掺杂物对SrTiO_3基半导瓷晶界层电容器影响的研究

选择La_2O_3、V_2O_5掺杂SrTiO_3、控制合适的Ti/Sr比、添加适量CuO和AS以及调节最佳工艺参数,系统地研究了它们对SrTiO_3试样的还原烧结行为、显微结构和介电性能的影响。实验结果表明:V_2O_5作为施主掺杂物能较大幅度地降低SrTiO_3的还原烧结温度;三价离子掺杂大于五价离子掺杂所需的Ti/Sr比;添加适量的CuO、AS能形成厚度适当的高阻绝缘晶界层。通过实验,我们获得了1300℃还原烧成温度下综合性能佳、复现性好的V_2O_5掺杂SrTiO_3 GBBLC。     

RDX和HMX的热分解Ⅱ．动力学参数和动力学补偿效应

用DSC、DTA和TG-DTG技术测定了RDX和HMX热分解的动力学参数。RDX和HMX在不同的分解阶段有不同的动力学参数和机理函数，其分解过程和动力学参数受试验条件、样品状态和试验方法的影响很大，但这些参数之间存在“动力学补偿效应’’和“等动力学点”。     

烧成制度对PTC热敏电阻特性的影响

烧成对ＰＴＣ热敏电阻特性有很大影响，特别在降温冷却过程中ＰＴＣ热敏电阻晶界层发生一系列的变化，从而引起ＰＴＣ热敏电阻特性的变化，对指导ＰＴＣ热敏电阻烧成有重大意义。     

聚酰亚胺树脂固化动力学参数研究

采用DSC方法研究PMR型的BMP350聚酰亚胺树脂的固化反应过程。用动态方法分析其固化反应特征温度,为确定固化工艺参数提供了依据。采用Kissinger-Ozawa方法进行数据处理,获得了其固化反应动力学参数,建立了该树脂体系的固化动力学模型,结果表明模型与实验数据在固化度低于0.7时拟合效果较好。此模型对合理地研究PMR型聚酰亚胺树脂体系的工艺参数,保证产品质量以及工艺优化提供了必要的前提条件。     

施主掺杂BaTiO_3陶瓷半导化特性研究

本文采用四电极技术测量了空气中未掺杂和La掺杂(La含量:0.1—1.0at％)BaTiO_3陶瓷在900—1400℃溫区的平衡电导率,据此分析了这些材料的缺陷结构。结果表明,高掺杂材料内部存在着的与施主杂质相联系的大量二元和三元紧密复合缺陷强烈地影响着材料的电性能。用复合缺陷模型解释了电导率、晶粒尺寸随施主含量变化等重要实验现象。高温和室温电导率随施主含量的异常变化完全是由于因形成复合缺陷导致有效施主浓度的下降而引起的。随着施主浓度的增加,优先在晶粒表面形成的复合缺陷浓度变得如此之大,以致参与体扩散机制的大量钡缺位被束缚,因此晶粒表面能下降,晶粒生长受到抑制,这就是晶粒尺寸与施主含量关系的内在根由。本文还对Heywang模型中的表面态本质提出了新的见解。指出了获得耐压达250V/mm优质PTC热敏电阻器的关键所在。     

RDX和HMX的热分解II.动力学参数和动力学补偿效应

用DSC、DTA和TG-DTG技术测定了RDX和HMX热分解的动力学参数。RDX和HMX在不同的分解阶段有不同的动力学参数和机理函数,其分解过程和动力学参数受试验条件、样品状态和试验方法的影响很大,但这些参数之间存在"动力学补偿效应"和"等动力学点"。     

PTC钛酸钡瓷中的晶界受主态

通过623K下的氧化-还原处理造成的PTC效应变化,研究了PTC陶瓷中的晶界受主态.第一次从实验上证实了化学吸附氧是晶界受主志之一。EPR谱表明,试样中的Mn在室温时主要以Mn~(3 )的形式存在,接近Tc时捕获一个电子形成Mn~(2 ),从而对PTC效应作出贡献。此外,EPR谱还表明,无论在TiO_2过量或BaO过量的试样中,在所测量的温度范围内都没有V′_(Ba)顺磁信号。     

晶界势垒和缺陷对PTC效应影响的研究

为了适应市场对低压集成电路过流保护作用的PTC热敏陶瓷的低阻化要求,采用还原-再氧化的烧结工艺来制备多层片式PTC热敏陶瓷.本文主要研究了(Ba1.022-xSmx)TiO3基陶瓷在还原气氛中1200℃烧结30 min并在800℃再氧化热处理后其室温电阻率随施主掺杂浓度的变化关系,以及冷却速率对该样品PyTC效应的影响.从氧化物半导体理论出发,阐述了在还原再氧化过程中该陶瓷的缺陷模型和晶界特性,讨论了施主掺杂BaTiO3基PTC陶瓷缺陷行为与晶界势垒及其导电机理,解释了冷却速率和再氧化时间对样品的电性能以及PTC效应的影响.     

BaTiO_3基PTC材料性能的影响因素分析

本文综述了影响BaTiO_3基PTC材料性能的各种因素,并分析了一些影响因素之间的交互作用和某些因素的多重作用。     

钛酸钡半导瓷的研究

一、引言近来,钛酸钡半导瓷已普遍用于制造电子元件,如瓷介电容器和热敏电阻等。钛酸钡半导瓷的实际应用,促进了对其性质和生产工艺等方面的研究。例如,H.Schmelz研究了锑掺入BaTiO_3晶格后对电导的影响,和久茂研     

BaTiO3半导体陶瓷的分析电镜研究

利用透射电镜(TEM)和微区分析方法对BaTiO_3半导体陶瓷的晶粒和晶界进行了研究。研究发现,某些晶粒中存在一种极为特殊的不均匀性——即晶粒具有“壳-芯”结构特征。选区电子衍射(SAD)和X射线能量色散谱(EDAX)分析证实,壳-芯结构是由晶粒中含杂质Si的分布不均匀引起。研究表明,壳和芯同属BaTiO_3结构,它们的结晶学取向相同。同时还发现,在晶界处有富Si的结晶相存在。     

半导体BaTiO3陶瓷PTC效应的研究

本文应用俄歇电子能谱(AES)直接验证了BaTiO_3陶瓷的半导化是由于钛元素的变价(Ti~(4+)+e→Ti~(3+))所致,并据此对材料半导化程度作了半定量的描述;通过电子自旋共振(ESR)对存在于BaTiO_3陶瓷晶界中的Cu、Mn等受主杂质的价态进行了确定。根据以上两种谱仪的检测结果,认为各种晶界受主态类型(晶界氧吸附、Ba空位及氧化态的杂质等)都有可能单独或同时存在,并取决于材料的组成及制备工艺。     

掺杂对BaTiO3基PTC陶瓷材料性能的影响

概述了BaTiO3基PTC陶瓷半导化的掺杂种类和机理,综述了掺杂物的添加量和加入方式对BaTiO3基PTC陶瓷材料性能的影响,并展望了其发展趋势。通常BaTiO3陶瓷的电阻率在开始时都随施主掺杂浓度的增加而降低,当施主掺杂浓度达到某一值时,电阻率降至最低,而后随着施主掺杂浓度的提高,电阻率则迅速上升。随着受主掺杂含量的增加,材料的室温电阻率和升阻比逐渐增大,PTC性能逐步提高,当含量超过某一值时,升阻比又呈降低趋势,PTC效应有所降低,室温电阻率依然增大。由于各掺杂物的优缺点不同,近几年研究发现,双施主掺杂和施受主共掺能够很好的改善材料的性能。     

粒度对煤燃烧和热解动力学影响的量化研究

以六方石墨原子簇模拟纳米煤颗粒,采用量子化学AM1方法,研究了粒度对煤燃烧和热解动力学参数的影响规律.结果表明,粒度对煤粒燃烧和热解动力学参数有显著影响,Ea随着煤粒粒径的减小而减小,R则随粒径减小而增大,并且Ea和lnR均与粒径的倒数呈线性关系,这些影响规律与文献报道的实验结果一致.     

晶界相对半透明氮化铝陶瓷透过率的影响

分别添加质量分数为3%的CaF2和Y2O3为烧结助剂,在相同烧结工艺制度下采用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS),制备了两种半透明AlN陶瓷.两种样品有相近的密实度和晶粒尺寸,但是它们的透过率却相差很大.用扫描电镜,X射线衍射分析和透射电镜结合能量散射型X射线光谱分析仪对样品微观结构进行分析.结果表明:晶界相的存在及分布方式对样品透过率有重要影响.添加CaF2的样品表现出很高的纯度,晶界及三角晶界处观察不到第二相.添加Y2O3的样品中,由于生成的晶界相Y3Al5O12沿AlN晶界分布,阻隔AlN晶粒之间的连接,在晶界处造成光散射,导致样品透过率下降.     

液相添加剂对BaTiO3系无铅PTC陶瓷烧结温度的影响

在制备BaTiO3系PTOR,热敏陶瓷过程中,液相添加剂起着重要作用.本文阐述了AST、B2O3、、Li2O、TiO2对BaTiO3烧结温度的影响,并对如何降低无铅PTC陶瓷烧结温度进行研究及展望.     

金属—载体强相互作用（SMSI）对Pd／ZnO半导体陶瓷气敏特性的作用

本文借助XRD,红外光谱等分析手段,研究了金属-载体相互作用状态对Pd/ZnO半导体陶瓷气敏特性的影响,据此提出贵金属催化剂和半导体陶瓷在气敏特性中的共同作用机理。PdZn界面层是氢处理时半导体正离子和金属原子间的相互扩散及反应所致。可以认为金属-载体间的强相互作用(SMSI)能显著提高其气敏特性。     

反应器操作方式对酶动力学拆分立体选择性的影响

描述了在批式反应器和连续流搅拌反应器（ＣＳＴＲ）中酶动力学拆分对映异构体的不同之处,从宏观反应器平衡角度,推导出了在ＣＳＴＲ反应器中不同于在批式反应器中的一定酶立体选择性（Ｅ）下,底物或产物的对映体过量值与反应的转化率之间关系的定量关系式。并通过商品脂肪酶及芽胞杆菌Ｅ－５３脂肪酶催化的萘普生甲酯的不对称水解反应得到了证实。分别在批式反应器和ＣＳＴＲ反应器中进行萘普生的酶法拆分,在一定转化率下,批式     

工艺参数对气体辅助注射成型结果的影响

以轿车保险杠为例，利用正交设计法和模塑流动软件定量分析了气体辅助注射成型的四个主要工艺参数对成型结果的影响。结果表明，制件的最终质量是各参数综合作用的结果，其中，熔体／气体延迟时间对成型结果的影响最大，气体注塑压力次之，预注射量最小。