微纳光子学亚波长器件研究的重要进展——逆向干涉相消法提高波分复用器透射效率50%

据www.opt.ac.cn网站报道,微纳光子学主要研究在微纳尺度下光与物质相互作用的规律及其光的产生、传输、调控、探测和传感等方面的应用。微纳光子学亚波长器件能有效提高光子集成度,有望像电子芯片一样把光子器件集成到尺寸很小的单一光芯片上。纳米表面等离子体学是一块新兴微纳光子学领域,主要研究金属纳米结构中光与物质的相互作用。它具有尺寸小、速度快和克服传统衍射极限等特点,有望实现电子学和光子学在纳米尺度上的完美联姻,将为新一代的光电技术开创新的平台。金属-介质-金属F-P腔是最基本的纳米等离子体波导结构,具有良好的局域场增强和共振滤波特性,是制作纳     

光子学及其发展

光子学是继电子学之后正在迅速发展的一个极其重要的前沿科学，本文对光子学的动态，定义，诞生时间，内容和范围，以及与光子学有关的理论，材料，器件和应用的发展状况，作了介绍和评述，光子学理论是以“光具有波粒二象性”为出发点，以经典电动力学和量子电动力学为理论基础，包括电磁光学，量子光学，激光理论，导波光学和光子光学等；光子学材料包括玻璃，半导体，非线性光学晶体，有机和聚合物等；光子器件着重介绍半导体激光     

微纳结构非线性光学及其全光调控研究进展

随着微纳光子学的提出与发展,在纳米尺度上操纵和控制光子,发展体积更小、速度更快的光子器件,实现全光集成,已成为国际研究前沿和新技术领域竞争的热点。其中以光子晶体、表面等离激元微纳结构为代表的微纳光子学研究及应用在国际上得到了广泛的重视和蓬勃发展,特别是其微纳结构的非线性光学、全光调控与器件的应用研究。本文主要综述了微纳结构增强的光学非线性及其非线性全光调控研究进展。     

硅光子学

硅光子学有六个主要研究领域,包括产生光、在硅中选择地引导和传输光、编码光、探测光、包装器件和智能地控制这一切光子功能。综述了以上各领域的研究进展。     

半导体光子学的进展

１引言２０世纪７０年代光子学的概念提出以来，特别是近１０年来，光子学的进展使科学界认识到光子学的重要性，并能在更深的层次上认识光子学，从而达到共识，认为光子学已成为一根改变世界技术的杠杆，它将振动世界力量的均衡，在世界各国经济实力和国防实力的较量中占据极为重要的位置。本文评述半导体光子学的最新进展。２半导体光子材料２．１Ⅲ－Ⅴ族化合物Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体GaInAsP／InP和GaAlAs／GaAs在光子学及其今后的发展中占有重要的地位。这类半导体具有良好的光电性能，是目前光纤通信和微型光信息处理器件的主要材…     

短波中红外硅基光子学进展（特邀）

短波中红外光学（2~2.5 μm）在通信测距、卫星遥感、疾病诊断、军事国防等领域具有广泛的应用。作为短波中红外光学系统的关键核心部件,集成光电器件的开发一直都是重点的研究领域。得益于硅基材料超宽的光谱透明窗口,其在开发短波中红外集成光电子器件方面极具发展前景,近年来获得了广泛的关注。文中简要讨论了短波中红外硅基光子学的应用前景,从无源波导器件（包括波导、光栅耦合器、微型谐振腔、复用/解复用器等）、非线性光学波导器件和光电波导器件（包括调制器和探测器等）三方面综述了短波中红外硅基光子学的发展历史和前沿进展。     

Si光子学研究的最新进展

介绍了近年内以全Si光电子集成为主要目标的Si光子学研究在各类Si光子器件,如发光二极管、激光器、光探测器、光调制器以及光子晶体等方面所取得的一些最新进展,预计全Si光电子集成技术有望在未来10年内得到突破性的进展。     

前言北大核心

微波光子技术是微波与光子学两大领域优势相结合的交叉学科,其核心是探索微波与光波在媒质中的相互作用,研究微波在光域产生、传输、处理以及控制等方向的新机理、新方法、新技术和新应用,解决微波、光子学领域的发展和应用瓶颈。近十年来,微波光子技术的发展日新月异。首先,随着以半导体激光器、高速光电调制、探测、放大以及光纤光学为代表的基础器件领域的长足发展。     

Si基微纳集成光波导的理论设计

提出了一种宽度从微米到亚微米、深亚微米、再到纳米级渐变的微纳集成结构光波导,并通过理论分析和模拟计算得到了基于Si基半导体材料的微纳集成光波导参数.其制作工艺非常简单,插入损耗在1～2.5dB之间.这种微纳集成光波导不但可解决芯径为10μm的单模光纤与纳米量级的光子晶体波导器件间的光对接、耦合和互连等难题,还可缩小光波导器件芯片的单元尺寸,有利于提高器件的集成度.为光电子器件向纳米光子集成方向的发展提供了新途径,为新一代全光通信用微纳新原理光电子器件及功能集成的发展提供了新思路.     

Si基微纳集成光波导的理论设计

提出了一种宽度从微米到亚微米、深亚微米、再到纳米级渐变的微纳集成结构光波导,并通过理论分析和模拟计算得到了基于Si基半导体材料的微纳集成光波导参数.其制作工艺非常简单,插入损耗在1～2.5dB之间.这种微纳集成光波导不但可解决芯径为10μm的单模光纤与纳米量级的光子晶体波导器件间的光对接、耦合和互连等难题,还可缩小光波导器件芯片的单元尺寸,有利于提高器件的集成度.为光电子器件向纳米光子集成方向的发展提供了新途径,为新一代全光通信用微纳新原理光电子器件及功能集成的发展提供了新思路.