A位取代对钨镁酸铅微波性能的影响

研究了La3 改性钨镁酸铅陶瓷材料的烧结性能、微观结构以及微波介电性能。结果发现:加入La3 的摩尔分数大于50％时,在A位 形成有序的空位,并形成单相的钨镁酸铅镧钙钛矿相。La3 的加入,降低了介电常数,提高了微波性能,同时温度系数显著降低。当 x(La3 )=56％时,得到较好微波性能:εr=28.7,Q·f=18 098GHz,τcf=-5.8×10-6/℃。     

MnCO_3掺杂对BMN陶瓷结构及介电性能的影响EI北大核心CSCD

采用固相烧结法,探讨了MnCO_3掺杂降低Ba(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3(BMN)烧结温度的机理,研究了MnCO_3掺杂量对BMN陶瓷微波介电性能的影响。结果表明,适量的MnCO_3掺杂可以促进烧结,有效降低BMN陶瓷的烧结温度,改善陶瓷的微波介电性能。当MnCO_3掺杂量为4%(质量分数)时,BMN陶瓷的烧结温度从纯相烧结时的1 550℃降低到1 250℃,表观密度ρ=6.36 g/cm^3,相对理论密度达到98.6%,并具有良好的微波介电特性:高相对介电常数ε_r=31.4,高品质因数与谐振频率的乘积Q·f=99 200 GHz(8 GHz),接近于零的谐振频率温度系数τ_f=3×10^(–7)/℃。     

Mg~(2+)掺杂对PZT陶瓷材料介电性能的影响

系统地研究了Mg2+掺杂对PZT材料相结构及介电性能的影响,结果表明:Mg2+的添加阻止了陶瓷晶粒的过分长大,起到了细化晶粒的作用,改善其烧结性能,降低了烧结温度;由于晶格发生畸变,体系的相结构由三方相向四方相过渡;Mg2+的引入使PZT陶瓷材料的红外光谱图明显向高波数的方向移动,并且显著提高了材料的介电常数,有效降低了其介电损耗,使材料的介电性能得到了明显优化。     

SrCO3掺杂对BMT陶瓷结构及介电性能的影响

采用固相烧结法制备SrCO3掺杂Ba（Mg1/3Ta2/3）O3（BMT）微波介质陶瓷,研究SrCO3质量（下同）掺量w（SrCO3）=2%～8%对BMT微波介质陶瓷结构和介电性能的影响。结果表明：添加适量SrCO3可以促进烧结并在一定程度上提高BMT陶瓷体系的B位离子1：2有序度;当w（SrCO3）=6%时,陶瓷致密...     

PMN—PT系陶瓷准同型相界附近结构与介电性能研究

用二次合成了法制备了（１－ｘ）ＰＭＮ－ｘＰＴ（ｘ＝０．３０，０．３３，０．３５，０．３８）陶瓷，并对其进行了微结构和介电性能研究，Ｘ射线衍射研究结果表明，除０．７０ＰＭＮ－０．３０ＰＴ为立方晶系外，其余三种均为四方晶系，其准同型相界位于ＰＴ含量为０．３０～０．３３之间，对试样的ｌｇ（１／ε－１／ε）与ｌｇ（Ｔ－Ｔｍ）关系研究表明，确立Ｔｍ以上的ε－Ｔ特性可引入指数ｎ表征，ｎ值的大小在１～２之间变化     

铌铁酸铅PFN的结构无序及介电相变特性

运用高分辨透射电镜显微技术观察到ＰＦＮ中Ｂ位离子呈无序排列，不易形成有序结构，在性能上，ＰＦＮ的介电常数ε和介电损耗ｔｇδ均很大，相变扩散度小；相应时的介电行为，热容和热膨胀的变化比较特殊。     

微波介质陶瓷的界面特性及其对介电性能的影响

详细地总结了界面的偏析、扩散和润湿性对微波介电性能的影响机理。并评述了粉末的初始状态、烧结工艺、添加剂(掺杂)和烧结方法等因素对材料界面特性的影响，进而影响到材料介电性能的研究进展。最后指出了在微波介质陶瓷界面研究领域面临的问题及今后的发展方向。     

钴离子取代对Ca5Mg4–xCox(VO4)6陶瓷微波介电性能的影响

采用固相反应法制备低温烧结Ca₅Mg₄(VO₄)₆微波介质陶瓷,研究了Co掺杂取代Mg对微波介电性能的影响。结果表明:Co取代后样品形成了固溶体,导致烧结温度降低。当相对密度较低时,致密度主导着εr的变化;当相对密度较高时,εr主要受单位体积离子极化率的影响。此外,Co取代使得晶粒尺寸减小,进而促进了Q×f值的提升。由于τf与键能有着密切的联系,而V—O键的键能最大,τf随着V—O键键能的变化而改变。Ca5Mg4(VO₄)₆具有最佳的微波介电性能:εr=9.65,Q×f=54 685 GHz,τf=–55.3×10^–6℃^–1。     

MgTiO_3基微波介质陶瓷的制备及介电性能的研究

以分析纯的Mg O、Ti O2、Sr CO3为原料,采用固相反应法制备(1-x)Mg Ti O3-x Sr Ti O3(MST,x=0.36-0.41)系列微波介质陶瓷材料,研究添加Sr Ti O3后,体系的致密度、晶相组成、显微结构、微波介电性能之间的变化规律。结果表明,随着Sr Ti O3添加量的增加,陶瓷的相对密度、介电常数、都呈增加趋势,Sr Ti O3的加入量为41mol%,此时形成的MST陶瓷具有最优的介电性能,最优的致密度。     

掺杂La2O3对镁橄榄石瓷介电性能的影响

利用传统烧结工艺,制备了不同La2O3含量的镁橄榄石瓷,并研究了La2O3组份对材料晶相构成、晶粒、晶相以及介电常 数和品质因数的影响。结果表明,添加La2O3后,材料的烧结温度明显降低,并生成了新相La2Al24.4O39.6;随La2O3含量的增 加,材料显微结构发生了变化;材料的相对介电常数在0-20％围内近似线性增长,而材料的品质因数Q也有较明显的 变化。     

钨酸盐类陶瓷微波介电性能

研究了钨酸盐AWO4(A=Ca,Sr,Ba,Zn,Mg)系列陶瓷材料的微结构、烧结性能以及微波介电性能.AWO4具有黑钨矿和白钨矿两种结构.无论白钨矿还是黑钨矿,其相对介电常数εr和介电品质因素Q×f值都随着阳离子A2 半径的增大而减小,谐振频率温度系数τf绝对值增大.白钨矿结构的CaWO4具有较好的微波性能εr=10.0,Q×f=50.842 THz,τf=-50× 10-6/℃.     

复合钙钛矿陶瓷的结构与微波介电性能

介绍了复合钙钛矿化合物结构的本质特征，讨论了钙钛矿结构对微波介质陶瓷材料的介电性能（介电常数、介质损耗、频率温度系数）的各种影响因素。     

CaLa4Ti4O15微波介电陶瓷的制备和性能

采用固相法制备了Cata4Ti4O15系微波介质陶瓷.研究了不同预烧温度对CaLa4Ti4O15陶瓷烧结特性和微波介电性能的影响.在1 200℃预烧caLa4Ti4O15粉末.除CaLa4Ti4O15主相外,还存在部分CaTiO3,La2Ti2O7和La2TiO5混合相.在1 300℃和1 400℃预烧后.获得了六方类钙钛矿CaLa4Ti4O15单相.CaLa4Ti4O15粉末预烧后可饶结成高致密陶瓷(相对密度约97%),同时具有高机械品质因数与谐振频率的乘积(Q×f)值和近零谐振频率温度系数(Tf).1 550℃烧结的CaLa4Ti4O15陶瓷具有优异的微波介电性能:相对介电常数εr=45.1,Q×f=46087GHz,tf=-14.1 × 10-6/℃(预烧温度1 200℃);εr=-45.9,Q×f=48871GHz,tf=-14.4 ×10-6/℃(预烧温度1 300℃).     

单相钛酸镁微波介电陶瓷的制备和性能

以碱式碳酸镁和二氧化钛为原料,采用机械力化学法合成了超细MgTiO3粉体,研究了超细MgTiO3粉体的低温制备条件和单相MgTiO3陶瓷的介电性能.结果表明:高能球磨30 h后,原料趋向于无定形态,在700℃煅烧1 h后,可以得到单相MgTiO3粉体.MgTiO3粉体的烧结性能和MgTiO3陶瓷的介电性能的改善丰要是因为超细粉体具有较大的比表面积.在1400℃烧结3 h后,可以得到致密的微波介性能优良的MgTiO3陶瓷,介电常数和品质因数与谐振频率的乘积分别为16.94和4.8 × 10 4 GHz.     

菱形钨酸铅微晶的制备及发光性能

以钨酸钠和醋酸铅为原料,加以表面活性剂十六烷基三甲苯溴化铵,用沉淀法制备钨酸铅产物;将钨酸铅产物在100 ℃烘干后制备了菱形钨酸铅微晶粉体.对制备的样品进行X射线衍射分析和透射电镜观察.结果表明:所制备的钨酸铅微晶结晶良好:菱形钨酸铅微晶形貌整齐,颗粒间无团聚发生,微晶边长在1～1.5 μm之间.在菱形钨酸铅微晶的形成过程中,Ostwald成熟进程起着主导作用.所制备的钨酸铝的光致发光光谱中显示有蓝色、绿色和红色3组主要发光峰.     

氧化铈复合钛酸镧钙介质陶瓷的微波性能

以1%(质量分数)CuO为烧结助剂,采用固相合成法制备了(1-x)Ca0.6La0.27TiO3 xCeO2单纯和复合微波介质陶瓷材料.研究了此体系陶瓷的微观结构和微波介电性能.研究表明:当x从0增加到1时,体系的相对介电常数εr从111.2线性降低到22.5;谐振频率温度系数τf从x=0时的正值 297.8×10-6/℃线性变化为x=1的负值-54.2×10-6/℃;而无载品质因数与谐振频率乘积Qf值则呈非线性增加.当x=0.85,且在1 400 ℃烧结,可获得εr=32.2,Qf=6682GHz,τf= 5×10-6/℃的新型微波介质陶瓷.     

掺MgF2的钨酸铅晶体的发光性能

通过透射光谱、光致发光谱、光产额的测试,研究了提拉法生长的掺MgF2的钨酸铅(PbWO4,PWO)晶体的发光性能.结果表明:与未掺杂晶体相比,掺杂样品的透光率提高,消除了420nm吸收,减弱了350nm吸收,紫外吸收边变陡并且向短波方向移动约10nm;掺杂样品和未掺杂PWO晶体的光致发光谱形状相同,存在350～550nm的宽带谱,峰值为420nm,掺杂样品的蓝光带得到增强.掺杂样品的光产额(200ns)为未掺杂PWO的2.3倍,发光性能得到改善.对透光率的提高和发光机制进行了探讨.     

微波介质陶瓷的研究进展

微波介质陶瓷是现代通信技术中谐振器、滤波器、振荡器等重要元件的基础材料,它的研究越来越受到人们的重视。介绍了低介电常数、中介电常数、高介电常数三类微波介质陶瓷的研究现状,存在的问题及未来的发展趋势。