同位素208Pb靶的制备

介绍了一种弧形靶框夹芯208pb靶的制备工艺,包括核靶的制备装置和制备方法、核靶厚度和均匀性的控制和测量方法,并对结果进行了讨论.制备采用旋转蒸镀法,该法可以大大提高材料的利用率.所制靶的结构为30μg/cm2 C+361 μg/cm2 208pb+15 μg/cm2 C,同一次所制的靶平均厚度为361μg/cm2,不均匀性小于9.8%.其性能能够很好地满足超重核实验研究的要求.     

92Mo同位素氧化物靶的制备

用真空蒸发法,分了镀法和离子心沉积法制备了＾９２Ｍｏ同位素氧化物靶,介绍了各法的优点,存在的问题和解决途径。     

同位素Mg靶的制备

文章介绍了＾２４ＭｇＯ转换成金属小球的还原技术以及同位素Ｍｇ的３种制备方法，即轧法，电阻加热法和聚焦重离子溅射法。滚轧法适用于制备〉０．１５ｍｇ／ｃｍ＾２的自支撑＾２４Ｍｇ靶，而后２种方法主要用来制作有衬底靶。     

电沉积法制备233U同位素靶

对影响电沉积铀的主要因素进行了试验和讨论；用α能谱法分析了靶样品中的成分，提出了在较薄铝箔（９μｍ）上一次沉积厚度达８－１５ｇ／ｍ＾２的２３３Ｕ的制备工艺。     

激光多层靶的研制

文章简述了Ｃｕ－Ｆｏｒｍｖａｒ－Ａｌ－Ｆｏｒｍｖａｒ多层芭的制备工艺。其工艺过程是：先在载玻片上蒸镀Ｃｕ，再涂Ｆｏｒｍｖａｒ膜，脱膜装靶后再蒸镀Ａｌ。由于Ｆｏｒｍｖａｒ只受一次热蒸发，制备出了平整度满足要求的激光多层靶。     

同位素靶制备技术的研究

系统地介绍了同位素靶的制备技术，包括核靶的制备手段（真空蒸发、聚焦重离子束溅射、滚轧、电镀、离心沉淀），同位素化合物还原工艺（还原蒸馏、电解还原）和核靶的贮存方法（干燥法、抽真空法、低温干燥法）。     

同位素铁靶制备技术

介绍了同位素铁靶的制备技术，包括氧化铁的还原、铁粉的熔化和铁靶的制备。采用聚焦束溅射和滚轧制备技术能获得自支撑^56Fe靶的最小厚度分别为50和360μm/cm^2。     

在线熔化靶气相热色谱分离装置的结构和主要特性

为研究中能重离子轰击天然Ｐｂ厚靶生成的较短寿命的Ｈｇ同位素产物，研制成功一套带有跑兔系统的气相热色谱装置，它可自动进行靶辐照并可实现Ｈｇ产物快速脱出、分离和收集。收集的样品被传送到低本底测量站而不破坏真空。利用此中分离半衰期２０ｓ或更短一些的核系。     

同位素靶的备制技术

本文系统地介绍了同位素靶的制备技术,主要内容包括核靶的制备手段(真空蒸发、聚焦重离子束溅射、滚轧、电镀、离心沉淀),同位素化合物还原工艺(还原蒸馏、电解还原)和核靶的贮存方法(干燥法、抽真空法、低温干燥法)。     

具有Pb衬的Tb薄靶的制备

采用滚压法制备Ｔｂ靶,采用滚压法或真空蒸发法制得Ｐｂ膜,两者通过滚压或真空蒸发法结合制得了带Ｐｂ衬的Ｔｂ薄靶。     

真空蒸发法制备自支撑多层靶

采用真空蒸发技术制备核物理实验用 Ｃ＋ Ｐｂ＋ Ｎｉ、 Ｃ＋ Ｐｂ＋ Ｃｏ、 Ｃ＋ Ｐｂ＋ Ｓ＋ Ａｌ多层自支撑靶膜。实验选定以１ ％ 肥皂液作解离剂,视不同蒸发元素,选择形状与尺寸适宜的蒸发舟。 Ｃ、 Ｐｂ、 Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｓ、 Ａｌ膜的质量厚度分别为１０～１５、约１００、３０～６０、３０～６０、３０～５０ 和 １０ μｇ·ｃｍ － ２。制备出的膜层平展,薄而均匀,无针孔。     

快中子金属锂靶的制备方法

介绍了供多中子转移反应实验用的金属Li靶膜的制备方法及条件;金属Li表面石蜡油的清洗及清洗剂的选择;简述了Li靶的保存方法。     

金属铋靶件制备研究

采用高温化学萃取法可以从反应堆辐照后的金属铋（²⁰⁹Bi）中分离²¹⁰Po。设计了两种规格的金属铋靶件,用MCNP程序模拟靶件在中国先进研究堆（CARR）中的中子注量率及核发热情况,对两种靶件的传热进行计算。用氩弧焊对金属铋靶件进行焊接,对焊接后的靶件进行密封性检查。结果表明：两种靶件在CARR反应堆中满功率60 MW运行时中子注量率最大为5.21×10¹⁴ n/cm²·s,靶件总发热量分别为1 707 W和2 220 W,经传热计算后靶件中心温度分别为163.5 ℃和191.8 ℃,低于金属铋的熔点（271.3 ℃）。焊接后的靶件经密封性检查,泄漏率小于3.2×10^-9 Pa·m³/s,金属铋靶件可用于CARR反应堆辐照制备²¹⁰Po核素。     

裂变同位素靶管在300#反应堆的辐照实验

将裂变同位素靶管放入300#反应堆特殊燃料元件盒中辐照.叙述了辐照定位装置的加工以及靶管取放、定位、热电偶导出线固定等详情,测量了轴向中子注量率分布、水隙内和靶管内外壁的中子注量率,刻度了靶管的反应性,分五个功率台阶测量了靶管壁面温度和堆池温度.测量得到的热中子注量率沉降因子与根据生产厂家报告推出的自屏因子基本符合.将计算的和测量的靶管外壁温度进行比较,可认为铀靶生产厂家给出的靶管各热物性参数是准确的.     

同位素10B靶的制备

为准确测量¹⁰B(n,α)⁷Li和¹⁰B(n,t2α)的反应截面,需制备质量厚度为50～350 μg/cm²的¹⁰B靶。本文系统研究了同位素¹⁰B靶的制备工艺,确定了“压片-烧结-蒸发”三步法制备¹⁰B靶。研究了基片温度对¹⁰B膜生长过程、结构和膜基结合力的影响,测试和分析了¹⁰B靶的不均匀性。结果表明,利用间歇式静电聚焦微调电子轰击法制备同位素¹⁰B靶,蒸发速率应低于0.02 μg/(cm²·s);灯丝平面与¹⁰B柱的最佳距离为10.5～11 mm;生长的¹⁰B膜随基片温度的升高而致密并逐步结晶,膜基结合力也更好,最佳基片温度约为300 ℃。对于尺寸为Ø80 mm同位素¹⁰B靶的制备,不均匀性可控制在10%以内。已经成功在Ta和Al基片上制备了厚度<350 μg/cm²的¹⁰B靶用于核物理实验测量。     

A ctivation measurement of neutron distribution in intermediate energy heavy ion target area

The distribution of neutrons produced by the reaction of 50MeV/u ^12C-ion on a thick Cu target are studied.The neutrons are measured with threshold activation detectors.Al.F,C,Al and In activation samples were used to measure neutrons with energy greater than 7,11,20,50MeV and thermal neutrons,respectively,The fluence rate,energy and angular distributions of neutrons,total neutron yield of 12C-ion and the emission rate in the forward direction of neutrons over 11 and 20MeV were obtained.