热壁LPCVD多晶硅薄膜的制备及其应用

论述了热壁低压化学汽相渡积（ＬＰＣＶＤ）制备多晶硅薄膜的淀积变量，是影响膜层质量的因素。其次简述了热壁ＬＰＣＶＤ薄膜在硅ＣＣＤ多路传输器和硅ＣＣＤ多路开关组件等红外信号处理器件研制中的应用。     

热壁低压化学汽相淀积设备的使用与维修

文章就热壁低压化学汽相淀积（ＨＷＬＰＣＶＤ）设备使用过程中常见的故障现象及维修谈一点体会。     

热壁低压化学汽相淀积多晶硅膜的氧沾污分析

主要介绍热壁低压化学汽相淀积（ＬＰＣＶＤ）多晶硅薄膜时，系统、温度和氧沾污对膜层质量的影响。     

激光化学汽相淀积薄膜微透镜的设计与实践

本文介绍了采用激光化学汽相淀积（ＬＣＶＤ）技术淀积氮化硅薄膜微透镜的系统与工艺的设计。实践表明，按要求建立了ＬＣＶＤ的实验装置后，只要适当控制源气体的化学配比与浓度，调节激光功率与衬底上的光斑尺寸，选择淀积时间，就可以淀积出不同直径、透明、表面光滑的氮化硅薄膜微透镜。     

热壁 LPCVD 氮化硅薄膜的制备及其应用

论述了热壁低压化学汽相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备氮化硅薄膜的工艺过程。对氮化硅薄膜进行测试分析，用它作介质膜、钝化膜，并作出了多种性能良好的光电器件。     

直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构

以微波激励氙（Ｘｅ） 发射的真空紫外光（ＶＵＶ） 作光源,乙炔（Ｃ２Ｈ２） 作反应气体,采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ） 工艺,在硅（Ｓｉ） 、钼（ Ｍｏ） 及玻璃衬底上,１２０ ℃的低温下进行了类金刚石碳（ＤＬＣ） 膜的试生长。用Ｘ 射线光电子能谱（ＸＰＳ） 、扫描电子显微镜（ＳＥＭ） 等手段进行了初期成膜结构的测试分析。测试结果表明,在所有三种衬底上均能淀积生成ＤＬＣ 膜。其中Ｃ１ｓ 态原子的含量在６９ ．９８ ％ ～７４ ．６０ ％ 之间,相应的键合能为２８５ ．０ ～２８５ ．６ ｅＶ。淀积膜是以ＳＰ２ 键结构为主的ＤＬＣ膜。实验结果也表明,氧在成膜过程中是影响最大的因素。     

DLTS技术研究富氮SiOxNy薄介质膜的电学特性

采用深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ）,测试了等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、俘获截面随禁带中能量的变化关系）,结果表明,采用合适的ＰＥＣＶＤ低温工艺淀积ＳｉＯｘＮｙ膜可以制备性质优良的栅介质膜。     

自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术

ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术淀积氮氧化硅薄膜，并用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）技术形成多晶硅栅边墙．固相外延ＣｏＳｉ２薄膜技术和边墙工艺相结合，经过选择腐蚀，可以分别在源漏区和栅区形成单晶ＣｏＳｉ２和多晶ＣｏＳｉ２薄膜，构成新型自对准硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）器件结构．在Ｎ阱ＣＭＯＳ工艺     

InP表面等离子体CVD淀积SiO2膜的界面结构及C—V特性

报道了以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）为源，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术在ＩｎＰ表面低温生长ＳｉＯ２钝化膜。对ＳｉＯ２／ＩｎＰ界面态进行了Ｘ射线光谱（ＸＰＳ）分析和Ｃ－Ｖ特性研究。     

具有RHEED在线监控功能的超高真空CVD系统及3＂硅片低温外延研究

本文报道了自己研制的一台超高真空化学汽相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统，本底真空达１e－７Ｐａ．该系统配有反射高能电子衍射仪，可对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控．利用该设备进行了硅低温外延实验，生长温度为７８０℃，得到了表面平整、缺陷密度低、界面杂质分布陡峭的薄外延层     

多晶硅薄膜应力特性研究

本文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果,用ＸＲＤ、ＲＥＤ等技术测量分析了多晶硅膜的微结构组成．结果表明,ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力,其内应力受淀积条件、微结构组成等因素的影响．采用快速退火（ＲＴＡ）可以使其压应力松弛,减小其内应力,并可使其转变成为本征张应力,以满足在微机电系统（ＭＥＭＳ）制备中的要求     

PCVD技术在InSb CID焦平面阵列的应用

本文系统描述了用ＰＣＶＤ（光化学汽相淀积）技术在ＩｎＳｂ衬底上沉积ＳｉＯｘＮｙ介质膜的工艺过程。对ＳｉＯｘＮｙ膜进行测试分析，并用它作介质膜，钝化膜，作出了性能较好的ＩｎＳｂ ＣＩＤ焦平面器件。     

先进的等离子增强化学汽相淀积系统

随着集成电路的制造向着高可靠和微细化方向发展，能低温生长优质薄膜的等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺越来越受到重视。它不仅能满足硅集成电路亚微米级线宽工艺的要求，而且能满足其它电子产品薄膜淀积的要求。本文着重介绍国外一些先进的ＰＥＣＶＤ装置系统。     

镍表面微机械加工

描述了单层掩膜表面的微机械加工工艺。该工艺用镍作为结构层材料，多晶硅作为牺牲层，用高长宽比光刻技术（厚达２０μｍ）制作电镀图形，在多晶硅上化学镀镍。用低压化学汽相淀积（ＬＰＣＶＤ）工艺淀积厚度为１～５μｍ的多晶硅。化学镀之前对多晶硅进行短时腐蚀预处理可使多晶硅表面变成多孔状，为生成良好的镍粘附提供了适合的力学键合点。用ＫＯＨ腐蚀多晶硅牺牲层以便释放镍可动部分。采用该工艺已制出厚度为５～２０μｍ的静电镍微驱动器     

PECVD法制备纳米硅薄膜材料

采用等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ） 法制备了纳米硅薄膜材料， 研究了工艺参数， 如衬底温度、衬底直流偏压、反应气体流量比等对薄膜性能的影响。采用椭圆偏振光谱和有效介质近似法分析了薄膜结构     

ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用

电子回旋共振等离子体化学气相淀积（ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ）法淀积介质膜技术是制备性能优良的光电子器件光学膜和电介质膜的重要手段之一．本文报道了ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ法淀积介质膜的工艺以及介质膜的特性等     

热壁低压化学汽相沉积设备的使用与维修

文章就热壁低压化学汽相沉积（ＨＷＬＰＣＶＤ）设备使用过程中常见的故障见象及维修谈一点体会。     

PECVD制备光致可发绿光的α—SiC：H薄膜

利用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法，以硅烷和乙烯为反应气体源在适当淀积条件下制备出在紫外光激发下可发绿光（光致发光谱峰值波长约为５３２ｎｍ）的高品质α－ＳｉＣ：Ｈ薄膜。本文主要报道该发光薄膜的红餐吸收谱（ＦＴＩＲ）、紫外及可见光透射谱一光学带隙、光致发光谱、电子自旋共振（ＥＳＲ）和电学性能的测试结果并进行讨论。     

真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO_2薄膜及其性质

使用真空紫外（ＶＵＶ）光直接光ＣＶＤ工艺，在低温（５０－１５０℃）下成功地淀积出了优质的ＳｉＯ２薄膜．测试结果表明：淀积膜的红外吸收峰与高温热生长膜的相符合；氧和硅原子的组分非常接近化学计量比；光折射率在１．４２－１．５５之间；介电常数大于３．６；击穿电场强度在１e７Ｖ／ｃｍ的量级；用氯氟酸腐蚀液（参考配方：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１２）测得膜的平均腐蚀速率约为１．２７ｕｍ／ｓ．试用表明，当使用本实验工艺于硅器件的表面钝化、涂覆及层间隔离，替代ＰＥＣＶＤ和热ＣＶＤ工艺时，器件的击穿特性和反向漏电流均明显地改     

SiGe／Si异质结构MOS器件栅介质技术研究

本文研究ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构ＭＯＳ器件栅介质制备技术，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法低温制备电学特性优良的薄栅介质薄膜，并应用于ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构器件研制，试制成功ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ实验性器件．