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通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论. 相似文献
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二维PtSe2具备宽可调带隙、高稳定性等优点,在新型光电器件方面具有极大应用价值。利用时间分辨太赫兹光谱研究了不同厚度PtSe2中的光生载流子超快动力学,发现该材料瞬态太赫兹光电导的幅度及其激发光强度依赖性随材料厚度的增加呈现出显著的非线性增加趋势。通过太赫兹光电导频谱分析,获得了光生载流子浓度、散射时间、背散射因子等动力学参数,并结合激发波长依赖的太赫兹弛豫动力学,推测束缚激子和自由载流子的竞争是引起这种厚度非线性关系的主要原因。此外,基于光泵浦-光探测光谱证明了PtSe2中的激子效应及半导体-半金属转变。该工作演示了层数对PtSe2中非平衡态动力学的有效调控,对贵金属基二维材料在光电器件方面的应用具有指导意义。 相似文献
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载流子注入全内反射型GaAs/GaAIAs光波导开关 总被引:3,自引:0,他引:3
研制出利用载流子注入能带填充效应制成的全内反射型(CI-TIR)GaAs/GaAIAs光波导开关。开关工作波长为0.87μm,工作电流70mA,消光比14dB,串话-13dB,该开关具有尺寸小,与偏振无关,无阻塞,易集成的优点。 相似文献
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本文论述构成未来光节点系统关键器件的导波半导体光交换器件的特性。采用半导体MQW波导的QCSE制成全封装2×2和4×4光开关组件,并加以评估。这些组件能分组交换10Gb/s的光信号,并能以1/8去复用成1.25Gb/s,这些组件很有希望作为高速交换器件。 相似文献
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从理论和实验上研究了77K和300K温度下,本征型半导体InSb,Hg_(1-x)Cd_xTe,Hg_(1-x)Mn_xTe和高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe在2.5~50μm波段范围内的自由载流子吸收,结果表明:对于所研究的三种本征型样品,均是极性光学声子散射起主要作用,对于InSb还应考虑声学声子和电离杂质散射。对有缺陷的Hg_(1-x)Mn_xTe样品,理论计算的自由载流子吸收系数与实验值不一致,表明存在附加的散射机制,对高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe的研究证实了这一假设。还讨论了非弹性电子-声子散射机制的起因,估算了特性参数。 相似文献
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研究了载流子寿命对SOI有源光波导器件工作性能的限制及影响,分析了制约载流子寿命减小的若干因素,综述了采用合理设计减小波导截面尺寸参数、脊区内植入He离子、加入pin结构施加反向偏压等几种有效减少载流子寿命的方法,并给出了它们各自的理论基础和文献报道的理论模拟与实验结果。经过对各种方法的利弊进行分析比较,作者认为在提高光电子器件性能的研究中,采用减小波导截面尺寸参数的方法要同时兼顾传输损耗的变化;采用离子植入法可以在不改变波导尺寸的情况下减小载流子的寿命,但引入了附加损耗且与CMOS工艺不相兼容;而外加pin结构的方法不适用于已经存在电学结构的器件。 相似文献
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人们在分析半导体光混沌系统的工作特性时 ,通常假定激光器中的载流子寿命为一常数 (本文称为常数载流子寿命近似 (CCLA) )。本文从激光器中载流子的实际复合机制出发 ,得到了处于混沌态时激光器载流子寿命随时间的变化曲线 ;数值研究了半导体激光器光混沌系统的工作特性 ,并把所得的结果与采用常数载流子寿命近似 (CCLA)所得的结果进行了比较 ,发现采用CCLA不仅会导致对混沌区的错误判定 ,并且还会影响对系统同步误差的分析。 相似文献
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用共振喇曼散射研究半导体的能带结构,实验观察了Ga_(1-x)Al_xAs直接带隙单声子和GaP在间接带隙(г_(3v)—X_(3c))附近的双声子共振特性。阐述了由喇曼光谱测量确定Ⅲ—V族半导体的载流子浓度。 相似文献