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为保证差模干扰抑制器的温度稳定性以及在35mA大直流偏置下器件具有较高的偏置电感量和阻抗值,要制备出高阻高Bs的NiCuZn铁氧体材料。为此通过改变主成分配方中ZnO及Fe2O3的百分含量,掺入适量Co2O3,制备出起始磁导率μi为770,饱和磁感应强度Bs为388mT,居里温度Tc≥190℃,电阻率≥1×108Ω·㎝的NiCuZn铁氧体材料。 相似文献
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MoO3掺杂对高磁导率NiCuZn铁氧体性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
为获得具有高磁导率、高居里温度的NiCuZn铁氧体材料,研究了MoO3掺杂对NiCuZn铁氧体微观结构及电磁性能的影响.少量MoO3掺杂可使铁氧体晶粒尺寸增大,均匀性改善,起始磁导率提高,而居里温度仅有较小幅值的下降.但掺杂过量时,晶粒中气孔率增加,起始磁导率下降,损耗也大为增加.在配方(Ni0.28Cu0.1Zn0.62)Fe2.04O4中,当MoO3掺杂为0.12wt%时,可获得起始磁导率为2650,而居里温度高达到105℃的铁氧体材料. 相似文献
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采用固相法制备了Ni0.2Cu0.2Zn0.6Fe2O4铁氧体,在850℃进行预烧结,通过添加不同量的Bi2O3-HBO3-ZnO(BBZ)助熔剂,在不同温度烧结成型。研究了烧结温度和BBZ添加量对NiCuZn铁氧体材料微观结构和磁性能的影响。通过XRD、SEM、VSM和磁谱分析,结果表明,BBZ的加入起到了良好的低温烧结作用,在不同的烧结温度下性能呈现一定的规律。加入2%(质量分数)BBZ、950℃烧结的NiCuZn铁氧体晶粒生长较均匀,饱和磁化强度为51.9emu/g,起始磁导率μ′=349.9,磁谱损耗角正切值tanδ在0.02左右。 相似文献
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以NaCl作为熔盐体系通过固相-熔盐法制备出了掺杂La的NiCuZn铁氧体Ni0.17Cu0.2Zn0.62La2x-Fe2.02-2xO4.02超细粉末.利用XRD、SEM和VSM等手段对样品进行了表征,讨论了La掺杂对NiCuZn铁氧体形态、性能的影响.结果表明,只有在La掺杂量为X≤0.02的范围内,才能得到单相尖晶石结构铁氧体;当X>0.02后,就会出现有La2O3的杂相产生.通过磁性研究表明适量的La掺杂可以降低NiCuZn铁氧体的居里温度.从室温和低温下的磁滞回线发现,样品低温下的比饱和磁化强度σs和矫顽力均比室温下的大. 相似文献
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采用固相反应法制备添加Ta2O5的NiCuZn铁氧体, 研究了不同Ta2O5含量对NiCuZn铁氧体显微结构, 静磁性能和高频损耗的影响。结果表明: Ta2O5具有细化NiCuZn铁氧体晶粒的作用, 可降低材料的烧结密度。随着Ta2O5含量的增加, 样品的饱和磁感应强度和起始磁导率单调减小, 矫顽力则逐渐增大, 截止频率逐渐升高, 而高频损耗呈先降低后增加的趋势, 其主导因素由剩余损耗逐渐过渡到磁滞损耗。当Ta2O5含量为0.12wt%时, 样品在3 MHz、10 mT、100℃下总损耗最小, 为139 mW/cm3, 其中磁滞损耗和剩余损耗分别为93 mW/cm3和46 mW/cm3。 相似文献
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研究了MnZn高磁导率铁氧体材料在Fe2O3含量不变的前提下,增加ZnO量,起始磁导率、品质因数、饱和磁感应强度及其与温度、频率的关系.结果表明,加入ZnO可以提高起始磁导率,饱和磁感应强度Bs和居里温度降低;当ZnO含量不超过25%mol时,高磁导率MnZn铁氧体材料有着良好的频率特性,但ZnO含量超过25mol%时,由于Zn2+是非磁性离子,且ZnO挥发严重,相反会使得起始磁导率μi下降. 相似文献
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本文采用传统陶瓷工艺制备了高磁导率MnZn铁氧体材料.为获得高磁导率MnZn铁氧体材料,从分析材料微观结构入手,研究了适当的工艺条件以及CaCO3和SnO2不同的掺入比对高磁导率MnZn铁氧体材料性能的影响.研究结果表明,由于Ca2 离子存在于晶界,少量的CaCO3掺入会使铁氧体晶粒尺寸增加,均匀性改善,起始磁导率增加,而CaCO3掺杂过量,将会增加晶粒中的气孔率,从而降低起始磁导率.SnO2掺入后,由于Sn4 离子存在于晶界中,为满足电荷平衡的要求,引起晶界附近金属离子空位增多,从而加速畴壁的运动,提高材料的起始磁导率. 相似文献
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微波铁氧体吸收剂复磁导率和复介电常数的温度特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
本文对(Zn_(1-x)Co_x)_2-w型六角晶系铁氧体吸波材料的复磁导率μ_r和复介电常数ε_r的温度特性进行了研究。实验发现当温度从-25℃升至100℃时,复磁导率的实部μ'_r值从1.51降至1.30,虚部μ″_r值从0.19降至0.14,复介电常数的实部ε′_r值从6.50升至7.10,虚部ε″_r值从1.70升至1.80,理论上对电磁参数随温度变化特性进行了分析讨论。 相似文献
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掺杂对高导MnZn铁氧体微结构和性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用传统陶瓷工艺制备了高磁导率MnZn铁氧体材料。从分析材料微观结构入手,研究了P2O5和Nb2O5的掺入,组以适配的工艺条件和不同的比例掺入,来研究对高磁导率MnZn铁氧体材料性能的影响。少量P2O5掺杂可使铁氧体晶粒尺寸增大,均匀性改善,起始磁导率提高。但若掺杂过量,晶粒中气孔率增加,起始磁导率下降,损耗也大为增加。在配方为Zn0.15Mn0.78Fe2.07O4的材料中,当P2O5掺杂量为0.16%(wt)时,起始磁导率可达10697。Nb2O5的添加起到细化晶粒的作用,可以改善材料的频率特性,降低材料损耗,磁导率稍有降低,但当Nb2O5的质量分数>0.005%时,会显著降低材料的起始磁导率。 相似文献
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电子设备仪器体积小型化的发展,人们对轻薄小型化、高性能化和高密度化的电子元器件的需求日益增长,高磁导率(μ)Mn—Zn铁氧体材料于是应运而生并不断取得新的进展。它在抗电子干扰(EMI)滤波器、电子线路宽带变压器以及综合业务数据网(ISDN)、局域网(LAN)、宽域网(WAN)等网络领域的脉冲变压器中得到了非常广泛的应用。[编按] 相似文献
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我国软磁铁氧体产业发展与未来 总被引:4,自引:0,他引:4
软磁铁氧体材料已经被广泛应用于民用和工业领域。随着21世纪信息技术和电子产品数字化的发展,对软磁铁氧体和元件提出了新的要求。如器件的小型化、片式化、高频化、高性能、低损耗等。软磁铁氧体材料将进一步向高频、高磁导率和低损耗的两高一低方向发展。 相似文献