硅材料电性能的改进

美国橡树岭国家试验室的研究人员研制出一种超饱和的硅合金,共电学性能大大超过一般的半导体。采用激光方法可使离子注入半导体硅中的“杂质”原子大大增加,从而提高和改进其电学性能,并消除因离子注入对晶体结构造成的所有损伤。此     

上海市“硅单晶”及“硅的旋涡缺陷检测方法”标准审定会闭幕

4月27日至4月29日在上海市松江县召开了上海市“硅单晶”及“硅的旋涡缺陷检测方法”标准审定会。会议是在国家标准总局、上海市经委、科委的领导下召开的。出席会议的有:国家标准总局、上海市经委、科委、冶金局、计量局及市有关局、公司的领导机关和上海市硅材料和半导体元器件生产厂家、高等院校、研究所等43个单位,共92名代表。     

加银金属化玻璃胶

本文介绍加银金属化玻璃胶的用途及生产方法。这种胶特别适于半导体装置与陶瓷基底的粘结。加银玻璃合剂(“胶”)适于硅半导体装置与陶瓮基底的粘结,这种胶有效地取代     

6英寸重掺Sb衬底外延后表面异常解决

6英寸Sb(锑)基板是国内半导体分立器件使用的主力材料,此材料主要供客户外延使用.但近期某司的基板在外延后出现表面类似气泡状的缺陷,此缺陷异常,无法抛光去除.文章主要研究此外延缺陷与硅晶体的关系,通过试验分析此异常缺陷出现的原因,找到解决的方法.     

φ75mm直拉硅单晶的控氧工艺

一、前言 一般地说,氧是半导体材料硅中含量最多的杂质,其含量可达10~(18)cm~(-3)数量级。硅中的氧兼有优缺点。优点为“吸除效应”和“钉扎效应”;缺点是单晶的电阻率和寿命会受影响,易出现诱生缺陷,晶片可能变形。优点对器件工艺有利,缺点对器件工艺有害,使晶片质量变坏。 众所周知,不同器件要求不同的氧含量:p型(100),[O]=1.0～1.3×10~(18)cm~(-3),用于MOS;n型(100),[O]=1.3     

纳米材料合成获突破

美国亚特兰大佐治亚理工学院纳米科学和技术中心主任王中林教授、潘正伟博士和戴祖荣博士在世界上首次发现并合成半导体氧化物纳米带状结构 ,这是纳米材料合成领域的又一重大突破。这三位中国科学家利用高温固体气相法 ,成功合成了氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化镉和氧化镓等宽带半导体体系的带状结构。这些带状结构纯度高、产量大、结构完美、表面干净 ,并且内部无缺陷、无位错 ,是一理想的单晶线型薄片结构。“纳米带”的横截面是一个窄矩型结构 ,带宽为 30～ 30 0ｎｍ ,厚 5～ 10ｎｍ ,而长度可达几毫米。和碳纳米管以及硅和复合半导体线…     

硅片吸杂—提高器件收率的关键

在硅晶体生长过程中以及切片过程中都可能有一定数量的杂质进入硅中,典型的杂质有氧、碳和重金属。这些杂质和其它晶体缺陷已证明是器件失效和成品率低的主要原因。目前,阻止这些缺陷产生似乎是不可能的,但是必须对缺陷加以控制。基于这一理由,人们十分关注硅片吸杂—这是当前唯一流行的用来控制硅品格缺陷的方法。     

半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用研究进展

钨硅薄膜具有电阻率低、热稳定性强及抗化学腐蚀性能优异等特点,是半导体集成电路重要的构成部分,主要作为栅极接触层、扩散阻挡层或者黏附层等来进行使用。本文归纳了半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用方面的研究进展,首先分别对物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)制备钨硅薄膜的方法进行介绍,并分析了各种制备工艺的优缺点,并进一步对钨硅薄膜在半导体中的主要应用场景进行了介绍。最后分析了钨硅薄膜的未来发展前景,认为随着半导体产业的不断发展及钨硅薄膜应用的持续拓宽,钨硅薄膜的重要性将会进一步显现,钨硅薄膜的制备技术必将获得进一步的提升。     

激光用于半导体工艺的研究进展

作为半导体器件和集成电路制作中的低温化技术、激光化学气相沉积、激光刻蚀和激光掺杂等工艺的研究日趋活跃与成熟。本文论述了激光诱导气相表面化学反应的基元过程和激光在薄膜制备、精细刻蚀以及快速掺杂等半导体工艺中的应用,并对激光辅助半导体工艺的发展前景作了初步展望。     

硅片化学抛光新工艺

硅半导体平面器体的制作,随着完美晶体的应用,克服了原生缺陷。但由于在晶片加工过程中(如切、磨、抛)硅片表面的机械损伤,杂质沾污等造成在器件加工的氧化等     

日本半导体硅消费量激增

据日刊“稀有金属新闻”报道,日本半导体高纯硅从1976年起以接近40%的速率不断地增长。1981年生产单晶硅444吨,年消费量为500吨。如果今年美国半导体工业景气回复较迟,日本有可能超过美国,成为世界上最大的多晶硅消费国。近年来因能源价格     

半导体硅材料展望与设想

本文论述了半导体硅材料的发展特点与趋向。超纯硅的重点在于工艺改革,国外许多公司致力改进西门子工艺设备,研究开发低成本多晶硅新工艺、方法,筹建、扩建大型硅厂等,以降低成本、扩大产量为主;硅单晶侧重工艺设备改革,各国竞相研制现代自动化大直径单晶炉,以增大直径,提高质量为主,研究集中在控制氧含量、降低碳含量、消除微缺陷和提高电阻率微观均匀性等方面;硅片精细加工是发展LSI关键步骤,已成为八十年代发展的新动向,提高表面平整度和制备无损伤表面尤为重要。文中侧重指出提高硅材料质量、削减成本和扩大产量的途径与技术措施。为迎接我国LSI大发展的到来,我们在调研基础上,提出加速发展我国硅工业的十项改革建议,试图形成一个各环节协调发展的、具有我国特色的“硅洲”的设想蓝图。     

关于直拉硅单晶中微缺陷及其检测的一些看法

文章通过对直拉单晶硅片热处理前后缺陷显示、红外吸收光谱等变化的分析,指出直拉硅单晶中起主导作用的微缺陷是“氧旋涡”,它是硅中氧沉淀的产物。其主要控制因素为氧含量、碳含量和晶体冷却速度。据此,作者认为热氧化化学腐蚀法模拟,接近于器件工艺,较其它微缺陷检测方法更具实际意义。文中就目前该法在实施中尚存在争议的“深腐蚀和浅腐蚀”,“表面雾状缺陷干扰”,“与常规化学腐蚀法对应”,“热氧化温度选择”等问题提出了解释和看法。还展望了缺陷工程的新形势。     

外加物理场对激光熔化沉积内部缺陷控制

激光熔化沉积技术是基于“分层—叠加”原理,在高能激光束作用下、按照预定的路径,将同步送给的 金属粉末逐层熔化并快速凝固成形的先进制造技术,具有成形精度高、加工柔性好、内部组织均匀、力学性能 优异、适用难加工金属材料制备等优点,在航空航天等领域具有广阔的应用前景。但是激光熔化沉积过程中 容易产生未熔合、微裂纹、气孔等缺陷,限制了这项技术的大规模应用。其中,激光熔化沉积构件的微观组织 存在明显的各向异性,沉积过程中的快速加热和冷却使构件内部产生较大的残余应力从而导致其变形和开 裂。学者就如何改善激光熔化沉积构件的内部缺陷进行了广泛研究。因此,综述了通过在成形过程中外加温 度场、超声场、电磁场以及复合场的方法改善激光熔化沉积制件的内部组织和性能,以期为激光熔化沉积构件 综合性能的提高提供指导。     

国内外硅半导体材料产业现状及发展

概述了国内外硅半导体材料(多晶硅、单晶硅、硅片)的产业现状,得出国内外硅半导体材料产业、市场及技术状况的基本结论,并分析了我国硅半导体材料产业发展的机遇、存在的问题及发展的趋势.     

硅纳米线制备方法研究进展

硅纳米线是重要的半导体一维纳米材料,伴随着硅作为下一代锂离子电池理想负极以及作为半导体材料在光电化学领域的研究热潮,实现硅纳米线高效、低成本、可控制备成为研究的重点。本文介绍了现阶段硅纳米线制备的主流技术及相关研究进展。     

螺纹钢表面缺陷和组织性能不稳定的原因分析与控制实践

针对国内某钢厂电炉流程生产的HRB400E螺纹钢,生产过程中出现屈服强度波动大、产品表面存在“黑线”缺陷等问题,选取问题严重的Φ18 mm规格螺纹钢筋试样,开展了金相显微组织和电镜扫描分析,发现存在外来的硅铝酸盐类复合夹杂物以及采用二切分轧制,是造成螺纹钢表面缺陷和组织性能不稳定的主要原因,再结合生产工艺提出了改进措施,有效降低了螺纹钢中夹杂物含量水平,从而改善了螺纹钢力学性能波动,且未发现“黑线”缺陷。     

半导体硅市场动态

目前,日本半导体硅市场产生了供不应求的局面。1983年10月下旬,欧美的瓦克及孟山都等公司已将硅晶片价格提高了7％,日本硅生产工厂也有提高硅价的趋势,但1983年可能暂不涨价,待1984年春再作调整。从日本半导体硅目前的订货量来看,     

黑硅制备技术及其应用的研究进展

基于黑硅材料的发展,讨论了国内外在黑硅制备技术方面的研究进展,包括反应离子刻蚀法、飞秒激光脉冲法、电化学刻蚀法及金属辅助刻蚀法,总结了各种工艺在应用上的特点,对黑硅材料当前取得的应用及发展进行了综述.结果表明:黑硅材料的特殊结构能够极大降低硅表面光反射,有效提高硅太阳能电池转换效率;其特殊光敏性可应用于光波探测器;表面各向异性的黑硅在红外吸收中可以产生太赫兹辐射.当前飞秒激光脉冲法制备的黑硅材料体现了很好的光敏性,并且有望直接嵌入目前半导体制造工艺,因此备受青睐,然则其制备成本较高;相比之下,电化学刻蚀法则设备简单、成本较低,亦颇具研究前景.最后,展望了国内黑硅材料的发展趋势.     

X-射线反射形貌法及其应用

本文叙述了在 Howard 提出的 X-射线反射形貌法的基础上,采用加第三狭缝,对半导体材料进行反射实验的方法。并以 GaAs 材料(吸收系数较大)为例,进一步说明了反射形貌法是一种检测半导体表面层缺陷的简便、有效方法。其优点是:(1)非破坏性检验;(2)能得到较大面积的晶体表面缺陷分布;(3)与 X-射线透射法及其他方法相结合,能更详细地了解到材料表面缺陷和体内缺陷的关系;(4)在器件制造工艺过程中,可作为检验表面工艺的跟踪手段。