前言

随着计算机应用领域的日益扩大,对存贮器的容量及速度不断提出了新的要求,从而有力地推动着半导MOS存贮器技术的发展。七十年代是大规模集成电路(LSI)的年代,八十年代则是超大规模集成电路(VLSI)的年代。据估计,其集成度平均每年约增加一倍,而价格却降低一半。     

一九八五年国际固体电路会议述评(续)

逻辑大规模集成电路 规模大和多样化的门阵电路 在逻辑门阵列领域,正在向着大规模集成和品种多样化的方向发展(表Ⅲ)。CMOS门阵芯片的集成规模已超过二万门。随着门阵电路的大规模集成化,芯片内设置存贮器和测试用电路的门阵电路也日益盛行起来。基本单元结构的构成方法也是多种多样。较为引人注目的方法是采     

一种强功能盒式磁带控制器

本文介绍以大规模集成电路日本东芝T3444 BS格式器为基础的标准盒式数字磁带机控制器,具有功能强,使用方便,可靠性好,价格便宜等特点. (一)T3444 BS工作原理及主要功能 T3444 BS是实现高速数据功能的大规模集成电路,可适应各种应用目的.这里它以输入/输出控制为主要目的,将运算处理部件(ALU)、随机存取存贮器(RAM)、只读存贮器(ROM)、输入/输出接口等做在一块硅片内.实质是采用微程序方式实现对盒式数字磁带机进行一系     

大规模集成电路工艺的进展(Ⅱ)

本文首先对半导体集成电路的各种工艺技术重新给予了新的评价,同时,对MOS的用途、n—沟MOS电路的速度以及双极型电路的功耗等问题,作了重新论证。此外,本文根据目前国际上对大规模集成电路工艺技术的不断改进及深入研制之情况,预计在不久的将来,存贮器、微处理器和逻辑电路将会有新的突破。     

大规模集成电路工艺的进展(Ⅰ)

本文首先对半导体集成电路的多种工艺技术重新给予了新的评价,同时,对 MOS 的用途、n-沟 MOS 电路的速度以及双极型电路的功耗等问题,作了重新论证。此外,本文根据目前国际上对大规模集成电路工艺技术的不断改进及深入研制之情况,预计在不久的将来,存贮器,微处理器和逻辑电路将会有新的突破。     

CMOS集成电路的可俈性

CMOS集成电路具有功耗低,抗干扰力强和速度快的特点,在一般逻辑电路,大规模存贮器以及微处理机、电子手表等领域得到广泛的应用,尖端技术的发展对CMOS集成电路的可俈性提出了更高的要求,人们对其可俈性也日益重视。本文对CMOS集成电路的失效模式、机理、抗辐射性能等作一概要介绍。     

半导体存贮器与磁芯存贮器的发展前途

一 半导体存贮器是六十年代中期问世的一种新颖存贮器件,它是大规模集成电路(LSI)中最有代表性的产品,其发展速度超过整个半导体工业发展的平均速度。由于它具有速度快、功耗低、体积小、成本低、可靠性高、外围电路简单等优点,因此近年来正有力地冲击着整个计算机存贮系统领域。表1、表2列出1976～1981年美、日、西欧半导体存贮器市场展望,从中看出其销售概况。1977年美国半导体存贮器的销售额达到6.32亿美元,而1971年只有0.7亿美元,即六年内增加了9倍。半导体存贮器在整个集成电路中的比重已由1971年的12％增长到1977年的30％。     

波形存贮器中的模-数转换电路

近年来,随着科学技术的发展,尤其是数字技术、大规模集成电路及微处理器的迅速发展,出现了许多新型数率化智能仪器,如波形分析系统(亦称信号处理系统)、波形存贮器、数字存贮示波器、数据采集系统及过程控制系统等.它们都大量地应用了模拟信号的数字处理技术,而其中的关键部件是快速模-数转换器.目前已研制生产出各种类型的快速模-数转换器.本文介绍几种用于波形存贮器中的快速模-数转换器的工作原理及实际应用电路.     

计算机系统结构的动向

计算机从真空管、晶体管到集成电路,经历了三代更新。现在已进入第四代的大规模集成电路LSI(Large ScaleIntegratlon)计算机。由于LSI以每年功能增加一倍,而价格降低一半的速度发展,因此出现了下述情形: 1.微处理机以及微处理机与其它设备结合组成的智能终端发展很快。微处理机终将代替小型计算机,而小型计算机被迫向高级方向发展。 2.LSI存贮器完全代替了磁心存贮器,现在广泛采用16K、64K MOS片作存贮器。 3.磁记录存贮器技术进一步发展,其中主要是磁盘,它的每位价格每年以35％的速度下降。大量使用价格便宜的软盘作智能设备的外存贮器。计算机应用远远超出早期的预想,最初只用于科学和工程上的数值计算,现在已遍及各行各业,从空间探索到基本粒子研究;从国防尖端、工农业生产到日常生活领域。近年来,计算机技术又与通信系统密切结     

集成电路工艺和器件模拟的进展

过去20年,从全世界范围看,集成电路得到了迅速的发展。从60年代中的简单门电路和运放等产品开始,经历了70年代以微处理器和模拟数字转换器为代表的发展。在80年代的今天,多兆位高速静态存贮器标志着数字电路的进展,新电子产品开发的广泛需要,促进了专用集成电路的迅猛发展。在上述集成电路的发展中,集成电路的计算机模拟技术已起了重要作用。     

77-1型微计算机

中国陕西微电子研究所采用该所研制的大规模集成电路,于1978年研制成功了一种新型的77-1型微计算机。该机的技术指标是:基本字长16位,最多可进行64位字长的运算;基本指令23条,可进行多倍位长操作;采用微程序控制技术,共用100条微指令;主频为50kHz,微指令工作周期为2μs;主存贮器采用N沟硅栅MOS存贮器(RAM-1k     

数字电路概况及选用参考

一、国外数字电路发展概况在数字电路二十年的进程中,始终朝着高密度、低功耗、高速度、低成本的方向发展. 高密度往往是反映集成电路技术水平的首要标志,这方面发展得特别快.在短短的二十年中,经历了小规模(SSI),中规模(MSI),大规模(LSI)的阶段.并已进入了超大规模集成电路(VLSI)的生产阶段.与此同时,试制成了极大规模集成电路(ULSI).微处理机和存贮器是集成度迅速提高的有力见证.目前,微处理机不仅有8位和16位的产品,而且还试制成了相当于中型计算机性能的32位微处理机,例如英特尔     

全国中、大规模集成电路设计及分析学术会议

<正> 中国电子学会半导体与集成技术学会委托四机部1424所筹备的全国中、大规模集成电路设计及分析学术会议于1981年11月28日至12月3日在昆明市召开.在云南省科委、电子局领导机关的关心和云南省半导体器件厂的大力支持下,学术会议开得比较成功. 来自全国近80名代表参加了这次会议.会议共收到论文摘要108篇,在会上报告了44篇.通过这次学术会议,可以看到我国中、大规模集成电路的设计、研制、分析测试及计算机辅助设计技术已有了较大的进展,其中双极256位、1024位 ROM;MOS 4K静态、16K动态随机存贮器的研制成果,     

微型计算机名词解释

1.微处理器(μP)mieroprocessor计算机的逻辑处理功能中心为中央处理器(cpu)。一般包括计算机的运算部分和控制部分。μP则是由单片或多片大规模集成电路(LSI)构成的cpu,一般不包括存贮器。2.微型计算机(μC)microcomputerμC是以μP为中心,配以数据存贮器(RAM),程序存贮器(ROM)以及输入输出(I/O)接口及其辅助电路构成的程序存贮式计算机。μC的出现填补了小型机与计算器之间的空档,同时μC也覆盖了小型机的低档,由多μP并用还可以构成大型机。     

有关ECL电路的几个方面

我厂承担了某项重点工程任务所需的集成电路,在一四二四所的大力协助下,已试制生产了八种中、小规模超高速ECL集成电路。现除继续扩大品种,不断提高成品率和可靠性外,还以平行作业的方法,开展大规模ECL存贮器的试制工作。国际国内已有各种系列的ECL集成电路,我厂是仿优选系列MECL10000系列试制和扩展品种的。 ECL电路不同于饱和型和抗饱和型逻辑电路。它从电路结构上根除了常规TTL电路门管由“关”转“开”所需释放载流子电荷的“存贮时间”;它没有STTL电路采用肖特基钳位而带来附加的输入电容,STTL电路的速度必然受RC时间常数所制约。ECL电路的延迟仅仅受管芯中的分布电容所影响,是现能使用的最高速的集成逻辑电路。     

CMOS集成电路电子报警器

本文介绍了用二输入端四或非门集成电路 TC4001和大规模 CMOS 四声模拟集成电路 KD9561制作的一种电子报警器。     

基于AMBA总线的DDR2 SDRAM控制器研究与实现

随着大规模集成电路和高速、低功耗、高密度存贮技术的发展,DDR存贮器业已成为PC内存的主流技术.作为第二代DDR存贮器DDR2预取位数是普通DDR的两倍.因此DDR2 SDRAM将取代DDR SDRAM的主流地位.本文对DDR2存贮技术进行了探讨,并讨论了DDR2 SDRAM和DDR SDRAM的区别以及设计时应注意的问题,设计了一个基于AMBA总线的DDR2 SDRAM控制器并提出了一种数据顺序预读取机制,使得DDR2 SDRAM的访问效率大大提高.     

8万门门阵母片系列电路JSC710XX测试技术研究

利用DIC8032大规模集成电路测试系统，实现了8万门门阵系列电路JSC710XX的功能，参数的测试，并验证了8万门门阵列母片。     

Bi-CMOS技术进展(上)

把双极晶体管和CMOS FET制作在同一芯片上的Bi-CMOS技术越来越引人注目。本文对Bi-CMOS的结构、工艺,及其在逻辑电路、存贮器,模拟-数字相容电路和高压大功率等方面的应用进行了评价,认为Bi-CMOS技术很可能成为今后十年硅集成电路发展的主流技术。     

电流开关结构提高 LSI 逻辑速度

大规模集成电路逻辑设计者在电路尺寸和性能方面从事的逻辑结构却不是用作大规模集成电路的。原先设计的 DTL、TTL 和 ECL 结构是作为门功能的,而不是作为高集成功能的。这些电路结构的功率/延迟乘积约为80微微焦耳;典型的8毫微秒传播延迟的 TTL 门功耗约10毫瓦;而 ECL 门是0.9毫微秒,约90毫瓦。