四电路互补CMOS模拟开关

多用途ＤＧ２１３模拟开关有两个ＮＣ和两个ＮＯ开关。该模拟开关有多种接线方法，包括４个单刀单掷（ＳＰＳＴ），两个单刀双掷（ＳＰＤＴ），一个“Ｔ”开关，一个ＤＰＤＴ等等。ＤＧ２１３模拟开关用Ｓｉｌｉｃｏｎｉｘ的专利技术高压硅栅ＣＭＯＳ工艺制造，具有较低的...     

惠普和掌中万维展示其产品设备及技术解决方案

惠普 ＷＡＰ应用解决包括 ＷＡＰ ＩＮＦＯ服务、ＷＡＰ Ｅ—ｍａｉｌ服务、ＷＡＰ搜索引擎和 ＷＡＰ金融服务。其中ＷＡＰｓｅｒｖ水虎鱼系列解决方案是以实现移动电子化服务为目标的产品,是一系列结合了完整硬件、软件、应用、第三方产品和培训、服务、技术支持的完整的ＷＡＰ 解决方案包。掌中万维目前已形成了支持电信级和企业级的全套无线互联产品：ＭＩＰＴＭ、ＭＡＰＴＭ、ＭＣＳＴＭ、ＭＩＧＴＭ、Ｐ这些产品ＷＡＰ和ＳＭＳ,并均适用于各种网络,如 ＧＳＭ、ＣＤＭＡ、ＧＰＲＳ、３Ｇ、ＦＬＥＸ、ＰＯＣＳＡＧ、ＣＣＰＤ等。同时…     

宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关

本文报道了一种采用串、并联ＦＥＴｓ结构的ＧａＡｓＭＭＩＣ单刀双掷开关。芯片尺寸为０．９７＊１．２３ｍｍ．在ＤＣ－１０ＧＨＺ频率范围内，插入损耗小于２．２ｄＢ，隔离度大于３２ｄＢ，反射损耗大于１２ｄＢ，并关时间小于１ｎｓ，在５ＧＨＺ下的功率处理能力大于２０ｄＢｍ。此开关具有极低的直流功率耗散。     

精品展台

精品展台半导体和ＩＣＣＭＯＳ模拟开关适用低失真系统Ｍａｘｉ公司最新推出低导通电阻ＣＭＯＳ单刀单掷开关系列产品,型号为ＭＡＸ４５８０、ＭＡＸ４５９０和ＭＡＸ４６００～ＭＡＸ４６０９,其中ＭＡＸ４６０４～ＭＡＸ４６０６导通电阻为５;ＭＡＸ４６０７～ＭＡＸ...     

带有-2V负脉冲冲击保护的SPDT模拟开关

飞兆半导体公司（ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，以前称快捷半导体公司）宣布推出一种可保护ＡＳＩＣ、微处理器及其它ＩＣ免受负脉冲瞬时电压影响的ＳＰＤＴ模拟开关元件。这种型号为ＮＣ７ＳＢＵ３１５７的单刀双掷开关可保护内部ＩＣ免受插头在插入ＭＰ３播放器、ＣＤ播放器、笔记本电脑、移动电话及其它带模拟或数字信号接口的设备时所产生的噪声或负脉冲冲击的影响。这种具有 -２Ｖ负脉冲冲击保护功能的ＮＣ７ＳＢＵ３１５７低压ＳＰＤＴ模拟开关整合了飞兆半导体的专利负脉冲器强化保护电路（ＵＨＣＴＭ）。这种电路…     

环球了望

·日本ＮＥＣ公司与中国信息产业部（ＭＩＩ）电信传输研究所联合宣布,将进行３Ｇ Ｗ－ＣＤＭＡ蜂窝技术试验。ＮＥＣ计划通过建立战略联盟和营销,扩大在中国下一代移动业务中的市场占有率。 ＮＥＣ公司曾参与日本ＮＴＴ ＤｏＣｏＭｏ的Ｗ－ＣＤＭＡ开发工作,其Ｗ－ＣＤＭＡ网络系统和手机为ＮＴＴＤｏＣｏＭｏ商用移动网选用。ＮＥＣ还与英国ＢＴ、泰国ＴＯＴ、韩国 ＳＫ、新加坡 ＳｉｎｇＴｅｌ以及意大利 ＴＩＭ公司就 Ｗ－ＣＤＭＡ技术进行了联合试验。 ·也门共和国总统Ｓａｌｅｈ出席了华为技术有限公司和也门电信合作的国家主干传…     

Dynamic Current Sharing in Paraleling Power MOSFET

ＤｙｎａｍｉｃＣｕｒｒｅｎｔＳｈａｒｉｎｇｉｎＰａｒａｌｅｌｉｎｇＰｏｗｅｒＭＯＳＦＥＴ①ＷＡＮＧＢａｏｃｈｅｎｇ，ＷＵＷｅｉｙａｎｇ，ＺＨＡＮＧＣｈｕｎｊｉａｎｇ（ＹａｎｓｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｑｉｎｈｕａｎｇｄａｏ０６６００４，ＣＨＮ）Ａｂ...     

100dB高隔离无反射固态开关

ＡｍｅｒｉｃａｎＭｉｃｘｒｏｗａｖｅ推出了ＳＷＭ-６０００-１ＤＴＵ-ＧＢ高隔离度无反射ＳＰＳＴ固态开关,该开关的隔离度高达１００ｄＢ,开关速度极快,为２０ｎｓ,在１０ＭＨｚ～２ＧＨｚ的频带内,插入损耗为３ｄＢ,最大驻波比为２,工作电流和电压分别为±１０ｍＡ和±５ＶＤＣ,采用ＥＣＬ逻辑控制（兼容ＴＴＬ）,大小为３８１×３８１×１０２ｍｍ,具有可移动式ＳＭＡ连接器。100dB高隔离无反射固态开关     

X波段1.5WGaAsMMIC研究

介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓＭＭＩＣ的设计、制作和性能测试,包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立、电路ＣＡＤ优化、ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为： 在频率９．４～１０．２ＧＨｚ下, 输出功率大于３２ｄＢｍ , 增益大于１０ｄＢ。     

新品快递

上海贝尔Ｅｕｒｏ -ＤＯＣＳＩＳＧａｂｌｅＭｏｄｅｍ研制成功上海贝尔多媒体终端事业成功研制出Ｅｕｒｏ -ＤＯＣＳＩＳＧａｂｌｅＭｏ ｄｅｍ。该产品不同于以往ＧａｂｌｅＭｏ ｄｅｍ之处 ,是采用了欧洲标准的ＤＯＣＳＩＳ标准 ,在调制带宽和中心频率上同中国的电视系统吻合 ,其中下行调制带宽为８ＭＨｚ,原ＤＯＣＳＩＳ的标准调制带宽是６ＭＨｚ ,因而其下行速率更高 ,同时很好地解决了ＣＡＴＶ的载波频宽利用问题。通过上海贝尔Ｅｕｒｏ -ＤＯＣＳＩＳＧａｂｌｅＭｏｄｅｍ ,用户在家里就能够轻松的实现Ｉｎｔｅｒ ｎｅｔ上的高速冲浪…     

全新理念 全面功能的中兴ZXSM-10G系统

１概述ＺＸＳＭ -１０Ｇ系统采用先进的技术和设计思想 ,继承了中兴通讯在ＳＤＨ领域的技术积淀 ,并结合网络业务的多样化和网络结构的变化所赋予ＳＤＨ设备新的技术内涵 ,是一种集ＡＤＭ、ＤＸＣ、ＩＰ／ＡＴＭ和ＤＷＤＭ四位于一体的新型节点设备。ＺＸＳＭ＿１０Ｇ基本传输速率为９９５３．６８０Ｍｂｉｔ／ｓ,完全兼容ＳＤＨ及ＳＯＮＥＴ体制 ,提供从ＳＴＭ＿６４／ＯＣ＿１９２到ＳＴＭ＿１／ＯＣ＿３等的全速率光接入能力 ,以及对新兴的数据业务如Ｅｔｈｅｒｎｅｔ、ＡＴＭ等的全面接入能力。ＺＸＳＭ＿１０Ｇ可与中兴通讯现有传输设…     

带GaAs TTL电平驱动器的SPDT开关的模拟和性能

介绍了一种带ＧａＡｓＴＴＬ电平驱动器及单刀双掷（ＳＰＤＴ）开关的设计、模拟和测试结果。驱动器的设计采用了开关输入稳压负载,建立了所用器件的大信号模型,对电路进行了模拟分析和优化,模拟和测试结果吻合较好,开关时间达到５ｎｓ,插入损耗小于１．０ｄＢ,隔离度大于６０ｄＢ。     

新型结构的单片单刀双掷开关

新型结构的单片单刀双掷开关顾　蕾，林毅，张顺忠，林立强，卢永宁（南京电子器件研究所，２１００１６）ＭＭＩＣＳＰＤＴｗｉｔｈＮｅｗＳｔｒｕｃｔｕｒｅ￥ＧｕＳｈｉｌｅｉ；ＬｉｎＹｉ；ＺｈａｎｇＳｈｕｎｚｈｏｎｇ；ＬｉｎＬｉｑｉａｎｇ；ＬｕＹｏｎｇｎｉｎｇ...     

X波段1.5W GaAs MMIC研究

介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓ ＭＭＩＣ的设计,制作和性能测试,包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立,电路ＣＡＤ优化,ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为：在频率９．４￣１０．２ＧＨｚ下,输出功率大于３２ｄＢｍ,增益大于１０ｄＢ。     

光波分复用技术讲座 第六讲 WDM环网技术和光联网发展

现在的ＷＤＭ光网络的演进与ＳＤＨ网络非常相似。从网络组成上看,ＳＤＨ有ＴＭ、ＡＤＭ、ＤＸＣ等几种网元,网络拓扑经过了点到点、自愈环和基于ＤＸＣ网状网的几个发展阶段。ＷＤＭ光网络也与此类似,有背对背ＷＤＭ终端、ＯＡＤＭ、ＯＸＣ等几种网元,在网络拓扑上也要经过点到点线性系统、ＷＤＭ自愈环和基于ＯＸＣ网状网的几个发展阶段。与ＳＤＨ网络相比,ＷＤＭ光网络容量更大,对业务透明,保护速度更快,如表１所示。ＷＤＭ光联网的演进由最初的线性点到点式传送结构,逐步转变为环型结构、网型结构。当前,ＯＡＤＭ的应用日趋增…     

日本的ISDN可视电话能与3G手机连接

日本ＮＴＴ东公司与ＮＴＴ西公司在２００１年１１月３０日开始出售称为“Ｍｏｐｐｅｔ”的ＩＳＤＮ可视电话 ,它能与ＮＴＴＤｏＣｏＭｏ公司的新３ＧＦＯＭＡ服务的可视电话通信。这是世界上第一种能与基于ＦＯＭＡ的可视电话连接的固定电话产品。该产品以９８０００日元 (１２２．８８日元＝１美元 )出售。两公司期待２００２年初全日本出售４万部这样的话机。与具有ＦＯＭＡ视频能力的移动电话一样 ,Ｍｏｐｐｅｔ以支持Ｗ -ＣＤＭＡ３Ｇ可视电话的３Ｇ -３２４Ｍ标准为基础。这也顺从ＩＴＵ -Ｔ的传统ＩＳＤＮ线可视电话标准Ｈ．３２０。…     

元器件快讯

真空小型晶体振荡器ＶｅｃｔｒｏｎＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ生产的ＥＸ -３８０真空小型恒温晶振 (ＥＭＸＯＴＭ)可在１０～２０ＭＨｚ中选频工作。它介于大电流、高精度的ＯＣＸＯ和体积微小的ＴＣＸＯ之间 ,集中了二者的优点。当需要同时满足频谱纯净度、短期和长期稳定性与小尺寸、低功耗时 ,ＥＸ -３８０便成为一种经济的选择方案。它老化速度慢、温度稳定性高 ,能够用于复杂环境。采用３．３Ｖ和５ＶＤＣ电源电压或１２ＶＤＣ供电。ＥＭＸＯ单元是ＳＯＮＥＴ／ＳＤＨ、ＤＷＤＭ、ＦＤＭ、ＡＴＭ、３Ｇ、远程通信发射和开关设备、无…     

INFORMATION FOR AUTHORS

ＩＮＦＯＲＭＡＴＩＯＮＦＯＲＡＵＴＨＯＲＳ￥／／ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＰＨＯＴＯＮＩＣＳＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ（ＳＰＡＴ）ｉｓｐｕｂｌｉｓｈｅｄｑｕａｒｔｅｒｌｙｗｉｔｈｔｈｅｐｕｒｐｏｓｅｏｆｐｒｏｖｉｄｉｎｇｔｈｅｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｏ...     

基于准最佳加权有序统计的最大选择CFAR检测算法

为了提高恒虚警检测器在均匀背景中的检测性能及增强对干扰的鲁棒性，本文提出了一种准最佳加权（ＱＢＷ）有序统计方法．基于这种方法，还提出了准最佳加权最大选择恒虚警检测器（ＱＢＷＧＯ－ＣＦＡＲ），它的前、后沿滑窗均采用ＱＢＷ方法来产生局部估计，将局部估计中的最大值作为检测器对杂波功率水平的估计，设置自适应检测门限，应用文献［３］提出的自动筛选技术在ＳｗｅｒｌｉｎｇⅡ型目标及瑞利杂波假设下，推导出了它的Ｐｆａ、Ｐｄ、ＡＤＴ及杂波边缘虚警尖峰的数学解析表达式分析结果表明，它在均匀背景及多目标和杂波边缘引起的非均匀背景中的性能，均比ＧＯＳＧＯ或ＯＳＧＯ获得了改善．在特殊情况下，ＱＢＷＧＯ退化为ＧＯ和ＭＸ－ＣＭＬＤ     

快速低阻功率开关MOSFET

飞利浦半导体公司开发了一种具有极低开态电阻和额定电压为２００Ｖ的功率ＭＯＳ－ＦＥＴ器件。这种“硅ＭＡＸ”器件采用沟槽ＭＯＳ工艺,兼有大功耗和快速开关速度的性能,其１００－２００Ｖ的额定电压来源于ＤＭＯＳ功率ＭＯＳＦＥＴ。这种新器件在开关型功率源,ＤＣ／ＤＣ转换器以及负载开关应用方面,特别具有吸引力。 新的功率ＭＯＳＦＥＴ的低开态电阻是利用大量制作在硅芯片上的小ＭＯＳＦＥＴ单元并联获得的。在给定硅片上,由于减小了单元的尺寸,增加了单元了数目,从而降低了开态电阻。但单元间距离变近,使单元之间产生相互…