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高功率阵列半导体激光器的光纤耦合输出 总被引:11,自引:0,他引:11
采用柱透镜对10单元阵列半导体激光器的输出光束进行了有效收集和预准直及多模光纤之间的耦合实验。激光器采用808nm波长、150μm条宽的发射单元,周期为1000μm,与200μm芯径平端光纤阵列的耦合效率高达75%,光纤输出功率7.5W,分析了影响耦合效率的主要因素。 相似文献
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高功率光纤激光器抽运耦合技术的现状和发展 总被引:1,自引:1,他引:0
抽运耦合技术是实现高功率光纤激光输出的关键技术之一。对国内外双包层光纤激光器所采用的各种端面抽运耦合技术和侧面抽运耦合技术进行了详细的介绍,并比较了各自的优缺点。分析表明,熔融拉锥光纤束端面抽运和GTWave侧面抽运方式更有利于实现高功率光纤激光输出。 相似文献
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介绍了利用多模光纤同空间列阵半导体激光器实现有效耦合,再将光纤组合后输出的技术.阐述了半导体激光器与光纤耦合的一般理论.对半导体激光器的发散角、多模光纤和半导体激光器耦合的常规技术进行了分析.介绍了多模光纤和半导体激光器耦合的新技术,即在半导体激光器与光纤之间加光纤微透镜的耦合技术.这种技术可有效地提高耦合效率,使之达到80%以上.将空间列阵半导体激光器通过光纤耦合后组合输出是使半导体激光器得以实际应用的有效途径.(PC5) 相似文献
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高功率光纤激光器发展概况 总被引:1,自引:0,他引:1
高功率光纤激光器以其优越的性能和超值的价格,在光通信、印刷、打标、材料加工、医疗等领域有着广阔的应用,将会很大程度上替代传统激光器,并开辟一些新的激光应用领域,扩大激光产业的规模.概述国内外高功率光纤激光器的发展历史与现状.展望了高功率光纤激光器的发展前景. 相似文献
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高功率飞秒脉冲光纤激光系统 总被引:1,自引:0,他引:1
基础科学研究和超精细工业加工领域的发展迫切需要高重复频率、高功率的飞秒脉冲激光。采用啁啾脉冲放大技术,以掺镱双包层光子晶体光纤作为增益介质,搭建了高平均功率飞秒脉冲光纤激光系统。系统包括被动锁模振荡器、脉冲展宽器、单模光纤预放大器、光子晶体光纤功率放大器和脉冲压缩器5部分。实验上获得了重复频率40 MHz、平均功率150 W、脉冲宽度273 fs的超短脉冲输出。整个系统置于3 m×1.5 m的光学平台上,通过模块化和集成化的改进,该系统体积有望大幅度减小,为科学研究和工业应用提供有力工具。 相似文献
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用自制耦合器搭建了全光纤激光振荡器,通过不同的泵浦方式对全光纤激光器进行了实验研究。实验装置中加入包层光剥离器,纤芯/包层分别为20/400 μm的有源光纤作为增益光纤。实验中未加特定的冷却装置,选用2个110 W激光二极管分别进行前向和后向泵浦,在总泵浦功率223.6 W时,前向泵浦方式中获得激光功率输出152.2 W,光-光转换效率69%;后向泵浦方式中,激光功率输出156.5 W,光-光转换效率70%。最后,进行了双向泵浦实验,泵浦光功率443.8 W时,1080 nm近单模激光功率输出311 W,光-光转换效率70%。进一步增加泵浦功率,会获得更高功率的1080nm激光输出。 相似文献
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高功率激光器无源器件制作过程中封装不当引入的应力,会导致信号光光束质量劣化和光纤温升,为了解决此问题,理论分析了光纤形变对信号光模式分布的影响,利用有限元方法建立包层光导致光纤发热模型,实验研究了不同封装方式对光纤发热情况和信号光光束质量的影响。实验表明,应力导致的光纤形变会造成信号光M2值在受力方向上略微变小而其垂直方向上变大,在输出100 W信号光时,施加应力导致的M2值的变化最高为0.39,与仿真结果相符。在光纤温升方面,相比于使用硬质胶水带来的12 ℃温升,使用硅橡胶封装的剥离器将温升控制在5 ℃以内,且其封装应力引入的M2值的变化在0.05以内。 相似文献
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Based on the high-speed development of the fiber laser in recent years, the development of researching 915 nm semiconductor laser as main pumping sources of the fiber laser is at a high speed. Because the beam quality of the laser diode is very poor, the 915 nm laser diode is generally based on optical fiber coupling module to output the laser. Using the beam-shaping and fiber-coupling technology to improve the quality of output beam light, we present a kind of high-power and high-brightness semiconductor laser module, which can output 13.22 W through the optical fiber. Based on 915 nm GaAs semiconductor laser diode which has output power of 13.91 W, we describe a thoroughly detailed procedure for reshaping the beam output from the semiconductor laser diode and coupling the beam into the optical fiber of which the core diameter is 105 μm and the numerical aperture is 0.18. We get 13.22 W from the output fiber of the module at 14.5 A, the coupling efficiency of the whole module is 95.03% and the brightness is 1.5 MW/cm2-str. The output power of the single chip semiconductor laser module achieves the advanced level in the domestic use. 相似文献