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采用化学共沉淀法成功地制备出适用于彩电显象管内荧光体着色的CoxR1-xAl2O4(R=Zn、 Mg, x=0.8~1.0)钴蓝颜料: 450nm波长处反射率最大提高18.2%, 600nm处反射率最大降低5%。通过对该颜料反射率的影响因素,如掺杂离子类型、掺杂浓度和Co2+离子浓度的探讨,结论如下:Zn2+、Mg2+改变钴蓝颜料反射性能的作用机理为晶格畸变引起Co2+3d轨道电子能级分裂程度的变化;对于掺杂离子Zn2+、Mg2+,x下限值分别约为0.85和0.8. 相似文献
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稀土掺杂锂锰氧化物LiMn2-xNdxO4(X=0.005~0.1)的结构和电性能研究 总被引:14,自引:1,他引:14
采用微波与传统加热相结合的方法首次合成了稀土掺杂基锂锰氧化物LiMn2-xNdxO4(x=0.005-0.1)材料,电化学性能测试结果表明材料在掺杂量为x=0.01时表现出最大放电比容量,同时具有很好的循环稳定性,经过100次循环其容量衰减仅为14.9%;XRD测试结果表明在LiMn2O4尖晶石晶格中掺入合适量的Nd对稳定尖晶石骨架结构起重要作用;FTIR分析技术揭示了容量少量衰减的原因。 相似文献
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MgO,CaO,Y2O3掺杂ZrO2相组成的定量分析 总被引:3,自引:1,他引:3
以共沉淀法制备了掺杂8mol%MgO,CaO,Y2O3的ZrO2粉料,在1550℃烧结得到致密的稳定或稳定ZrO2试样,应用X射线步长扫描衍射数据和Rietveld方法对试样进行了相含量的定量分析,结果表明,相同组份不同金属氧化物稳定的ZrO2试样在烧结后得到不同的相组成,MgO部分稳定ZrO2为立方、四方和单斜三相混合物(17:57:26:wt%),CaO的部分稳定ZrO2仅包含立方和单斜相(6 相似文献
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纳米晶 Ni1-x ZnxFe2O4铁氧体粉料的制备及其磁性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用喷射-共沉淀法制备了纳米晶Ni1-xZnxFe2O4(0≤x≤1.0)铁氧体粉料.通过TG-DSC、XRD、SEM、TEM、BET等测试手段分析了其微观结构和形貌,用振动样品磁强计测量其室温下磁性能.结果表明:喷射-共沉淀法制备的粉料颗粒细小均匀、形状完整.600℃下煅烧1.5h,样品晶粒尺寸为30nm左右,平均颗粒尺寸<100nm.室温下,样品比饱和磁化强度随Zn^2+含量增加而变化,当x=0.5时,最大比饱和磁化强度σs为66.8A·m^2/kg.当晶粒大小为41nm时,纳米晶Ni0.5Zn0.5Fe2O4铁氧体矫顽力达到最大值5.06kA/m,随后又随晶粒尺寸增大而减小.这归因于纳米晶软磁材料中强烈的无序磁晶各向异性模式的影响. 相似文献
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烧结工艺对B2O3掺杂Ba1-xSrxTiO3梯度陶瓷介电性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了烧结温度及升温速率对氧化硼(B2O3)掺杂钛酸锶钡梯度陶瓷(Ba1-xSrxTiO3,x=0~0.4,步长0.02)的致密化、晶粒尺寸及介电性能的影响.结果表明,随着烧结温度的升高,在氧化硼挥发的同时致密化程度提高,从而居里峰提高且变得尖锐;随着氧化硼含量的增加,晶粒尺寸均匀长大、介电常数和介电损耗都增加;升温速率适中时,掺杂物的挥发、致密化进程及晶粒长大同步完成,梯度陶瓷介电性能才有效提高.此外,钛酸锶钡梯度陶瓷掺杂适量氧化硼明显降低烧结温度,比未掺杂相同成分的陶瓷烧结温度至少降低150℃,且介电损耗明显减小;梯度陶瓷的居里峰温度区间显著展宽,大大降低了该温区的介温系数,可望提高该系列陶瓷元器件精度及稳定性. 相似文献
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Eu2+离子在Sr2Al6O11基磷光体中发光行为的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了不同Eu掺杂浓度对Sr2Al6O11基磷光体发光性能的影响。结果发现,当Eu掺杂浓度低于0.01mol时,在其发射光谱中存在403和493nm的主发射峰,对应着Sr2Al6O11基质中Sr的两种不同位置Sr1和Sr2位。随着Eu掺杂浓度增加,由于能量传递作用,导致403nm的发射峰消失,493nm的发射峰增强。余辉衰减曲线表明,未掺杂Dy的磷光体没有余辉性能,当Eu掺杂量在0.01mol时,余辉性能最好,进一步提高Eu的掺杂量,由于浓度猝灭作用,导致发光性能下降。 相似文献
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研究了不同V5+含量Mg4(SbNb1-xVx)O9[MSNV, 0.05≤ x≤0.3]系陶瓷的烧结特性、微观结构和微波介电性能. 结果表明: 一定量V5+取代能够明显降低该陶瓷的烧结温度. 在所有组成范围内, XRD显示了单一刚玉型结构. 随V5+含量的增加, 样品的介电常数ε和品质因数Q·f先增大后减小, 样品的谐振频率温度系数τf逐渐减小, 这是由于V5+的取代使得B位键价增强所致. 在x=0.15, 1250℃烧结, 可获得εr=9.98, Q·f=20248GHz (8GHz), τf=-23.3×10-6·K-1的新型微波介质陶瓷. 相似文献
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YFe1-yCoyO3半导体气敏材料的制备和性能研究 总被引:6,自引:0,他引:6
用化学共沉淀法制备了YFe1-yCoyO3(0.0≤y≤0.05)固溶纳米晶微粉,并对其制备条件,物相组成,微结构,电导和气敏效应作了系统研究,结果表明,钴B位掺杂铁酸钇材料呈典型的P型半导体导电行为,同温下固溶体电导不仅大于纯相YFeO3的电导而且随湿度增加其电阻迅速下降,243℃下YFe0.9Co0.1O3传感器元件对乙醇有较高的灵敏度和良好的选择性,有望开发为一类新型C2H5OH3信息敏感材料。 相似文献
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锂离子电池阴极材料LiMxMn2-xO4的合成方法研究 总被引:17,自引:1,他引:17
尖晶石LiMxMn2-xO4是最有希望替代LiCoO2的新一代锂离子电池阴极材料。本文对其晶体结构进行了详细的描述;综合评述了近年来各种制备LiMxMn2-xO4的方法,包括高温固相反应、微波烧结法、固相配位反应等“固相合成法”以及Pechini法、溶胶-凝胶法、微乳化等“软化学合成法”。并对各方法的优缺点进行了分析对比。其中“固相配位反应法”是本文作者的创新方法,既保持了高温固相反应法操作简便、易于工业化生产的的优点,同时也具有煅烧温度低、煅烧时间短、产品形貌较好、粒度相对较小、而且化学计量可控等优点。因此,该法具有十分巨大的潜在应用价值。 相似文献
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采用熔融法结合SPS烧结技术合成了SryCo4Sb12-xTex化合物, 并探讨了Te掺杂对化合物热电性能的影响. 采用XRD及EPMA确定了相组成及化学成分, 并测试了材料的高温热电性能. 实验结果表明, 虽然Te掺杂降低了Sr在CoSb3中的填充量, 但是与具有相近Sr填充量的基体相比, Te掺杂提高了材料的载流子浓度和电导率, 同时也提高了塞贝克系数; Te掺杂由于引入了电子-声子散射, 进一步降低了材料的晶格热导率, 并且随着Te掺杂量的增加, 晶格热导率的降低幅度提高; 对x=0.05的样品Sr0.18Co4Sb11.95Te0.05, 在850K时, 材料的最大ZT值接近1.0, 与具有相近填充量的基体材料相比, ZT值提高了35%. 相似文献
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利用熔体提拉法生长了大尺寸,高质量的新型激光自倍频晶体Nd:GdxY1-x(Ca4O(BO3)3(简称Nd:GdYCOB),对Nd:GdYCOB晶体的XRD衍射图进行指标化,得到它的晶胞参数为a=8.080A;b=16.016A;c=3.538A,β=101.18,μ=491.1A3,对取自不同部位的晶体粉末进行ICP原子发射光 分析表明晶体整体组份均匀一致,根据熔体和晶体粉末的ICP数据计算,Nd:GdYCOB晶体中Nd3 的分凝系数为0.63,首次报道了Nd:GdYCOB晶体200-3000nm室温透过光谱和室温荧光光谱及荧光寿命,室温透过光谱表明Nd:GdYCOB晶体的紫外吸收边在-220nm,具有很宽的透光波段(-220-2700nm);Nd:GdYCOB晶体在800nm附近存在很强的吸收,适合于LD泵汪,为光光谱表明Nd:GdYCOB晶体是一种很有潜力的RGB(red,green,blue)激光自倍频晶体,掺杂4%,5% Nd:GdYCOB晶体的荧光寿命分别为105us和100us。 相似文献
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利用常规固相法制备了ZnAl2O4-Mg2TiO4-CaTiO3陶瓷, 研究了CaTiO3对其相成分、微观组织结构和微波介电性能的影响规律. 结果表明, CaTiO3能有效地改善(1-x)ZnAl2O4-xMg2TiO4(x=0.21)材料的烧结性能, 使其致密化温度降低150℃. ZnAl2O4-Mg2TiO4-CaTiO3陶瓷体系中包括ZnAl2O4基尖晶石相、CaTiO3、MgTi2O5和Zn2Ti3O8相, 当烧结温度高于1400℃时, Zn2Ti3O8相消失. 随着CaTiO3含量的增加, 体系中CaTiO3相含量增加而MgTi2O5相含量减少, 且CaTiO3具有显著地调节谐振频率温度系数的作用. 当在(1-x)ZnAl2O4-xMg2TiO4(x=0.21)体系中掺入6mol%的CaTiO3添加剂时, 经1400℃烧结后能获得温度稳定性好的微波介质陶瓷材料, 其微波介电性能为:εr=11.8, Q·f=88080GHz, τf=-7.8×10-6/℃. 相似文献
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以Mn3O4为前驱体的LiMn2O4及其电化学性能 总被引:11,自引:0,他引:11
对传统的固相反应进行了改进,以控制结晶法合成出来的Mn3O4为前驱体,和LiOH混合煅烧,制备出锂离子电池正极活性材料尖晶石LiMn2O4。对由此方法得到的尖晶石LiMn2O4的结构和电化学性能进行了研究。通过X线光衍射和扫描电镜分析表明,该材料为纯相尖晶石LiMn2O4,不含其它杂质相,而且晶粒大小比较均匀;通过电化学性能测试表明,该尖晶石LiMn2O4具有良好的电化学性能:其首次放电比容量为128mAh/g,经过10次充放电循环后,其放电比容量仍有124mAh/g。 相似文献