离子束辅助薄膜沉积

离子束辅助沉积(IBAD)是在气相沉积的同时辅以离子束轰击的薄膜制备方法，可在低温下合成致密、均匀的薄膜。介绍了IBAD技术的概况，列举了具体应用领域，描述了射频ICP离子源辅助电子束蒸发，最后对IBAD的前景加以评论。     

离子束增强沉积形成梯度薄膜

在金属衬底（Ａｌ，钢，铝－碳纤维），Ｎｉ３Ａｌ）上用离子束增强沉积形成氮硅化物的梯度薄膜。在薄膜的一侧有很高的电阻（１０＾７Ω），而在另一侧电阻很低（１Ω），在绝缘层和导电层之间电阻呈梯度变化，对梯度薄膜组分，硬度，附着力，疲劳寿命，抗腐蚀能力和抗高经性能进行了测试和分析。     

离子束增强沉积TiN薄膜的研究

利用多功能离子束增强沉积设备，采用三种不同工艺方法制备ＴｉＮ薄膜，并对制备的ＴｉＮ薄膜进行了ＡＥＳ，ＸＰＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ和ＴＥＭ等分析。结果表明：所制备的薄膜都有很好均匀性，ＴｉＮ薄膜处在压应力状态；在溅射沉积的同时，在０－２０ｋｅＶ范围内，Ｎ＾＋和Ａｒ＾＋离子的轰击使得ＴｉＮ薄膜的生长呈现不同择优取向；随着Ｎ＾＋离子轰击能量的增加，制备的ＴｉＮ薄膜的晶粒增大。     

离子束增强沉积TiN薄膜的研究

利用多功能离子束增强沉积设备，采用三种不同工艺方法制备TiN薄膜，并对制备的TiN薄膜进行了AES，XPS，XRD，RBS和TEM等分析。结果表明：所制备的薄膜都有很好均匀性，TiN薄膜处在压应力状态；在溅射沉积的同时，在0～20keV范围内，N 和Ar 离子的轰击使得TiN薄膜的生长呈现不同择优取向；随着N 离子轰击能量的增加，制备的TiN薄膜的晶粒增大。     

离子束增强沉积立方氮化硼薄膜的研究进展

介绍了用离子束增强沉只法制备立方氮化硼薄膜的主要研究单位及其研究内容和获得的结果。     

离子束辅助沉积制备多晶Al2O3薄膜

利用电子枪蒸镀Ａｌ２Ｏ３，同时辅以Ａｒ离子轰击的离子束辅助沉积方法（ＩＢＡＤ）制备Ａｌ２Ｏ３薄膜，并与单纯电子枪蒸镀方法（ＰＶＤ）制备的薄膜进行了结构和表面形貌的比较，ＩＢＡＤ法可以得到结构均匀致密的γ－Ａｌ２Ｏ３晶态薄膜，而ＰＶＤ９方法仅能得到非晶态疏松的结构，分析结果表明，薄膜沉积过程中，提高离子轰击能量和增加基片加热温度在一定程度上具有相同的效果。     

离子束辅助沉积制备多晶Al_2O_3薄膜

利用电子枪蒸镀 Al_2O_3,同时辅以 Ar 离子轰击的离子束辅助沉积方法(IBAD)制备 Al_2O_3薄膜,并与单纯电子枪蒸镀方法(PVD)制备的薄膜进行了结构和表面形貌的比较。IBAD 法可以得到结构均匀致密的γ-Al_2O_3晶态薄膜,而 PVD 方法仅能得到非晶态疏松的结构。分析结果表明,薄膜沉积过程中,提高离子轰击能量和增加基片加热温度在一定程度上具有相同的效果。     

离子束辅助沉积技术及其进展

本文介绍了离子束辅助沉积技术的基本原理，主要工作特点，设备及主要影响因素，综 利用该技术在制备各种新膜层方面研究的新进展，并指出该技术的不足及未来发展方向。     

离子束混合制备非晶Sm-Fe-Zr合金薄膜

采用离子束混合技术制备非晶Sm—Fe－Zr合金薄膜，在Sin的含量为x＝400，300，200m／g的Sm—Fe多层薄膜中，注入能量为60KeV，剂量为1×1017ion／cm2的Zr＋，研究非晶形成条件及合金薄膜的磁性能．实验发现：三种成分配比的样品在Zr＋注入后磁性能皆发生明显的变化．X＝400mg／g样品没有形成非晶，其主相为SmFe5；x＝300，200mg／g样品形成非晶，且x＝200mg／g样品晶化后形成一个面心结构未知相和α—Fe相     

离子束辅助沉积TiN薄膜的结构和成分

用离子束辅助沉积合成了TiN薄膜,背散射、X射线衍射和透射电镜实验的结果表明,在本实验条件下,薄膜Ti/N比接近于TiN的化学计量比,和氮离子束流密度无关。薄膜存在<100>择优取向,在一定条件下,可以形成只有(100)取向的TiN薄膜。     

离子束辅助激光制备织构薄膜的计算机模拟术

在离子束辅助激光制备取向薄膜的物理机制基础上,利用计算机织构薄膜生长的物理过程,结果表明,织构薄膜的质量直接与不同取向晶粒被辅助粒子束射射掉的几率相关,这在实验中表现为与辅助离子束入射方向,离了束能量,薄膜材料种类等因素有关。     

氢离子束对Mo-Si多层膜界面改性的研究

为了研究氢离子束轰击Mo-Si多层膜界面的情况，采用氢离子束（能量150eV）轰击Si表面，即Si与Mo之界面。再用Kr离子束溅射刻蚀，并用俄歇电子能谱（AES）分析。实验结果说明氢离子束对Si表面轰击能有效防止界面混杂效应（intermixingeffect）。进而说明这是制备软X射线多层膜反射镜过程中解决界面混杂问题的有效途径。     

电子束法沉积ITO膜的XPS研究

采用电子束蒸发法制备了均匀、致密、透明导电的ITO膜。讨论了其光电性能,并用XPS技术研究了ITO膜的表面组成、结构和状态。     

Ti-O/Ti-N复合薄膜的离子束合成及人工心脏瓣膜材料表面改性研究

采用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）等方法在热解碳、钛及钴合金等人工心脏瓣膜材料表面制备Ｔｉ－Ｏ、Ｔｉ－Ｎ及其复合薄膜。对薄膜的成分、结构进行了研究，测定了材料的电阻率，对薄膜材料的血液相容性和力学性能进行了系统的研究。结果表明：合成薄膜具有优于热解碳的血液相容性和力学性能，提出了材料的血液相容性机理模型。     

离子束增强沉积技术新进展

介绍离子束增强沉积镀膜技术的国内外主要机型及工艺进展，特别是我们实验室离子束增强镀膜新工艺的进展。     

Ti-Ta-O复合薄膜的制备及抗腐蚀性

采用离子束增强沉积法在NiTi基体上合成了具有不同组分比的Ti-Ta-O薄膜。研究了组分比对薄膜的相结构、力学性能和抗模拟体液腐蚀性的影响。SEM,AFM和XRD分析表明,所有薄膜均由纳米粒子堆积而成,膜层连续光滑,纯Ti-O膜为金红石结构,而Ti-Ta-O膜为非晶态,划痕实验、显微硬度分析和电化学测试研究表明,加入Ta后,膜与基体间的结合强度、韧性和抗腐蚀性增强,显微硬度下降。Ta含量为36%(原子分数）的膜使NiTi的抗蚀性显著提高。     

氧化钛薄膜的血液相容性研究

本文研究了离子束增强沉积技术制备的氧化钛薄膜的血液相容性与薄膜的结构，成分，表面能，以及蛋白质在薄膜表面的吸附之间的关系。实验表明，血液相容性是表面能和功函数共同作用的结果。表面能决定蛋白质的吸附量，功函数决定蛋白质的变性。