玻璃磁控溅射镀膜生产线设计

为实现用真空磁控溅射镀技术对玻璃进行连续式镀膜,设计了一条基于PLC的自动化生产线。在精确控制镀膜时间和靶电流,保持电压不变的条件下,通过闭环控制实现镀膜室的工作气体气压恒定控制,从而得到稳定的沉积速率,最终在实验中利用真空磁控溅射镀膜方法制备出分布均匀,附着性强和特定厚度的膜层。通过上位机软件对参数值进行最优控制．在提高沉积速率的同时实现了玻璃大批量深加工的目的。     

基于DSP的磁控溅射电源的设计与实现

磁控溅射镀膜技术以高速、低温两大特点在真空镀膜工业中得到广泛应用,而靶材的异常放电会导致溅射过程不稳定,严重影响膜层质量.针对大型真空镀膜设备,从直流磁控溅射电源的等离子体负载特性出发,设计并研制了一款数字化的直流磁控溅射电源.该电源采用TMS320LF2407型DSP作为主控制器.详细介绍了主电路的拓扑结构、主要参数...     

新型直流磁控溅射电源的研究与设计

研究并设计了一种适用于直流磁控溅射的新型数字化电源。针对直流磁控溅射工艺的要求,从系统控制策略和电弧保护两方面进行研究。设计了带指令电流前馈补偿的双闭环控制策略,并给出详细的设计方法;提出溅射过程出现异常弧光现象时,针对软弧和硬弧采取不同保护方式的两级保护方法,并描述了基于HCPL-316J的驱动电路设计。搭建10 kw实验样机进行验证,结果表明带指令电流前馈补偿的双闭环控制策略具有良好的动态性和稳定性,两级保护方法可有效熄灭电弧,提升溅射的质量。     

高频低造型电源变压器的设计与应用

探讨了高频低造型电源变压器设计的有关问题，给出了平板式绕组的设计制作方法。该方法能自动串连绕组各层导体从而解决了绕组各层导体之间的连线问题，避免了焊接，大大提高了器件的可靠性和绕组对磁心窗口的利用率。实验结果用这种方法制作的变压器漏感小、效率高、特别适合用于分布式高功率的七关电源模块当中，文中还给出了高频低造型电源变压器的计算机辅助设计方法，这不仅使得设计过程更灵活、快捷、也使得设计结果更可靠。     

磁控溅射法沉积TCO薄膜的电源技术

电源在磁控溅射法制备透明导电氧化物(TCO)薄膜的技术中起着重要的作用。本文重点介绍了磁控溅射TCO薄膜的电源技术发展现状及进展,首先简要说明了目前应用最广泛的直流电源技术及具备灭弧能力的脉冲电源技术的原理和主要优缺点。进一步的,介绍了具备快速灭弧补偿功能的新型直流电源技术和模块化电源技术。最后进一步分析了代表新一代技术的高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)电源的基本原理和优良特性,并指出其发展所面临的挑战。     

小孔机绿色低功耗脉冲电源的研究

目前国内小孔机普遍采用的是独立式脉冲电源,这种独立式脉冲电源电能的利用率极低,为了提高其电能利用率,提出了小孔机绿色低功耗脉冲电源的方案。取消了工频变压器和限流电阻,采用高低压复合形式,高压引弧电路和低压恒流源相配合,低压部分采用双管正激交错并联的拓扑形式。设计出了新型小孔机绿色低功耗脉冲电源,达到了高效节能的目的。     

高频低造型电源变压器的计算机辅助设计

介绍了高频低造型电源变压器的计算机辅助设计。当给定设计参数诸如变换器后扑、输入输出电压、输出功率、变压器效率等后,此程序便会自动搜索满足设计的体积最小的变压器。设计者可根据具体要求,调整设计参数,以达到最为满意的设计结果。     

高频电源变压器的设计原则，要求和程序

从高频电源变压器作为一种产品(即商品)出发，说明了它的设计原则和要求，并介绍了它的设计程序。     

磁控溅射对薄膜附着力的影响

磁控溅射技术因具有溅射速率高、无污染、可制备各种不同功能的薄膜等优点而得到广泛地应用。综述了薄膜附着力机理,分析了影响薄膜性能的因素,结果表明,薄膜的附着力是影响薄膜性能的主要因素。影响薄膜附着力的因素有:基材的表面清洁度、制备薄膜的各种工艺参数、热处理、原料的纯度等。     

考虑负载补偿的脉冲溅射电源的设计与实现

脉冲磁控溅射电源是实现绿色磁控溅射镀膜的关键设备之一,而等离子体负载的非线性特性会直接影响电源的输出性能。此处以TMS320LF2407型DSP芯片为主控制器,研制一款数字化的脉冲磁控溅射电源,介绍了电源的总体设计方案,主电路拓扑结构及控制电路设计思路,设计了电感、电阻及电容的负载补偿电路,该电路有效解决了由于等离子体负载的非线性特性而引起的脉冲电压振荡与上升时间之间的矛盾。系统测试和运行结果证明了电源设计方案的正确性,且电源表现出良好的负载适应能力。     

磁控溅射镍膜及其性能的研究

采用磁控溅射法在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基材上制备了镍薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)分析溅射功率、溅射真空室气压等工艺参数对镍薄膜表面形貌的影响;研究了溅射工艺参数与薄膜性能之间的关系。实验结果表明,在室温下,随着溅射气压的增加,沉积速率和粒径都是先增加后又逐渐变小,而薄膜的电阻则随着压强的增大先减小后逐步增大;薄膜的表面粗糙度随着溅射功率的增加而增大;膜层与基材的剥离强度较大且均匀,膜层结合较为牢固,薄膜的耐摩擦性能较为优良。     

大功率逆变器中驱动电路的开关电源设计

为了满足大功率逆变器中开关管驱动电路对电源功率的要求,以及适应逆变器输入为一定范围内变化的情况,设计了通过光耦反馈的单管反激式电流型控制的开关电源,给出了实验结果。其性能满足了实际应用要求。     

Control of Crystallographic Structure of Aluminum Nitride Films Prepared by Magnetron Sputtering

Aluminum nitride (AlN) films were prepared by using reactive magnetron (RMS). The substrate temperature (T_s) was varied from room temperature to 700°C, and RF power (P _w) from 100 to 250 W, and three different substrate materials (e.g. Si(100), Pt(111)/Si(100) and Al₂O₃(00·1)) were used. The mean free path of the species in the vacuum was controlled to be much shorter than the target-to-substrate distance, so that T_s and P _w have the equivalent effect in affecting the effective thermal energy of the species after landing on the substrate. With these conditions, the film structure was found to cover a broad range, varying from nearly amorphous (na-), polycrystalline (p-), (00·1) texture (t-) and epitaxial (e-) structure. The structural change is supposed to be governed the successive increase in the thermal energy of the species on the substrate. The use of substrate material having lattice matching with the AlN structure further assists the (00·1) preferential growth when the species are mobile enough at the settings of high T_s and P _w.     

磁控溅射用旋转阴极磁场装置的结构设计及磁场分析

针对现有磁控溅射装置在镀膜工作中靶面阴极磁场分布不均匀的问题,设计了一种新型旋转阴极磁场装置。该装置通过旋转机构带动磁场做圆周运动,利用凸轮机构使磁场做上下直线运动。首先,利用3D软件绘制出该装置的三维模型;其次,对阴极磁场磁感应强度进行了有限元分析;最后,通过调整磁轭高度、伸出臂长度以及磁轭-靶材间距优化了磁场,并将优化前后的数值模拟曲线进行了对比分析。结果表明,优化后阴极磁场磁感应强度曲线的均匀度由21%改善到6%,有效改善了靶面磁场均匀性,有利于保证磁控溅射的稳定运行。     

室温无反应磁控溅射法制备ZAO导电薄膜及其特性研究

以氧化铝(Al2O3)掺杂的ZnO陶瓷靶材为基础,室温下采用无氧直流磁控溅射法在载玻片衬底上制备了ZnO∶Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了不同的Al2O3掺杂量对薄膜微观结构、电阻率和透光率性能的影响。结果表明:掺杂量大于1%(质量分数,下同)的薄膜均呈c轴择优取向生长,薄膜致密无裂纹,具有光滑表面;掺杂量对薄膜的电阻率影响显著,当掺杂量为3%时,薄膜的电阻率最小,仅为7.4×10-3Ω.cm;掺杂量对薄膜的透光性无明显影响,不同掺杂量的薄膜在可见光区的平均透光率接近90%。     

一种大功率高频开关电源的研制

介绍了一种基于SG3525芯片的大功率高频开关电源的研制．并通过实验论证了此方案的可行性。