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在（１００）取向半绝缘ＧａＡｓ衬底上，采用独特的含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步分子束外延（ＭＢＥ）生长了异质外延ＩｎＳｂ薄膜。ＩｎＳｂ外延层表面为平滑镜面，外延层厚度约为６μｍ，导电类型为ｎ型，室温（３００Ｋ）和液氮（７７Ｋ）霍尔载流子浓度分别为ｎ＿（３００Ｋ）：２．０×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）和ｎ＿（７７Ｋ）：２．４×１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）；电子迁移率分别为μ＿（３００Ｋ）：４１０００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）Ｓ＿（－１）和μ＿（７７Ｋ）：５１２００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）Ｓ￣（－１）。ＩｎＳｂ外延层双晶衍射半峰宽为１９８ａｒｃｓ，最好的ＩｎＳｂ外延层的半峰宽小于１５０ａｒｃｓ。采用ＩｎＳｂ非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度，改善了ＩｎＳｂ外延层的质量。 相似文献
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集成电路封装技术常用术语（续Ⅱ）丁一４５ＱＦＪ（ｑｕａｄｆｌａｔＪ－ｌｅａｄｅｄｐａｃｋａｇｅ）四侧Ｊ形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈Ｊ字形。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距１．２７ｍｍ。材料有塑料和陶瓷两... 相似文献
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为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究，做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。 相似文献
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２ＭｅＶ、（１～２）×１０１４ｃｍ－２硅离子注入ＳＩ－ＩｎＰ（Ｆｅ）造成负的（－３．４×１０－４～－２．９×１０－４）晶格应变，光快速退火的激活能为０．２６ｅＶ。８８０℃／１０ｓ退火可得到１００％的施主激活。间断两步退火（３７５℃／３０ｓ＋８８０℃／１０ｓ）使注入层单晶恢复完全，较大程度（２０％～３５％）地改善了载流子的迁移率。四能量叠加注入已能在０．５～３．０μｍ的深度区域形成满足某些器件要求的低电阻（７．５Ω）高浓度［（２～３）×１０１８ｃｍ－３］的ｎ型导电层。 相似文献
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本文概要报导我们ＨｇＣｄＴｅＭＢＥ上作的最近进展。一批面积２．０－１６．６ｃｍ２，组份ｘ０．１８８－０．３０，载流子浓度７．８１×１０１４～１．０×１０１６ｃｍ－３，迁移率１．０×１０４～１．４５×１０５ｃｍ２ｖ－１．ｓ－１和ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）６４～１００ａｒｃｓｅｃ的Ｎ型原生ＨｇＣｄＴｅ外延膜已经得到，某些参数已接近或达到国外报导的典型值，并在国内首先研制了直径为５０ｍｍ的ＨｇＣｄＴｅ外延膜。为了评价材料的特性，用一块Ｘ＝０．２４３的外延膜经适当热处理后研制了光伏探测器试验阵列，其最好的一元探测率Ｄλ＊＝２．４４×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（λｃ＝７．９μｍ）。 相似文献
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前言 伺服马达广泛应用於工业界，各级学校自动控制实习课程也大都以直流伺服马达控制系统为主要设备。除了硬体实习外，我们发现以ＩｓＳｐｉｃｅ亦可轻易解析直流伺服马达控制系统：模拟的关键在於如何建立马达与机构模型。本专辑以英国Ｆｅｅｄｂａｃｋ公司生产的自动控制实验系统３３－００２为例：旨在说明如何建立马达机构单元（３３－１００）与类比控制单元（３３－１１０）之模型，并模拟验证ＰＩＤ位置伺服控制系统之特性。对拥有Ｆｅｅｄｂａｃｋ３３－００２设备的学校而言：可应用此一技术，以ＩｓＳｐｉｃｅ模拟辅助自动控制… 相似文献
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《大气与环境光学学报》2000,(4)
在二十年时间内,位于法国Ｐａｌａｉｓｅａｕ的ＬＵＬＩ一直是该国的激光产生等离子体和惯性约束聚变的研究中心,这套装置包括一个世界上最大的激光器——由欧盟的研究人员设置的六光束１００ＴＷＮｄ：ｇｌａｓｓ激光器。巴黎的原子能委员会（ＣＥＡ）拥有自己的一个两光束Ｎｄ：ｇｌａｓｓ激光器Ｐｈｅｂｕｓ,脉宽１ｕｓ, １．０６μｍ处激光输出 ２０ ｋＪ, ０．３５μｍ处激光输出 ５ ｋＪ．较老的 Ｏｃｔａｌ激光器现在正在被拆除,以便把精力集中在准备用于热核武器研究的ＭＪ激光项目．ＣＥＡ的Ｏｃｔａｌ和Ｐｈｅｂｕｓ激光器… 相似文献
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Arie Ravid 《电子产品世界》1996,(11)
在对ＮｉＣｄ和ＮｉＭＨ电池充电期间，其温度会上升。这一特性可用来控制端接充电过程，但电池必须接上温度传感器。这样一种配置价格昂贵，而且使用起来有时也很不方便。但是，这种在充电结束时形成的内部电池温升现象会使电池电压下降。这种压降可以检测出来，并可用来端接快速充电。为了测定本例的电压下降速率，把一个三电池（ＰａｎａｓｏｎｉｃＰ１３０－ＳＣＲ）的电池组连接到０．８Ａ恒流充电器。压降速率为－０．６ｍＶ／ｓ（图１）。该电路的核心部分是一个取样保持ＩＣ（Ｕ３）（图２）。Ｕ３的输出（引脚５）在引脚８的每个时… 相似文献
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卫星用AlGaAs／GaAs太阳能电池 总被引：1，自引：1，他引：1
介绍了ＧａＡｓ太阳能电池的基本原理，结构设计和制作工艺。用水平液相外延一室分离多片旬延石墨舟研制了ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ｐ－ｎ－ＧａＡｓ结构的太阳能电池。在ＡＭＯ，１００ｍＷ／ｃｍ＾２２５℃的测试条件下，开路电压（Ｖｏｃ）为９９４ｍＶ，短路电流密度为２３．２ｍｃｍ＾２，填充因子（ＦＦ）为０．７９４，光电转换这１８．２5. 相似文献
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准分子激光扫描淀积PZT/YBCO结构铁电薄膜 总被引：2，自引：1，他引：1
利用脉冲准分子激光（工作气体ＸｅＣｌ，波长３０８ｎｍ，脉宽２８ｎｓ）在外延ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ３（１００）单晶基片上淀积了Ｐｂ（Ｚｒ０．５５Ｔｉ０．４５）Ｏ３铁电薄膜，ＹＢＣＯ薄膜既为生长高取向ＰＺＴ薄膜提供了晶体匹配条件，同时也为ＰＺＴ铁电薄膜提供了下电极。讨论了工艺参数对晶相结构和表面形貌的影响。用Ｘ射线衍射表征了该多层膜的晶相结构，扫描电镜观察其表面形貌。ＰＺＴ铁电薄膜的剩余极化为２１μＣ／ｃｍ２，矫顽场为６５ｋＶ／ｃｍ。 相似文献
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用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ的快速退火行为进行了研究．Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３．Ａｓ＋注入剂量为２×１０（１６）ｃｍ（－２），注入能量为１００ｋｅＶ．快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒．实验结果表明，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ中Ａｓ的扩散与Ｇｅ组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快．对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈现“盒形”（ｂｏｘ－ｓｈａｐｅｄ），表明扩散与Ａｓ浓度有关．Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ａｓ的快 相似文献
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本文运用Ｒ．Ａ．Ｓ（Ｒｅｇｕｌａｒ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）模型的基本原理，导出了简明的适用于Ａ＾ＩＩ－Ｂ＾Ｖｉ－Ｃ＾ＶＩ三元系富ＶＩ族区的液固平衡方程，并由此计算了Ｚｎ－Ｓｅ－Ｔｅ三元系富Ｔｅ区的液固平衡曲线，计算结果与已有的实验数据符合，最后，对ＺｎＳｅ０．５２Ｔｅ０．４８在（１００）ＩｎＰ衬底上的液相外延生长进行了实验研究。 相似文献
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国内首次报道用热壁外延（ＨＷＥ）技术在（１００）ＧａＡｓ衬底上生长出Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ（１１１）薄膜。结果表明，薄膜在１５～２０μｍ厚时Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽在１００弧秒以下，其位错腐蚀坑密度等于甚至小于１０￣３ｃｍ￣（－２）薄膜组分、层厚均匀，表面光亮如镜，质量达到国际先进水平，优于国内Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ块晶，是外延生长ＨｇＣｄＴｅ的理想替代式衬底。文章强调了生长前ＧａＡｓ衬底，多晶源预处理的重要性。 相似文献
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