电压120kV。由于奥氏体不锈钢的特征温度较高,原子质量较大,热运动所引起的原子的均方位移较小,Debye—Waller因子较大,(111)带轴的holz线清晰可见,而铝的原子质量较小,Debye—Waller因子较小、(111)带轴的holz线很难观察到。     

低温多晶硅新技术

日立公司为了利用低温多晶硅ＴＦＴ技术实现系统处理芯片集成到ＴＦＴ ＬＣＤ屏上 ,开发了新的激光退火技术。由于准分子激光退火技术熔融硅冷却时间太短 (约 10 0ｎｓ) ,其结果晶粒小、多晶硅迁移率为 10 0～ 2 0 0ｃｍ2 /Ｖ·ｓ,不能满足系统处理芯片集成到ＴＦＴ ＬＣＤ屏上的多晶硅迁移率的要求 (应满足多晶硅迁移率高于 4 0 0ｃｍ2 /Ｖ·ｓ)。日立公司利用Ｎｄ∶ＹＶＯ4固体激光器可以控制脉宽和间隙 ,从而得到大晶粒多晶硅 ,其多晶硅迁移率为 4 80ｃｍ2 /Ｖ·ｓ,最大迁移率可达 6 70ｃｍ2 /Ｖ·ｓ,为系统集成创造了条件。低温多晶硅新…     

低温多晶硅新技术

日立公司为了利用低温多晶硅TFT技术实现系统处理芯片集成到TFT LCD屏上 ,开发了新的激光退火技术。由于准分子激光退火技术熔融硅冷却时间太短 (约 1 0 0ns) ,结果导致晶粒小、多晶硅迁移率低 (为 1 0 0～ 2 0 0cm2 /V·s) ,不能满足系统处理芯片集成到TFT LCD屏上的多晶硅迁移率要求 (多晶硅迁移率应高于 40 0cm2 /V·s)。该公司利用Nd∶YV0 4 固体激光器以控制脉宽和间隙 ,从而得到大晶粒多晶硅 ,其多晶硅迁移率为480cm2 /V·s ,最大迁移率可达 670cm2 /V·s,为系统集成创造了条件低温多晶硅新技术…     

多晶硅产业变局

这是令人触目惊心的数字： 多晶硅的利润率在去年上半年曾一度超过300％。然而,全球经济危机又令多晶硅的国际市场价格在三个月内暴跌50％以上。     

高效多晶硅太阳能电池

日本夏普公司最近研究出转换率高达16.4％的多晶硅太阳能电池。这种太阳能电池呈10cm 见方,电极与电池成直角,以减少电阻,增加电流输出。为了减少光损失,电池表面的防反射膜由一层增加到两层。多晶硅太阳能电池的光转换率一般都低于     

高效率多晶硅太阳电池

日本夏普公司研制成功迄今世界上转换效率最高的多晶硅太阳电池,在10cm见方多晶硅衬底上转换效率达16.4％。该公司采用三种新技术,(1)在太阳电池表面形成凹槽,以降低多晶硅面整体的反射率。凹槽方向与电极方向呈直角,降低n层电极方向的电阻,从而提高输出电流。(2)形成由TiO_2层和MgF_2层组成的双层反射防止膜,大幅度降低在短波长或     

锰掺杂对钛酸锶铅铁电薄膜带-带跃迁和带尾吸收特性的影响

通过透射光谱研究了锰掺杂量对钛酸锶铅铁电薄膜光学特性尤其是带-带跃迁和带尾吸收特性的影响,并利用柯西色散关系获得了光学透明区的光学常数.研究表明:随着锰掺杂量的增加,钛酸锶铅铁电薄膜的禁带宽度减小而带尾能增加.禁带宽度随锰掺杂的收缩可以归因为锰3d轨道降低了导带底的能级及掺杂后晶格的减小.掺杂锰离子的随机占位和非等价掺杂后氧空位浓度的增加则是导致局域带尾态拓宽的主要原因.