高体积分数电子封装用铝基复合材料性能研究

高体积分数颗粒增强铝基复合材料由于其具有高导热、热膨胀系数可以调整、低密度和低成本而在电子封装领域有着广泛的应用。文章采用挤压铸造法制备了Sip／Al复合材料,金相观察表明,复合材料的铸态组织致密,颗粒分布均匀,没有微小的孔洞和明显的缺陷;复合材料20℃-100℃的平均线膨胀系数为7．6～8．1×10-6·℃-1,导热率大于100W(m·℃)-1,同时Sip／Al复合材料具有较低的密度(2．4g·cm-3)、较高的比强度、比模量采用化学镀的方法,复合材料表面的镀 Ni层连续、均匀,以其作为底座的二极管满足器件可靠性测试要求。     

聚合物基复合封装材料导热性能的参数仿真

鉴于聚合物基复合封装材料导热性能传统研究方法的不足(效率低、预测模型不合理等),提出了一种基于VC++结合ANSYS和MATLAB联合编程的方法,对聚合物基复合材料的导热性能进行参数化有限元分析。用户只需要在由VC++开发出来的人机交互界面上输入复合材料的相关导热参数,即可由ANSYS与MATLAB相互协作完成导热模型的构建、模型导热率的数值仿真、结果输出的可视化处理等一系列工作。通过分析氮化铝填充环氧树脂复合材料的导热性能,检验了该方法的可靠性。研究结果表明,该方法不仅能够有效地预测实验结果,而且还方便易用。     

微电子封装用复合材料导热系数预测模型

集成电路的高速度、高集成和低成本导致微电子元件内部热量的显著增加。所有的电子元件都产生一定的热量，而一个典型的微处理器，尤其是高性能或高频率的IC，目前功率耗散超过60W，到2005年将达到100W。在高温下元件的可靠性将随着温度的升高而成指数地显著降低，元件经常用聚合物以底充胶的形式来     

电子封装用高导热金属基复合材料的研究

高导热金属基复合材料具有优异的热物理性能,且密度较低,是非常理想的电子封装材料。但是由于其本身高的脆性和硬度,使得该材料很难通过二次机械加工成所需要的形状,严重制约了该材料的应用。本文总结了本实验室在第三代SiCp/Al电子封装材料以及第四代金刚石/Cu（或Al）电子封装材料的近净成形制备方面所取得的一些突破性成果,并就相关的关键工艺进行了讨论,论文最后对电子封装用高导热金属基复合材料未来的发展做出了展望。     

环氧树脂／碳纤维复合封装材料的研究

高电子及封装技术的快速发展对封装材料的性能提出了更加严格的要求，具有高导热及良好综合性能的新型封装材料的研究和开发显得更加重要。本文综述了一种新型的封装复合材料环氧树脂，碳纤维复合材料。对复合材料的热传导性能．电传导性能以及热机械性能进行了分别讨论。     

液晶聚合物复合基板在高频高可靠封装中的应用

液晶聚合物(LCP)具备介电性能优良、可靠性高、近气密性等优势,在高频高可靠封装领域有着一定的应用潜力。在非气密有机基板(聚苯醚)表面引入LCP层,制作了复合材料基板。无铅回流、温度冲击考核结果表明,该复合结构具备可靠性。强加速稳态湿热试验结果表明,与基于非气密有机基板的封装相比,基于表层LCP复合基板的封装具备更高的长期可靠性。     

电子封装用低膨胀高导热SiCp/Al复合材料研究进展

随着微电子技术及半导体技术的快速发展,高封装密度对材料提出了更高的要求.SiCp/Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能,受到了广泛的关注.作为电子封装材料,SiCp/Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用.文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状,详细阐述并比较了几种常用的制备方法,包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等,进一步分析了各种方法的优缺点,并在此基础上展望了未来研究和发展的方向.     

应用石墨片导热层压封装COB LED光源及其热性能

研究了加石墨片导热层的层压封装COB LED光源的热性能和水下环境运行的可靠性。采用COB技术制备了COB LED光源,并在COB LED光源和平面铝基板散热器之间加石墨片进行真空层压封装,然后对层压封装的COB LED光源模组进行了光谱和热性能实验。在900 mA恒流驱动条件下,测得COB LED光源的电压温度系数为-0.3 mV/K;对石墨片导热层层压封装的COB LED光源模组和未加石墨片的模组在水温25℃水环境下进行了运行对比实验,结果发现运行结温分别为49.28℃和63.67℃。实验结果表明,层压封装COB LED光源用石墨片导热层能有效降低运行结温,并适合在常温水下照明应用。     

电子封装用低膨胀高导热SiCp／A1复合材料研究进展

随着微电子技术及半导体技术的快速发展,高封装密度对材料提出了更高的要求。SiCP／Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能,受到了广泛的关注。作为电子封装材料,SiCP／Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用。文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状,详细阐述并比较了几种常用的制备方法,包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等,进一步分析了各种方法的优缺点,并在此基础上展望了未来研究和发展的方向。     

粉末冶金法制备AlSiC电子封装材料及性能

采用粉末冶金法制备了一定粒径分布的SiC颗粒体积分数不同的AlSiC电子封装复合材料。实验结果表明:材料微观组织致密,颗粒分布均匀。复合材料的平均热膨胀系数、热导率和弯曲强度都随SiC含量的增加而降低,抗弯断口以脆性断裂为主要断裂模式。     

电子封装用SiCp/Al复合材料的研究现状及展望

电子封装技术的快速发展对封装材料的性能提出了更为严格的要求。文章介绍了电子封装用SiCp/Al复合材料的研究现状和进展,讨论了其制备工艺和性能。文中着重介绍了空气气氛下的无压自浸渗制备方法,并进一步提出了SiCp/Al复合材料存在的主要问题以及今后的研究方向。     

电子封装用SiCp/ZL101复合材料的制备工艺及热膨胀性能

提出了制备电子封装用SiCp/ZL101复合材料渗透法新工艺。该工艺在空气气氛下,于850~950℃温度范围内,不用外加压力,通过助渗剂作用,使铝合金液自动地渗入SiC颗粒间孔隙中,从而形成电子封装用复合材料。并对其热膨胀性能进行了测试。     

电子封装材料用金刚石/铜复合材料的研究进展

电子技术的快速发展对封装材料的性能提出了更严格的要求.针对封装材料的发展趋势,金刚石/铜复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视.概述了金刚石/铜复合材料作为封装材料的优良性能及其制备工艺进展,并对其发展方向进行了展望.     

功率电子模块及其封装技术

功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展,其种类日新月异。同时,模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择、制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战。文章结合了近年来国内外的主要研究成果,详细阐述了各类功率电子模块（GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM）的内部结构、性能特点及其研究动态,并对其封装结构及主要封装技术,如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述。     

电子组装技术在某型雷达设计中的应用

通过介绍用于相控阵雷达的微波组件，论述了微波组件组装技术在某型雷达中的应用及重要性，阐述了组件加工组装技术对整部雷达设计指标的影响。     

电子系统封装器件的传热研究

开发了一个电子系统封装(SIP)典型器件的传热模型,用数值方法模拟了器件的热传递过程和温度分布状况,探讨了各种设计参数和物性参数对温度场的影响。计算结果表明:当t = 1 400 s,以LCP为基板时SIP器件传热过程达到稳定态,基板导热系数和对流换热系数是影响器件散热速率的关键参数,此外还计算了对于不同的环境对流换热系数和不同基板材料,不使芯片产生热失效所允许的输入功率耗散密度。这为研究高密度电子封装器件的热特性,进一步改善器件的热性能提供了理论依据。     

电子封装结构演变与微连接技术的关系

微连接是电子产品制造中的关键技术之一,它既是实现芯片设计性能的重要途径,又是制约封装结构发展的瓶颈。微连接技术决定了封装结构的可实行性和可靠性,而随着芯片集成度不断增加,封装结构的创新也成为推动微连接技术发展的重要动力。该文通过对微连接技术及电子封装结构发展历程的研究,探究二者之间的相互关联,并介绍了微连接的几种特点以及几种常见的芯片焊接技术和微电子焊接技术,最后对电子封装结构及微连接技术的未来发展趋势进行了展望。