环氧树脂增韧研究及其应用进展

本文综述了环氧树脂增韧的方法、增韧机理、增韧后的性能和在印制电路板及基板中的应用。     

环氧树脂模塑料表面粗化的制程研究

目前IC封装使用的材料主流是环氧树脂模塑料,封装后的引脚面均需进行金属化作业,如果金属化工艺采用化学镀铜工艺,一般环氧树脂模塑料表面需进行粗化处理。文章介绍了目前环氧树脂模塑料表面粗化的常用手段,评估其特点,然后介绍我公司一种常温环氧树脂塑膜粗化剂的粗化应用工艺,以供相关技术领域的参考。     

环氧树脂灌封料的研究和发展

本文主要介绍了目前电子封装材料的新方向--环氧树脂灌封料(又名液体环氧树脂封装料)的发展,从环氧树脂灌封料的未来发展趋势、主要组分及作用、制造工艺等方面对环氧树脂灌封料进行全面的综述.     

高功率半导体激光器的高性能化技术

1　前言近十年半导体激光器的绝对功率显著提高 ,单条实用功率达数瓦 ,叠层型激光器已获得数百瓦连续振荡功率。因此半导体激光器不仅在光通信和信息处理应用领域发挥作用 ,而且作为高效率光能源也正发挥重要作用。使用红外固体激光器和固体激光器的可视分离约束异质结构 (SCH)激光器 ,正从灯抽运迅速转向高功率半导体激光器抽运。即使是掺 Yb或 Er光纤放大器和光纤激光器也必须用半导体激光器抽运。尤其是双包层光纤激光器 ,由于高效率耦合高功率半导体激光器的结构 ,获得了 1 0 0 W以上的基横模输出。又由于聚焦数百瓦至数千瓦以上半导…     

半导体用环氧树脂封装胶粉概况介绍

半导体封装业占据了国内集成电路产业的主体地位，如何选择电子封装材料的问题显得更加重要。根据资料显示，90％以上的晶体管及70％～80％的集成电路已使用塑料封装材料，而环氧树脂封装塑粉是最常见的塑料封装材料。本文将对环氧树脂封装塑粉的成分、特性、使用材料加以介绍，希望对     

新型环氧树脂E-51的性能研究

采用具有负热膨胀特性的ZrW2O8粉体和SiO2粉体分别作为填料制备E-51环氧树脂电子封装材料。测试了不同种类和含量的填料对封装材料的介电常数、介质损耗、阻温特性和电击穿场强等电性能的影响。实验结果表明:随ZrW2O8含量的增加,ZrW2O8/E-51材料的介电常数ε不断增大,介质损耗正切值不断减小。在室温约163℃范围内,ZrW2O8/E-51材料的电阻率稳定在3.03×106Ω·m,电击穿场强均大于10kV·m-1,满足于微电子器件封装材料的实际应用。     

超支化聚苯基硅树脂改性封装用环氧树脂研究

文中通过合成超支化的聚苯基硅树脂体系,对环氧树脂进行改性,以提升其介电、耐湿、耐热和力学性能。研究表明,超支化聚苯基硅树脂体系（HBPSi）的加入量在0~10wt%时,改性后的树脂体系介电、耐湿、耐热和力学性能随着HBPSi增加而提升;而在大于10wt%时,其性能的提升减缓。产生这种结果主要归因于一方面HBPSi与EP中的羟基反应,消耗了环氧树脂体系的羟基,另一方面是引入了大量的柔性硅氧链节。     

实现环氧覆铜板高性能化的途径

本文从介绍以环氧树脂的改性研究入手探讨用于生产高性能环氧覆铜板的途径。     

电子封装用环氧树脂的研究现状与发展趋势

简要介绍了电子封装用环氧树脂材料的特性和组成,论述了其增韧、导热、耐热、阻燃和降低内应力等方面的研究状况,对新型电子封装用液晶环氧树脂、脂环式环氧树脂、纳米改性环境树脂、绿色封装材料及面向系统封装的高分子材料改性技术进行了探讨。     

对涂覆环氧树脂电子元器件返修方法的研究

本文制定的涂覆环氧树脂电子元器件的返修方法,解决了电子元器件返修过程中“玻璃纤维损伤”和“焊盘脱落”的难题,降低了电子元器件返修的缺陷率,使操作人员能够顺利进行涂覆环氧树脂电子元器件的返修,大大提高了返修过程中的可靠性以及质量一致性,并且缩短了返修周期,有效地降低了产品资金占用率,提高了生产效益。     

环氧树脂／碳纤维复合封装材料的研究

高电子及封装技术的快速发展对封装材料的性能提出了更加严格的要求，具有高导热及良好综合性能的新型封装材料的研究和开发显得更加重要。本文综述了一种新型的封装复合材料环氧树脂，碳纤维复合材料。对复合材料的热传导性能．电传导性能以及热机械性能进行了分别讨论。     

环氧树脂灌封材料的增韧研究

抗冲击精密电子元器件用灌封材料往往需要具有好的韧性.在综合考虑灌封材料力学性能与灌封工艺性的基础上,采用自制带液晶基团聚酯型环氧树脂对环氧树脂E-51进行了增韧改性研究.结果表明,优化配方的增韧型环氧树脂灌封材料在保持自身较高压缩强度的同时,抗冲击强度提高了4.1倍,且具有良好的灌封工艺性,其在25℃条件下的适用期(凝...     

零部件材质物性对ECM特性影响的讨论

3 对振膜式ECM中背极材料的讨论 振膜式ECM中振膜兼有2种功能：（1）有振膜的功能;（2）有驻极体的功能,它能提供电场,使ECM不需外加偏压。一般用FEP薄膜经过绷紧后再极化充电完成。而作为下电极的背极则是由铜一锌合金的黄铜作为主要材料被应用的。为了研究背极材料对ECM特性的影响．笔者先讨论如图10所示的Cu—Zn合金相图。     

显示器的高性能化与低耗电化等离子TV的高画质、低耗电技术

1．前言随着技术的进步、席卷我们的社会环境变化、人们要求的多样化,电视也在迅猛发展。如图1所示,本公司此前就以“电视需求之波”的形式做过分析。从1953年黑白电视的“第一波”开始,持续引发出彩色电视的“第二波”、彩管大型化形成的“第三波”,以及随后的薄型化、数字化的“第四波”,这一波是现在仍在持续的一大波浪1）。在第四波之后,将会迎来呼之欲出的“从观看的电视,进化成链接的电视”的“第五波”。     

有机硅环氧树脂杂化材料抗紫外老化性能研究

以钛酸四丁酯、四正丁氧基锆、γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷(GPTMS)为原料,采用溶胶-凝胶法制备一系列不同钛锆比的有机硅环氧树脂杂化膜材料,无机质量含量为10%,并对其进行了人工紫外老化实验。研究了材料组成对杂化膜的耐紫外线性能的影响。采用紫外-可见分光光度计、傅里叶红外光谱、扫描电镜等探讨了不同杂化膜老化后的性能。结果表明,不同钛锆比的杂化膜老化7d后,在可见光区的透过率变化不明显,下降仅为2%~4%。TiO2、Ti10Zr1、Ti3Zr1杂化膜老化7d或14d后,膜层出现开裂或粉化现象;ZrO2、Ti1Zr1老化28d后不开裂。杂化膜老化后的黄变因数都低于10%。     

PDP用MgO保护膜的高性能化

近期PDP发展的重要趋势是随着生产数量的显著增加，其目标直指研究新的生产方法，低价格化和高效率化(51m／W)。此篇文章，就下一代。PDP所用MgO膜存在的问题及其解决办法加以探讨。     

HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究

本文通过变温的Ｈａｌ测量系统地研究了ＧａＡｓ基ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ以及ＩｎＰ基ＨＥＭＴ三种结构材料的电子迁移率μｎ和二维电子浓度ｎｓ．仔细地分析了不同ＨＥＭＴ结构材料的散射机制对电子迁移率的影响以及不同ＨＥＭＴ材料结构对电子浓度的影响．研究结果表明ＩｎＰ基ＨＥＭＴ的ｎｓ×μｎ值比ＧａＡｓ基ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ的ｎｓ×μｎ值都大,说明可以用ｎｓ×μｎ值来判断ＨＥＭＴ结构材料的性能好坏．     

利用电子能量损失谱对二氧化铀电子结构的研究

锕系元素因具有复杂的5f电子结构,其显示出神秘而又独特的物理、化学特性.为了加深对锕系金属、合金和化合物的特异行为的理解,对其电子结构精确表征的重要性日益凸显.电子显微技术与电子能量损失谱技术的结合在锕系元素原子结构和电子结构研究中发挥了至关重要的作用.本文采用电子能量损失谱研究二氧化铀的5f电子结构,并讨论了铀5f电子的相互作用特性.     

独石结构PTC陶瓷材料与器件的研究

独石结构ＰＴＣ陶瓷材料与器件的研究在国内外还很少报道。文章研究了ＢａＴｉＯ３基陶瓷、聚合物／Ｖ２Ｏ３，和聚合物／Ｃ复合材料等三种材料的多层独石结构及其阻温特性和静态伏安特性。研究表明，ＰＴＣ材料独石结构能明显地降低室温电阻和使用电压，作为低压电器的控制器件有重要的应用前景。