TPS79918 RF LDO可支持向StrataFlash嵌入式存储器(P30)的升级

介绍德州仪器(TI)TPS79918低压降线性稳压器(LDO)可为英特尔(Intel)斯型StrataFlash P30嵌入式存储器提供核心动力所需的性能。Intel正在将其采用0.18微米工艺的第三代StrataFlash嵌入式存储器(J3)升级至采用0.13微米的第四代StrataFlash嵌入式存储器(P30)。此新型嵌入式存储器已将所需Vcc电压降至1.8V·因此存储器从J3升级至P30可使得系统的总体工作电流消耗较低。Intel在其应用手册AP812(文档编号306667Rev2)中建设使用LDO提供新的1.8V电压轨。TPS79918特性TPS79918LDO能哆以超小型封装提供出色的电气特性,包括超过66dB…     

TPS79918 RF LDO可支持向StrataFlash嵌入式存储器（P30）的升级

德州仪器（TI）TPS79918低压降线性稳压器（LDO）可为英特尔（Intel）新型StrataFlash P30嵌入式存储器提供核心动力所需的性能。Intel正在将其采用0.18微米工艺的第三代StrataFIash嵌入式存储器（J3）升级至采用0.13微米的第四代StrataFlash嵌入式存储器（P30）。     

新品

飞利浦扩展32位ARM微控制器系列并推出全新8位微控制器皇家飞利浦电子高性能、低成本32位ARM微控制器(MCU)系列又增添两个新成员。LPC21xx系列采用0.18微米CMOS嵌入式闪存工艺,可实现超低1.8V电压工作,运行频率为60MHz(54 Dhrystone MIPs),提供业界最高性能的嵌入式128位宽零等待闪速存储器。     

中芯国际推出LDO线性稳压器智能模块

中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC）日前宣布推出低压降（LDO）线性稳压器智能模块系列，适用于0．13微米至0．35微米逻辑／混合信号和0．18微米以及0．35微米电可檫除只读存储器CMOS工艺技术。此系列的建立更丰富了中芯国际的电源管理系列智能模块。中芯国际的低压降（LDO）线性稳压器智能模块系列已经过硅验证并可以提供给客户使用，有些已经正式进入量产。此智能模块可嵌入于多种应用设备中，如手机、数码相机、MP3、     

采用自适应频率补偿的全片上集成、面积优化的低压差线性稳压器

本文提出了一种全片上集成、面积优化的低压差线性稳压器（LDO）新结构。利用提出的自适应频率补偿（AFC）技术,该LDO在保持零到最大负载电流情况下稳定的同时,实现了全片上集成。与此同时,因为采用了一个小型的传输管（在AFC技术中该小型传输管起到使输出级增益快速下降的作用）,LDO的面积得到了很大的优化。该LDO在CMOS 0.35μm工艺下流片,仅占用了220×320μm 的芯片面积。这与采用相同特征尺寸工艺的先进设计相比面积缩减至58%。测量结果表明,该LDO在消耗54μA 静态电流的情况下能提供0-60mA 的负载电流。同时,在输入电压为2至3.3V时,稳压输出为1.8V。     

适合电池供电便携式产品的LDO

Sipex推出两款精密低压差线性稳压器LDO：SP6222和SP6223。两款器件的电流分别为50mA和150mA，适合各类电池供电的便携及手持产品，如手机、PDA、智能电话和蓝牙耳机。两款产品的输入电压仅为1．6V，压降为200mV．输出电压范围在1．4V至0．9V之间，适合提供MCU和高速存储器电路中的各种电压。SP6222和SP6223提供各种手持电池供电产品所需的关键性能：     

Enpirion最新转换器突破了传统DDR电源解决方案

Enpirion公司近日发布了其DDR存储器终端电源的电源集成电路（IC）产品组合的新成员。Enpirion EV1320是2A（sink／source）DDR终端转换器,最高效率达到96％——比传统LDO（低压差）稳压器解决方案省电1．4瓦,同时拥有低成本、小尺寸的优点。EV1320VTT转换器接受0．95至1．8V的输入电压。     

电源

低静态电流LDO ADP124和ADP125在100kHz时均具有60dB的PSRR电源抑制比,并且在1.8V输出时可实现35μVrms的低噪声性能。新款LDO的输入电压范围为2.3～5.5V,输出电流最高可达500mA,输出电压最低为0.8V,静态电流低至210μA,500mA负载时的电压差为130mV,这些特性能够进一步提高便携式设备在宽输入电压范围内的工作效率。ADP124提供1.75～3.3V范围内的31种固定输出电压选项。ADP125利用低静态电流LDO     

一种瞬态增强无片外电容LDO电路

基于CSMC 0.18 μm工艺,设计了一款瞬态增强的无片外电容LDO。设计误差放大器时,采用改进的第2级放大器提高功率管栅端的充放电速度,从而提高瞬态响应。采用嵌套密勒补偿方式来保证LDO的稳定性。仿真结果表明,输入电压为2~4.5 V时,LDO的输出电压为1.8 V,负载电流在1~300 mA之间具有良好的稳定性,响应时间为1.4 μs,最大过冲电压为84 mV。     

MCP179x：高压线性稳压器

Microchip推出高压线性稳压器MCP1790及MCP1791（MCP179x）。新器件可连续输出70mA电流,并能在30V的连续输入电压下工作,是符合汽车及工业应用所需的理想LDO。     

一种高稳定性高精度低压差线性稳压器的分析与设计

提出了LDO,其基于缓慢滚降式频率补偿方法,通过在电路中引入三个极零对（极零对的产生没有增加静态功耗）,不仅克服了常规LDO不能使用低等效串联电阻、低成本陶瓷输出电容的缺点,而且确保了系统在整个负载和输入电压变化范围内稳定工作。由于LDO通常给高性能模拟电路供电,因此其输出电压精度至关重要； 而该补偿方法能满足高环路增益、高单位增益带宽的设计要求,从而大幅提高LDO的精度，该LDO基于0.5μm CMOS工艺实现，后仿结果表明,即使在低压满负载条件下,其开环DC增益仍高于70dB,满载时单位增益带宽可达3MHz,线性调整率和负载调整率分别为27μV/V和3.78μV/mA,过冲和欠冲电压均小于30mV,负载电流为150mA时的漏失电压（dropout电压）仅为120mV。     

华虹NEC成功开发具超高可靠性的嵌入式非挥发性存储器模块

上海华虹NEC电子有限公叫近LI宣布,基于公司成熟的0．13微米SONOS嵌入式仔储器T艺平台,已成功地开发Ⅲ了具有趟高可靠性（UHR—ultraHighReliability）的嵌入式非挥发性存储器模块（EEPROM／FlashlP）,使0．13微米SONOSEEPROM／FlashIP的数据保存时问从常规的10年提升到了超过30年,而擦写次数则从100K大幅提高到超过500K。这次在0．13微米嵌入式存储器工艺上的技术提升将进一步扩大华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器代工市场上的竞争优势,巩固公司在智能卡和安全类芯片领域的地位。（来自华虹NEC）     

一种低功耗无片外电容LDO的设计

基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一款输入电压为1.8 V、输出电压为1.6 V的低功耗无片外电容低压差线性稳压器(LDO),其静态电流仅为5 μA。该电路采用一种新型摆率增强电路,通过检测输出电压的变化实现对功率管的瞬态调节。片内采用密勒补偿使主次极点分离,整个系统在负载范围内具有良好的稳定性。仿真结果显示,该LDO在负载电流以99 mA/1 μs跳变时,输出电压下冲为59 mV,上冲为60 mV,响应时间约为1.7 μs。     

LDO是什么？

LDO是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或FET,从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输m电压。所谓压降电压,是指稳压器将输出电压维持在其额定值卜下100mV之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为PNP。这种晶体管允许饱和,所以稳压器可以有一个非常低的压降电压,通常为200mV左右;与之相比,使用NPN复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为2V左右。负输出LDO使用NPN作为它的传递设备,其运行模式与正输出LDO的PNP设备类似。     

高稳定性无片外电容低压差线性稳压器的设计

设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(LDO),与传统的LDO相比,此LDO消除了传统结构中所需的片外电容,可更好地应用于全集成低功耗的片上系统(SoC)中。针对无片外电容LDO没有外部等效零点补偿这一特点,采用一种折叠输入推挽输出误差放大器结构,结合密勒补偿以及一阶RC串联零点补偿两种方案,有效地改善了无片外电容LDO的稳定性。电路采用SMIC0.18μm CMOS工艺实现,面积为0.11 mm2,最大负载电容100 pF,输入电压为1.8 V时,输出电压为1.5 V,静态电流31.8μA,压差为160 mV。     

如何提高Celeron/PentiumII的核心电压

Celeron物美价廉，但有的时候却无法超到某个希望的频率，例如Ceferon30OA超到450，或Ceferon333A超到SOO后可以开机，但不是十分稳定，笔者在尝试多次无效之后，只得使出增加电压这最后一招。1l·Celeron／P11增压原理P11主板并不像586主板需要通过跳线来设定电压，其所需电压，主板会自动提供：Celeron／Pentium11有5个脚位VID0／l／2／3／4，负责电压的定义，主板根据其脚位状态（下表中以0或1来表示，0～接地，1一悬空）对应提供从l．SV－3SV。表且V0hag叫讪0hmonDfll讪0J“J不同的VID值，组合成不同的电压，如表1所示。而V…     

联华电子顺利验证12VeFlash解决方案

联华电子日前宣布，已顺利验证晶圆代工领域第一个结合12V解决方案的高压嵌入式闪存（eFlash）工艺。此工艺可将中大尺寸触控IC所需的驱动高压，以及存放算法所需的eFlash，结合于同一颗高整合度的单芯片中，并且有效地改善信噪比（SNR）。与业界所提供的其它高压选项（例如18V、24V或32V）相比，此12V解决方案在信噪比与耗电之间，提供了绝佳的平衡。联华电子12VeFlash技术目前已于0．11微米与0．18微米工艺上提供给客户使用。     

双通道输出200mA电源

TPS65137采用低压降（LDO）后置稳压器,可为实现稳定的画质提供具有最小输出电压纹波的线路与负载瞬态响应。其具有2．3～5．5V宽泛输入电压以及较少的外部组件,并采用3mm×3mmQFN／b型解决方案封装。主要特性：2．3～5．5V之间的宽泛输入电压使器件能够接受比正输出电压更高的正输入电压,同时还可保持正输出电压1％的稳压精度误差;     

一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计

利用RC高通电路的思想,针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度,而且瞬态增强电路工作的过程中,系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18μmCMOS混合信号工艺。仿真结果表明:整个LDO是静态电流为3.2μA;相位裕度保持在90.19°以上;在电源电压为1.8 V,输出电压为1.3 V的情况下,当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时,其建立时间由原来的和28μs减少到8μs;而在负载电流为100 mA的条件下,电源电压在10 ns内,由1.8 V跳变到2.3 V时,输出电压的建立时间由47μs降低为15μs。     

嵌入式MaskROM的设计研究

为满足数字多媒体技术的应用需要,设计了一种1 M×16 bit的嵌入式掩膜只读存储器,研究了各功能模块的原理、性能优化方案以及大容量、高速、低功耗的高性能嵌入式Mask-ROM设计方法.该型Mask-ROM采用0.18 μm CMOS工艺,电源电压1.8 V,访问时间约为30 ns(33 MHz),单位功耗为1.09 mW/MHz.