用中子辐照提高体硅CMOS器件的抗瞬时辐照能力

通过测定专门设计的寄生样电流增益，用注入电流法测定CMOS器件的产锁阈值及用JT－1图示仪扫描测定闭锁曲线，有力地证实了体硅CMOS器件经中子辐照后其抗闭锁能力及抗瞬时辐照能力均有明显提高，激光脉冲器的瞬时辐照结果亦证实了这点。     

便携式电子设备器件和芯片的选择

低功耗是便携式电子设备的重要指标，本文从降低功耗的角度，对便携式电子设备设计中器件和芯片的选择进行了分析和研究。     

SOI材料与器件的辐照效应

目前，ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）材料的一个主要用途是用来制作抗辐照电路，本文以ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐｅｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）技术为主，详细论述了ＳＯＩ材料和器件（ＭＯＳＦＥＴ）的辐照特性及其机理，包括总剂量、瞬时和单粒子效应，并以总剂量效应为主。经过恰当的加固工艺和优化设计，可以制造出优良的抗辐照集成电路。     

微波铁氧体器件在现代电子设备中的应用

简述微波铁氧体器件在雷达、电子系统和微波系统中的应用，表明它已与现代电子设备融为一体。     

高压VDMOS器件的研制及其抗辐照特性研究

利用SILVACO工艺模拟软件和器件模拟软件以及L—Edit版图设计工具,我们对一款高压VDMOS功率器件进行了模拟仿真和优化设计。利用自主开发的VDMOS工艺流程完成了器件的实际流片。测试结果表明,器件的源漏击穿电压达到600V以上,导通电阻小于2．5Ω,跨导为4S,栅一源泄漏电流约为±100nA,零栅电压时的漏一源泄漏电流约为10υA,二极管正向压降约为1．2V。采用二维器件模拟仿真工具以及相关物理模型对所研制的高压VDMOS器件的SEB和SEGR效应进行了分析,并通过对所研制的器件样片采用钴-60y射线源进行辐照实验,研究了在一定剂量率、不同总剂量水平下辐照对所研制的高压VDMOS器件相关电学参数的影响。     

新型功率器件IGBT及其辐照效应

简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理，对制作的２０Ａ／１０５０Ｖ ＩＧＢＴ芯片进行了中子辐照实验，并对比了辐照前后器件的关断特性，发现辐照可提高器件的开关速度，但也导致了器件有关特性的退化。     

Al栅BESOI／CMOS器件的辐照特性

在表层硅厚度约６μｍＢＥＳＯＩ材料上，制备了Ａｌ栅ＣＭＯＳ器件。实验样品消除了纵向寄生结构和困扰ＳＯＩ薄膜器件的背沟效应、边缘效应、Ｋｉｎｋ效应。样品未作抗辐照工艺加固，γ累积辐辐照剂量已达３×１０５ｒａｄ（Ｓｉ）。实验表明，该结构埋层ＳｉＯ２的存在对器件的辐照性能影响不明显。     

高可靠HIC抗辐照加固途径分析

高可靠混合集成电路（HIC）在航空、国防等领域均有广泛的应用。本文首先从空间应用和国防需求两方面阐述了提高HIC抗辐照能力的战略意义，然后总结了高可靠HIC可能遇到的辐射类型并简要介绍各辐射的损伤机理。在此基础上从IC辐照容差设计、半导体器件抗辐照加固和HIC抗辐照屏蔽三方面说明了提高高可靠HIC抗辐照能力的途径。最后提出一些建议。     

军用电子设备抗高功率微波技术分析

基于对高功率微波(HPM)的效应、环境、耦合通道,对军用电子设备的HPM加固战略和加固关键技术作了论述,并针对某雷达的HPM防护进行了研究,提出了解决一般电子设备抗HPM的思路和研究方向,为今后深入研究打下基础。     

双极器件的快中子辐照损伤

从双极器件在快中子脉冲辐射下Ｆｒｅｎｋｅｌ缺陷的产生及其退火机理出发，推导出器件β在中子脉冲作用下随ＡＦ（ｔ）和电荷浓度变化的数学模型。同时，给出器件中子脉冲作用下退火规律研究的实验方法及实验结果。     

天基电子侦测中的阵列信号处理技术

随着应用需求和科学技术的发展,电子侦察卫星的星上处理能力日益增强。以微弱信号截获、同频多信号侦察、高分辨测向、高精度定位为出发点,分析了天基电子侦测中的阵列信号处理技术,并针对有效载荷的特殊要求进行专门设计。通过利用天线阵列几何结构综合、数字波束形成、空间谱估计测向、基于多次测量数据的最优化处理方法,可以实现快速侦察、目标信号提取和精确定位。     

电子元件与材料

系统介绍了电子元件与材料 ,论述了它们的类别、发展历程及最新发展。     

基于EMC的普通电子元器件选择

在现在的电子设计中EMI是一个主要的问题。许多电子产品都有非常严格的EMC标准,为了达到这些要求,要求设计者必须从板级开始考虑EMI的抑制。对于单板的EMC性能而言,元器件的选择和电路的设计以及PCB Layer是影响它的主要因素,文章主要从普通电子元器件的选择方面来考虑减少或者抑制EMI。     

电子元器件质量等级辨析

分析了电子元器件质量保证等级和可靠性预计质量等级,对其概念、规范、标识等内容进行辨析,并对易混淆的部分举例进行说明,为产品研制中规范使用质量等级应用和管理元器件提供帮助。     

电子元器件的选用、管理与控制

阐述了电子元器件的质量与可靠性的相关内容,并给出了元器件的选用原则和使用中的注意事项,便于元器件管理部门进行规范化管理,也为广大技术人员在选用元器件时提供了帮助和支持。     

浅谈电子元器件失效

电子元器件的失效会给电子整机带来故障。对整机中元器件的失效从两个角度进行了分析 :(1)元器件自身因设计、材料、制造原因引起的失效 ;(2 )整机厂的设计、作业引起的元器件失效。提出了针对性改善措施。     

某电子设备的热分析

热设计在电子设备结构设计中是十分重要的环节,对提高电子产品的运行稳定性具有重要的意义。通过Ice-pak软件对某电子设备进行热仿真分析,得到了发热器件的温度分布云图。在此基础上,通过改进方案,将器件最高温度控制在耐受温度以下。利用热仿真软件可以及时发现方案中所存在的问题,在提升设备品质性能的同时,缩短了设备的研发周期。     

电子产品整机高加速寿命试验技术应用分析

通过对在所设计的高加速寿命试验中不同试验阶段出现的故障进行实例列举与分析,以期有助于生产厂家在达到较高的试验效费比的同时,设计出更成熟的产品,并对同类生产厂家后续相关试验起到实际的借鉴与指导作用。     

电子设备的耐久性问题

主要讨论了有关电子设备的耐久性问题和耐久性与可靠性、维修性、保障性的关系以及耐久性的特点。     

进口电子元器件的风险分析与选用管理

主要分析了国内选用进口电子元器件存在的典型风险,如:外国对中国出口管制;电子元器件更新换代导致停产断档;无铅电子元器件可靠性评估复杂;市场上混杂假冒伪劣元器件等。介绍了国外有关组织和机构针对上述风险所采取的优秀选用管理标准和方法,为国内合理地选用进口元器件提供借鉴和参考,以提高国内选用进口元器件的可靠性水平。