(Ni0.81Fe0.19)0.66Cr0.34/Ni0.81Fe0.19薄膜的各向异性磁电阻效应及尺寸效应

研究了以非磁性（Ni0.81Fe0.19)0.66Cr0.34薄膜作为过渡层的坡莫合金Ni0.81Fe0.19薄膜的磁电阻效应和饱和磁场，分析退火处理对样品饱和磁场的影响和经刻蚀后的磁电阻效应膜线的尺寸效应，并建立一个统计模型定性分析了其性能变化的机理，计算结果符合实验。     

Fe_(40)Ni_(38)Mo_4B_(18)非晶态合金的退火脆性研究

本文研究了Fe_(40)Ni_(38)Mo_4B_(16)非晶态合金的退火脆性规律;讨论了制备时的冷却速度、薄带厚度、薄带表面质量及热处理工艺等因素对退火脆性的影响及其原因。测量了在脆化温度和脆化时间以内磁场退火样品的直流磁特性,并与其最佳磁特性进行了比较;探讨了在保证样品不脆的前提下,通过改变磁场退火的退火温度和磁场大小,使合金的磁性能接近最佳磁性能的可能性     

Nb5+的掺杂对La0.67Sr0.33MnO3磁性和传输性的影响

将用溶胶-凝胶法制备的La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)微粉与(Nb2O5)x/2粉在1100℃下混合烧结,形成了具有钙钛矿结构的锰氧化物与LaNbO4的复合体系,x是掺入的Nb5 离子与母体材料的摩尔比.在x=0.07的样品中得到最大电阻率为23.74 Ω·cm,比LSMO 高三个数量级.Nb5 离子的掺杂使样品的低场磁电阻(LFMR)和高场磁电阻(HFMR)效应都有所增强.77 K下,0.1 T和1 T磁场下在x=0.07 样品中分别得到24 % 和33.8 %的磁电阻效应,是LSMO样品的2倍和1.7倍.室温下x=0.05样品的磁电阻最大,为9 %.其中,LFMR来源于颗粒晶界处电子的自旋相关隧穿及散射作用,而HFMR来源于表面层的自旋非共线结构.     

(Ni0.81Fe0.19)0.66Cr0.34/Ni0.81Fe0.19薄膜的各向异性磁电阻效应及尺寸效应

研究了以非磁性（Ｎｉ_０．８１Ｆｅ_０．１９）_０．６６ＣＲ_０．３４薄膜作为过诞层的坡莫合金Ｎｉ_０．８１Ｆｅ_０．１９薄膜的磁电阻效应和饱和磁场,分析退火处理对样品饱和磁场的影响和经刻蚀后的磁电阻效应膜线的尺寸效应,并建立一个统计模型定性分析了其性能变化的机理,计算结果符合实验．     

Nb5+的掺杂引起La0.67Sr0.33MnO3增强的磁电阻效应

将Nb2O5掺杂到用溶胶-凝胶法制备的La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果表明所有样品均为单相菱面结构.随着Nb5 掺杂量的增加,材料电阻率发生显著变化.在x=0.06的掺杂样品中得到最高为1110Ω·cm电阻率(x是掺入的Nb离子与母体材料的摩尔比),比LSMO高5个数量级,这是由于晶界处以及颗粒内部增加的自旋相关的散射和隧穿效应所致.Nb5 离子的掺杂使样品的低场磁电阻(LFMR)和高场磁电阻(HFMR)效应都有所增强.77K下,0.1和1T磁场下在x=0.07样品中分别得到25%和42%的磁电阻效应,分别是LSMO样品的2倍和1.7倍.室温下x=0.03样品的磁电阻最大,为7%.其中,LFMR来源于颗粒晶界处电子的自旋相关隧穿及散射作用,而HFMR来源于表面层的自旋非共线结构.     

Ho_(0.5)Pr_(0.5)FeO_3的磁性与巨磁介电效应

采用固相反应法制备了Ho0.5Pr0.5FeO3多晶样品,对其磁性和磁介电特性进行了系统研究。在T=4.5 K附近存在Ho离子的反铁磁相变,在T=59~80K可观测到Fe离子的自旋重取向转变,磁滞回线表明样品呈现弱铁磁性。在T=270 K,介电常数可达~103,研究表明该介电常数与270 K附近的电阻变化相关联,该处电阻变小,介质损耗减小,导致介电值变大。尤其重要的是,该样品在室温下表现出磁场诱导的巨磁介电效应,在频率f=1 kHz、外加磁场为1.6×106 A/m下,其值可达5500%,该巨磁介电效应可能来源于磁电阻效应。     

Sr2Fe1-xAlxMoO6(x=0,0.3)陶瓷的低场磁电阻效应研究

用传统的固相反应法合成了Fe位Al掺杂的双钙钛矿型氧化物Sr2Fe1-xAlxMoO6(x=0,0.3),并研究了它们的低场磁电阻效应.无磁性Al3+离子的Fe位掺杂打破了晶粒内部Fe离子和Mo离子的交替有序排列,将晶粒内部的亚磁性区域分割成很多尺寸更小的区域,提高了磁场灵敏度,从而使得Al掺杂样品在低温时的磁电阻比未掺杂时的Sr2FeMoO6提高一倍以上;但是Al掺杂后样品的磁电阻随着温度的升高而迅速下降,表现出更强烈的温度依赖性.     

金属有机物分解法制备的La-Sr-Mn-O薄膜的磁输运特性(英文)

利用金属有机物分解法在非晶石英衬底上成功地制备了具有 (202)择优取向的多晶 La1－ x－SrxMnOz薄膜。原子力显微镜观察显示薄膜具有疏松的结构缺陷。在室温下,观察到薄膜磁电阻随外加磁场变化具有优良的线性特征, 10 kOe磁场下,磁电阻值达到 5％。在 77 K低温下,薄膜具有显著的低场磁电阻效应, 2 kOe磁场下的磁电阻值达到 11％。薄膜的电阻－温度关系具有平缓的金属－绝缘体转变,转变温度远低于其居里温度;在 8 kOe磁场下,薄膜的磁电阻随温度下降而单调上升。上述薄膜的磁输运特性与其结构缺陷 (包括晶界及疏松 )有关。     

玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗效应(英文)

本文讨论了长度对玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗效应的影响.通过测量不同频率下(0.1～1MHz)以及不同长度样品的巨磁阻抗效应,结果表明,长度对玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗效应有显著影响.通过计算样品的环向磁导率,发现样品的磁畴结构和饱和磁化后的退磁场影响着环向磁导率变化大小.没有加入恒定磁场时,特殊的磁畴结构决定了不同长度样品的环向磁导率近似相等.饱和磁化后,较长的样品的环向磁导率较小,其环向磁导率的变化较大,从而导致相应的巨磁阻抗效应增强.     

La_(0.64)Ca_(0.28)Sr_(0.02)MnO_3材料的磁热性能

用溶胶-凝胶法制备了空位掺杂的La0.64Ca0.28Sr0.02MnO3材料样品,从结构,磁化曲线,磁相变等方面研究分析其具有大磁熵变的原因。在外加磁场1 T时,该样品磁熵变|ΔSM|达到3.01 J/(kg.K),居里温度TC为264 K。该样品低磁场下在室温附近有较强的制冷力,可作为良好的室温磁制冷材料。     

磁场退火对纳米晶Fe_(74.5)Cu_1Nb_2Si_(17.5)B_5合金饱和磁致伸缩系数和μi-T曲线的影响研究

研究了不同退火温度下形成的纳米晶Fe_(74.5)Cu_1Nb_2Si_(17.5)B_5合金经过磁场退火后,其饱和磁致伸缩系数λ_S、矫顽力H_C和μi-T曲线的变化。研究表明,经过磁场退火后,纳米晶合金的矫顽力出现不同程度的降低,温度在350℃以下时,初始磁导率表现出明显的提高,这些性能的改善归因于合金饱和磁致伸缩的减小。     

退火温度对(La2/3Ba1/3)(Cu0.15Mn0.85)O3薄膜微结构和磁性质的影响

利用射频磁控溅射法结合后期退火处理,在Si(100)基片上制备了一系列的(La2/3Ba1/3)(Cu0.15Mn0.85)O3(LBCMO)薄膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描隧道显微镜(STM)、X射线光电子能谱(XPS)、标准四探针法等手段对薄膜进行了相结构、微结构特征、表面化学状态以及室温与液氮下的磁电阻随磁场变化特性等的测试,结果表明薄膜在750℃就已形成正交钙钛矿结构,900℃时晶相变得更加完整,晶体内部各部分变得更加均匀.随着退火温度的升高,晶粒迅速长大,颗粒间的氧空位逐渐消失,晶格氧含量增加,促使低场磁电阻增强明显.     

退火对高定向热解石墨的输运特性的影响

研究了退火对磁场诱导下高定向热解石墨(HOPG)输运特性的影响.结果表明,退火后HOPG的R-T曲线明显变得光滑,且退火后电阻率增大了近50%,相应温度下的磁电阻效应均减小约40%.分析认为,这是由于HOPG内部存在层错与所含杂质缺陷引起的.磁场下电阻率随温度的变化表明,外加磁场对低温下的金属导电行为存在抑制作用,随着外加磁场的增加,低温下的金属导电行为受到抑制,在H=5.57×104A/m时,低温下的绝缘体-金属转变(I-M)被完全抑制,呈半导体性质.随着磁场的继续增加,在磁场高于H=9.24×105A/m时再次出现绝缘体-金属转变,即再入型金属导电行为,且退火对这一转变过程没有影响,表明这种绝缘体-金属转变是由外加磁场诱导产生的.     

低频脉冲磁场处理Co_(60.15)Fe_(4.35)Si_(12.5)B_(15)非晶合金薄带巨磁阻抗效应的研究

对Co60.15Fe4.35Si12.5B15非晶合金薄带进行了低频脉冲磁场处理,M ssbauer谱分析及透射电镜观察表明样品发生了纳米晶化,处理过程样品温升ΔT≤5℃,在直流磁场Hex为0.296kA/m、交变驱动电流频率为2MHz时,磁阻抗比值达255%。实验表明,材料的巨磁阻抗效应与低频脉冲磁场的频率、强度有关,同时低频脉冲磁场处理致非晶合金纳米晶化创新了一种获得巨磁阻抗效应新的处理工艺。     

钙钛矿材料La0.65Ca0.35Mn1-xFexO3的低场磁电阻特性探讨

我们制备了氧化物材料科La0.65Ca0.35Mn1-xFexO3(x=0,0.01,0.02,0.03),研究了材料在低场0.57T下的磁电阻效应,我们发现氧化物材料La0.65Ca0.35Mn1-xFexO3据里温度Tc及电阻峰位温度Tp均值铁含量的增加而下降,这主要是因为Fe离子不参加双交换作用,且阻挡了双交换作用的进行,材料的铁磁作用随铁含量增加而减弱。利用迪尼模型计算了La0.65Ca0.35Mn1-xFexO3材料在零场及磁场为0.57T下电阻随温度的变化关系,理论计算结果与实验数据吻合得较好。     

La0.67Sr0.33-xAgxMnO3的室温磁电阻效应

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了名义组分为La0.67Sr0.33-xAgrMnO3(x=0.15、0．20)的多晶样品,发现用Ag部分替代Sr后样品的室温磁电阻比替代前明显增大。在1．8T下,La0．67Sr0.18Ag0.15MnO3样品的磁电阻在330K出现峰值,其峰值为35％;对于La0．67Sr0.13Ag0.2 MnO3样品,磁电阻峰值为26％．且峰的宽度较大,在290～315K之间的磁电阻随着温度变化不大．因此显著提高了室温时样品的磁电阻和磁电阻的温度稳定性,另外．还提高了样品的磁场灵敏度。这对磁电阻的应用有很大意义。     

高导磁非晶软磁合金磁退火效应的初步研究

本文介绍高导磁Fe-Co-Si-B和Fe-Ni-Co-Si-B非晶软磁合佥的磁场热处理效应,并将其效应与晶态Fe-Ni系软磁合金的磁场热处理效应相比较,探讨非晶软磁合金磁场热处理效应的特殊性。我们做了两种磁场退火试验：即纵向磁场热处理和横向磁场热处理。在做此实验前首先测定了它们的比重(d),居里温度(Tc),电阻率(ρ)和结晶化温度(Tcr)等有关性能参数。纵向磁退火选了5个温度：300℃,330℃,375℃,400℃及420℃, (此合金Tcr约480℃,Tc约420℃)。横向磁退火只选用了1个温度(330℃)。磁退火前后测试它们的交、直流磁特性,性能测试采用环样,交流磁性测试时,样品是用绝缘纸绝缘的。根据试验结果,并将其与晶态Fe-Ni系软磁合金比较,我们总结了以下几点：1．这两种高导磁非晶软磁合金经磁退火后具有与晶态软磁合金类似的效果：即纵向磁退火后μmax成倍提高,Hc大大下降,矩形比Br／Bs明显增加,横向磁退火后磁导率在一定磁场范围内恒定。这说明磁场热处理同样可使非晶软磁合金产生明显的感生磁各向异性(Ku),它可能是来源于原子的方向有序或空位的方向有序。2．从磁退火前后性能提高的幅度来看,本试验所用的两种非晶软磁的磁场热处理效应不如晶态软磁合金的效应大。为此,我们测定了非晶磁退火后的Ku,其值约为1．2×103erg／cm3,它比晶态1J65的Ku小一倍多,这可能是由于非晶软磁的磁退火温度受到Tcr的限制而不能很高,以致影响原子扩散过程,方向有序的形成也不很理想。再者我们发现Fe-Co-Si-B非晶软磁经退火处理后磁导率下降,这可能是在退火中消除了原有的由制造带来的应力各向异性,这样在经磁退火的过程中,虽然由于磁场的作用产生了方向有序使性能提高,同时又由于消除了应力的备向异性而使性能下降,综合作用的结果表现出经磁退火后性能的提高幅度不如晶态软磁的大。因为晶态软磁合金在遇火时性能也是提高的,经磁退火性能提高的幅度就更大了。这一点还可以从非晶的最佳磁退火温度不是在Tc附近,而是在低于Tc几十度这一点得到证明。3．磁退火前后这两种非晶软磁合金的交流损耗曲线(P／f-f曲线)的走向不同。非晶软磁淬火态的损耗曲线很特殊,在低频段,每周损耗P／f随频率的增加而增加,在2KHz-v4KHz频率范围内,每周损耗反常地随频率增加是减少的,并出现一个最小值,然后在4KHz之后又随频率的增加而增加,但增加的量不很大。非晶合金经磁场热处理后损耗曲线的走向又趋正常,与晶态软磁的损耗曲线一致。这可能与非晶态软磁合金在磁退火前的畴结构特殊有关,据文献介绍,非晶软磁合金在淬火态的畴结构远不同于晶态软磁,主要是迷宫畴,而磁退火后磁畴主要为180°畴,这样使淬火态的非晶软磁在损耗曲线上表现出反常现象,而磁退火使非晶磁畴结构变得与晶态软磁类似了。4．本试验所用的两种非晶软磁合金经磁退火后其总损耗有所下降,但仍略大于晶态1J79软磁合金的总损耗。根据非晶软磁合金有较高的磁导率和较大的电阻率,应比晶态1J79的总损耗小,然而试验结果却与预想的相反。经损耗分离证明,非晶态软磁合金的经典涡流损耗和磁滞损耗占总损耗的比份较小,而反常涡流损耗占比份很大,可达70％；而晶态1J79的反常涡流损耗占的比份很小,只有6％左右,这种大的反常涡流损耗致使非晶的总损耗偏大。非晶反常涡流损耗大的原因,可能是由于它在磁退火后得到的巨大磁畴有关,根据文献介绍,非晶磁退火后的畴可比晶态的磁畴大几十倍。巨大的畴结构必然带来一些经典涡流损耗中没有包括的内容,如微观涡流损耗等。     

颗粒合金膜Co20NixCu80-x巨磁电阻和磁性能

研究了用快淬制备的铸态和退火处理后的颗粒合金膜Co20NixCu80-x（0≤X≤20）的磁电阻和磁性能。与高Ni的样品相反的是，低Ni的样品在低温下AR／R上升。无论低Ni或高Ni样品的剩余磁化强度Mr和矫顽力Hc都随退火温度的上升而增加。     

非晶FeSiB薄膜中的巨磁阻抗效应

采用射频溅射法在三组不同溅射条件下制备了FeSiB薄膜。测量了溅射薄膜的磁滞回线 ,并利用HP 41 94A阻抗分析仪 ,在 1～ 40MHz频率范围内研究了样品的巨磁阻抗效应。结果表明 :溅射条件对薄膜磁性能和巨磁阻抗效应影响很大 ,其中氩气压强为 6 65Pa ,磁场感生横向单轴磁各向异性的薄膜具有较好的软磁性能和较大的阻抗变化比值。一定温度下退火能够消除部分应力 ,阻抗变化的灵敏度能提高一倍。另外 ,对巨磁阻抗效应与测量磁场和薄膜易轴的相对位置取向之间的关系也作了讨论     

Co-Ag颗粒膜的磁光克尔效应

采用离子束溅射法制备了Ｃｏ－Ａｇ颗粒膜,并分别在１００℃、２５０℃、４００℃、５００℃下进行了退火。利用磁光克尔谱仪、椭圆偏振光谱仪对样品的光学常数、复介电函数、磁光克尔参数在室温下进行了测量。对于Ｃｏ２０Ａｇ８０系列样品,随着退火温度的升高磁光克尔旋转角θｋ增大,且在Ａｇ的等离子振荡边附近出现了大的增强峰,峰的位置随退火温度的升高出现红移。通过理论计算分析,这种克尔效应的增强是Ａｇ等离子振荡边作