俄歇电子能谱分析方法及其应用

国内从1980年开始引进了多台俄歇电子能谱分析仪器。为了让从事电子材料及元器件科研和生产方面的科技人员了解这种分析方法的工作原理、仪器结构和具体应用,在工作中及时地应用这种方法,本文拟就上述几个方面作一些简要的介绍。     

俄歇电子能谱的数据分析系统和设计考虑

本文介绍一种由微机控制、操作简便的俄歇电子能谱(AES)数据分析系统,及其设计考虑。谱图既可直接显示,也可打印输出,从而把成本降到最低限度。此外,软件全部采用FORTRAN语言和汇编语言混合编程,不仅提高了速度,也提供了各种强有力的图形功能。     

Monte Carlo方法计算定量俄歇电子能谱分析中的背散射因子

本文通过Monte Carlo方法模拟计算了定量俄歇电子能谱分析（如对Ni的LVV俄歇电子和Pt的M5N67N67俄歇电子）中的背散射因子。由于计算中结合了相关领域的各种最新进展．因此该新计算可以为定量俄歇电子能谱分析提供更为准确的参数。     

采用俄歇电子能谱技术分析铂化硅的合金行为

采用俄歇能谱技术分析了铂层厚度,合金温度及表面染色对铂化硅形成的影响,并分析了王水对铂化硅的作用,给出了分析结果.     

多晶硅／二氧化硅界面的俄歇谱分析

利用扫描俄歇微探针对多晶硅／二氧化硅界面进行分析,发现多晶硅／二氧化硅界面不是突变的,而存在着一个过渡区。根据多晶硅薄膜的成核理论,分析了该过渡区产生的原因,并利用＂幸运载流子＂模型,定量分析该过渡区对ＭＯＳ结构热载流子注入效应的影响。     

氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应

本文观察和测量了Si_3N_4和SiO_xN_y薄膜在俄歇电子谱(AES)分析中的电子束和离子束效应。结果表明在高束流密度电子束辐照下没有观察到任何损伤特征峰。延长辐照时间仅导致氧的解吸和Si、N讯号增加,最后达到一个稳定态。Si_3N_4和SiO_xN_y对离子辐照很容易造成损伤。但在高束流密度的电子束辐照下离子损伤的表面可以恢复。恢复程度与电子束流密度、束能、辐照时间和样品制备工艺有关。最后,本文对离子辐照损伤和恢复的机理进行了讨论。     

PECVD法低温形成SiOxNy介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析

采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能.     

AES硬件实现的能量分析攻击仿真

首先针对高级加密标准（AES）算法的硬件实现，给出了攻击时刻的汉明能耗模型；然后在行为级进行了基于寄存器数据变化的PA攻击；进一步通过对门级电路的功耗仿真，实现了能耗曲线数据的PA攻击。     

AES处理器S盒设计方案比较

S盒(S-BOX)是高级加密标准AES(Advanced Encryption Standard)算法实现的关键模块之一。目前主要有两种实现方案:基于查找表或者基于有限域求解。前者占用了太多的芯片面积资源,而后者时延过长,论文着重介绍了Chih-Chung Lu等提出的一种优化设计方案[2],并用VerilogHDL设计了三种方案。实验表明,在面积大幅度减小的情况下该方案的时延只有少许增加,最后给出了各方案的实验结果和对比数据。     

GPON中的AES加密

文章简单的介绍了GPON的体系结构与下行帧的结构,并着重介绍了AES加密的流程、方法与具体算法,最后对GPON中的AES加密、解密方法及AES计数器模式在GPON中的使用进行了详细的介绍。     

高级加密标准AES的高速实现

文章分析了AES算法自身的特点,对轮变换内部的执行进行了合并和简化,并且解开算法内部的轮变换,代之以流水线的方式实现,从而高速实现了AES算法加解密。     

Studies in CuInS2 based solar cells,including ZnS and In2S3 buffer layers

The influence of the growth conditions on the surface chemistry and on the homogeneity of the chemical composition of CuInS₂ (CIS) thin films, prepared by sequential evaporation of metallic precursors in presence of elemental sulfur in a two-stage process, was studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and X-ray diffraction (XRD). It was found that the growth temperature affects the phase in which this compound grows. The samples deposited at temperatures around 500 °C (2nd stage) contain mainly the CuInS₂ phase; however, secondary phases like In₂S₃, Cu₂S were additionally identified at the surface and in the bulk of CuInS₂ samples deposited at temperatures greater than 550 °C. Also, the elemental composition of the layers constituting the Glass/Mo/CuInS₂/buffer/ZnO structure was studied through Auger electron spectroscopy (AES) depth profile measurements. AES measurements carried out across the Glass/Mo/CuInS₂/buffer/ZnO heterojunction gave evidence of Cu diffusion from the CuInS₂ layer towards the rest of the layers constituting the device, and of the formation of a MoS₂ layer in the Mo/CuInS₂ interface. The performance of CuInS₂-based solar cells fabricated using CBD (chemical bath deposition) deposited ZnS as buffer layer was compared to that of cells fabricated using CBD deposited In₂S₃ as buffer.     

对AES算法的S盒布尔函数分析

分组密码的安全性很大程度上取决于分组密码中唯一的非线性结构S盒。论文对AES的S盒的代数性质进行分析,采用布尔函数的方法,先得到S盒的真值表,再求解S盒的布尔函数表达式,根据布尔函数表达式计算得出S盒的平衡性、正交性、线性性、差分均匀性质、鲁棒性、非线性性等代数性质,说明AES的S盒的安全性。     

AES加密算法的一种优化的FPGA实现方法

介绍AES算法的原理并阐述了明文分组和密钥长度都是128 b的情况下基于FPGA的设计和实现。结合算法和FPGA的特点,采用查表法优化处理了字节代换运算、列混合运算和密钥扩展运算。同时,为了提高系统工作速度,在设计中应用了流水线技术,但由于流水线结构不能用于反馈模式,因此,实现时使用的是电码本模式(ECB)的工作方式。利用QuartusⅡ开发工具给出仿真结果,时钟频率达70.34 MHz。最后做了应用分析。     

基于AES算法的安全跳频序列族构造

在现有跳频理论的基础上,从安全应用的角度,提出了一种基于AES算法的新型跳频序列.通过理论分析和计算机仿真,从均匀性、汉明相关性、线性复杂度、组网性能、安全性等方面对跳频序列的性能进行了测试,证明其能够很好的满足对跳频序列实际应用的要求.     

MoNb/SiO_2界面的AES分析

用电子束蒸发MoNb的方法,制备了MoNb/SiO_2接触界面。用俄歇电子能谱(AES)测定该界面热处理前后各元素组分随深度的分布。从AES分析中发现:随着热处理温度的上升,MoNb/SiO_2界面中Mo,O渐渐出现再分布峰,形成Mo,O的富集区;Nb的富集区始终为平坦分布,并没有出现Nb的再分布峰。界面宽度由低温的1.5nm变到600℃的15nm;同时还发现600℃时界面呈现电阻性。这一异常现象是由于Mo在SiO_2界面中热稳定性差所导致的。