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直流固态功率控制器控制技术 总被引:2,自引:0,他引:2
直流固态功率控制器是智能开关装置,采用功率MOS管作为直流负载接通或断开直流电源的开关器件,能够实现过载、短路、超温等保护功能。通过DC-SSPC对直流负载进行远程控制,可随时获知负载的工作模式和运行状态,具备健康诊断和实时监控功能。主要研究了直流固态功率控制器工作原理及主要关键技术,并通过原理样机验证了直流固态功率控制器设计的可行性。 相似文献
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本文介绍采用电子电力模块第三代DCB技术制造出的新一代超大功率交流固态电器。这种新型固态继电器将对电机驱动,开关电源和机电一体化控制设备的制造者产生重要的影响,因为它具有更高的集成度、更大的电流传导能力和更高的可靠性等优点。最后,还详细介绍了三相调功在实用装置。 相似文献
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一种新型单管软开关Boost变换器及其EMI研究 总被引:3,自引:0,他引:3
分析了一种用于传统Boost变换器的软开关方案。电路中只使用了一个开关管以及最少的元件,但却获得了开关器件零电流开通和零电压关断的效果。文中通过仿真描述了这一电路的运行特点,同时还分析了其与传统硬开关Boost电路的EMI状况差异以及门控电路对该变换器EMI状况的改善效果。 相似文献
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为提高三相逆变器的转换效率,提出了一种新型三相谐振极软开关逆变器拓扑结构,通过在每相桥臂上增加结构简单的辅助电路,实现了主开关的零电压软开通和零电流软关断.逆变器主开关采用金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)或者绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)时,都能实现无损耗切换,解决了MOSFET内部结电容造成的容性开通损耗问题和IGBT拖尾电流造成的关断损耗问题.分析了电路的工作过程,实验结果表明开关器件完成了软切换.因此,该拓扑结构对于提高逆变器的性能具有重要意义. 相似文献
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本文针对航天器电源控制器智能化、低功耗等方面的设计需求,对电源控制器遥测遥控接口单元采用智能化控制设计,依托微处理器内部软件来执行电源系统全任务周期的控制和管理,提高电源系统的效率、可靠性、自主管理能力,并降低系统的静态功耗. 相似文献
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MPPT(Maxmin Power Point Tracking)控制方法在风力机功率控制器中处于核心地位,其控制策略的优劣影响整个系统的输出特性。本文构建了风力发电系统仿真模型,深入研究了风机输出特性,在此基础上对以往MPPT控制方法的改进提出自适应变步长控制策略,使其能够应用于小型风力发电系统中。 相似文献
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寄生电感对碳化硅MOSFET开关特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗.然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感.因此,为了评估寄生电感对碳化硅MOSFET开关性能的影响,基于回路电感的概念,将栅极回路寄生电感、功率回路寄生电感以及共源极寄生电感等效成3个集总电感,并且从关断过电压、开通过电流及开关损耗等3个方面,对这3个电感对SiC MOSFET开关性能的影响进行了系统的对比研究.研究表明:共源极寄生电感对开关的影响最大,功率回路寄生电感次之,而栅极回路寄生电感影响最小.最后,基于实验分析结果,为高速开关电路的布局提出了一些值得借鉴的意见. 相似文献
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本文讨论了高频开关式交流斩波电路的工作原理与电路调压控制技术,交流斩波调压控制技术是一种新型高性能的交流调压技术,在中小交流调压领域获得广泛应用。本文通过对开关反串联式斩波调压电路的原理分析,对比了三相三管交流斩波调压电路和单相单管交流斩波调压电路的控制方式,并对电路的扩展功能的新技术进行了探讨。 相似文献
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5 GHz, the variation of output power is less than 1.5 dB. 相似文献
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Based on a self-developed A1GaN/GaN HEMT with 2.5 mm gate width technology on a SiC substrate, an X-band GaN combined solid-state power amplifier module is fabricated. The module consists of an AIGaN/GaN HEMT, Wilkinson power couplers, DC-bias circuit and microstrip line. For each amplifier, we use a bipolar DC power source. Special RC networks at the input and output and a resistor between the DC power source and the gate of the transistor at the input are used for cancellation of self-oscillation and crosstalk of low-frequency of each amplifier. At the same time, branches of length 3λ/4 for Wilkinson power couplers are designed for the elimination of self-oscillation of the two amplifiers. Microstrip stub lines are used for input matching and output matching. Under Vds = 27 V, Vgs = -4.0 V, CW operating conditions at 8 GHz, the amplifier module exhibits a line gain of 5.6 dB with power added efficiency of 23.4%, and output power of 41.46 dBm (14 W), and the power gain compression is 3 dB. Between 8 and 8.5 GHz, the variation of output power is less than 1.5 dB. 相似文献